【課題】本発明は、電気めっき装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例による電気めっき装置１００は、めっき対象１１０を固定する固定治具１２０と、前記めっき対象の両側にそれぞれ対向して離隔配置され、前記めっき対象１１０にめっき液を提供するノズル１５０と、前記めっき対象１１０と前記ノズル１５０との間に配置されて多段に形成された遮蔽膜１３０と、前記遮蔽膜１３０を固定する固定部１４０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軸体上に形成されためっき皮膜の厚さの均一性に優れる、めっき皮膜を有する軸体の製造方法および軸体上に亜鉛系めっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】軸体８の被めっき部を内包し両端部が鉛直方向に開口する中空部を有する管状の管状部材７、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口の上方に設けられ前記軸体を前記中空部内に保持する支持手段１、前記中空部の鉛直方向下側端部の開口から前記中空部内にめっき液を供給するめっき液噴流手段、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口近傍に設けられ前記めっき液噴流手段により前記中空部内に供給されためっき液を前記管状部材外に排出可能にする排出構造９、および前記排出構造を通じて前記管状部材から排出されためっき液を前記めっき液噴流手段に供給する環送手段を備え、前記支持手段は前記軸体と電気的に接続可能な接点部２を備え、前記管状部材はその中空部に不溶性陽極を備える。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽３０２と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード３１８と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置３０６を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面との間で封止を形成して、基板の外周領域に電解質が入らないようにするエラストマーリップシール、および封止および電気接続のためのコンタクト部を備える電気メッキ用クラムシェルを提供する。
【解決手段】可撓性のコンタクト部４０４は、エラストマーリップシール４０２に一体化されており、エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに配置されており、屈曲して、基板４０６と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成する。エラストマーリップシールの一部は、クラムシェルにおいて基板を支持、位置合わせおよび封止する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ表面のめっきの成長速度を向上させることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】 めっき液３内を走行するワイヤ４の表面にめっきを施すものであって、めっき液３を収容するめっき液槽５と、該めっき液槽５内に縦向きに配置される柱状体６と、めっき液槽５の内周面５１と柱状体６の外周面６１の間に形成されるリング状流路Ｘを縦方向に走行するワイヤ４に対して、リング状流路Ｘでめっき液３を流動させる流動機構９と、を備えるめっき装置。 （もっと読む）

【課題】極薄の長尺シートであっても欠陥を発生せずに安定した処理が可能な化学処理装置を提供する。
【解決手段】化学処理槽４へのワーク３の搬入時に少なくともワークの上端を把持する搬送クランプ９群を有し、かつ両端を搬送プーリー６によって張設されたエンドレスベルト８に等間隔で取り付けられ、定寸ごとにワークを把持して鉛直状態として搬送すると同時に、ワークの折り返し時に搬送プーリー７と同軸上に設けられ、ワークの幅方向両端を円弧状に保持し、クランプ群の位置を規制する位置規制凹部を設けたワーク支持部材１０によって、ワークが位置規制されながら搬送され、化学処理槽４搬出時に搬送クランプ群が順次開放されて巻取装置に巻き取らせるワーク搬送装置を備える化学処理装置。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が１００ｍ／分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 （もっと読む）

【課題】めっき槽からのコーティングで物品をめっきするための装置および方法を提供する。
【解決手段】めっき処理において少なくとも１つの適合可能なアノード（４０）を利用して物品（１０）にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源（４４）によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽（３８）に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸（２２）を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっきが塗布される。別のアノード（５０）を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】３次元の樹脂成形品上に金属めっきを施すため、樹脂成形品の取り扱いのための経費と、通常は多数で異なる金型とを大幅に削減し、及び、部品の種類ごとの搭載経費を低減する方法を提供する。
