Fターム[4K024CB02]の内容
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Fターム[4K024CB02]に分類される特許
201 - 201 / 201
配線基板の製造方法、半導体装置及びめっき装置
【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板10の一方の面10aに少なくとも孔10bを形成する工程と、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上と、孔10bの内面上とに、めっき給電層14を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層14を介して、基板10の一方の面10a上、他方の面10e上及び側面10f上に形成され、かつ孔10bを埋め込む金属層18を形成する工程と、金属層18を研磨することにより、孔10bに金属層18が埋め込まれた金属層のパターン17a,17bを形成する工程とを有する。
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