【解決手段】樹脂成形品３が、結合部品２によってフレキシブルなキャリア１に結合される。このキャリア１は、同時に搬送テープとして使用される。多数の樹脂成形品３を一時的に結合させるため、キャリア１が、それぞれの樹脂成形品３の両面に結合している。この場合、電気伝導性の結合部分が生成される。この結合部分は、結合部品２による電気めっき８用の通電に使用される。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】高速な表面処理を行う場合であっても、大型化することなく、十分な処理時間を確保することができる、経済的な表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置は、処理槽５の両側に配置され、線材２の許容曲率半径以上の半径を有し、かつ、軸方向に１列以上の案内軌道３０ａ〜３６ａ、３０ｂ〜３６ｂを外周面に備え、導電性の回転体と、該回転体の中心で軸方向に伸長する導電性の給電軸と、前記回転体を該給電軸に対してこの給電軸と共に回転可能に支持する樹脂製の支持体と、前記回転体と前記給電軸とを電気的に接続する手段と、前記回転体を回転させる駆動機構とを備える、第１および第２の回転給電装置と、該第１および第２の回転給電装置のそれぞれと前記処理槽との間に配置され、相互に軸方向および高さ方向に位置がずれている２個以上のプーリが、１列以上配されている第１および第２のライン変更プーリ装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程において、めっき膜の膜厚均一性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、を有する半導体ウエハーの、前記第１の領域及び前記第２の領域に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の上にレジスト層を形成する工程と、前記第２の領域の前記第１の導電層の第１の部分の上の第１レジスト層を残し、前記第２の領域の前記第１の導電層の第２の部分の上の第２レジスト層を除去するパターニング工程と、電極と、前記電極の電気的接続部に連続し、前記電極に電流を供給する配線と、を有する治具を、前記電気的接続部が前記第１レジスト層と接するように配置する工程と、前記電極に前記電流を供給して、電解めっきにより前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理物ｂ１に対して部分メッキを、被覆の必要なく連続的に行うこと。
【解決手段】
頭部ｂ１０と下部ｂ０１の間に括れ部ｂ０３を有し、下部ｂ０１側に重心位置を有する被処理物ｂ１対して、頭部ｂ１０を除いた範囲に電気メッキを施す。一対のレール３は、頭部ｂ１０よりも狭く、且つ括れ部ｂ０３よりも広い間隔の隙間を持ち、電極２０が配されている。メッキ槽５は、レール３の下側に位置し、極板２５がメッキ液中に配置されている。被処理物ｂ１の括れ部ｂ０３をレール３の間の隙間に位置させて、ロッド１８をレール3の上から隙間を通って被処理物ｂ１の重心よりも下の位置に当接させる。ロッド１８をレール３に沿って移動させて、レール３よりも下に位置する被処理物ｂ１にメッキを施す。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。
【解決手段】ビアが形成された基板の表面とアノードとを互いに対向させつつ、めっき槽内のめっき液中に基板とアノードとを浸漬させて配置し、前記基板と前記アノードとの間に、電流値を一定としためっき電流を、供給と停止とを断続的に繰返しながら、めっき電流が流れる時間の占める割合がめっきの進行に伴って大きくなるように変化させて、前記ビア内にめっき金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】 スポットめっきの課題として、めっき滲みがある。めっき滲みを抑制するには、マスク部の厚みを厚くする、めっき液の流速を低下させるなどの方法があるが、いずれも、めっきヤケの発生、耐食性の低下などの問題があった。これらは、Ａｕめっきの電流密度を下げることで回避可能であるが、生産性が低下するという問題があった。
【解決手段】 部分めっき装置の開口部を、曲線部を含み、曲線部の長さが開口部の全外周部の長さの４割以上となる形状とする。開口部を正方形または長方形から円または楕円に近づけることで、マスク材の厚みを厚くすることなく、生産性を維持し、めっきヤケの不具合がなく、かつめっき滲みが少ない部分めっき方法および部分めっき装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】めっきの均一性、作業性および安全性に優れ、かつ、構造が簡易である金属部材のめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液を含浸させる含浸部材１と、含浸部材１を外囲する筺体２と、を有する金属部材のめっき装置１０であって、含浸部材１が、めっき処理を施すべき被めっき金属部材を内包する。電気めっき装置として用いる場合には、含浸部材１と筺体２との間に陽極電極４が配置され、かつ、金属部材を支持する支持体５を介して通電することが好ましく、陽極電極４が円筒形であり、かつ、金属部材と陽極電極４との距離が一定であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板を良好に迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）