基板処理装置および方法
【課題】処理対象基板を良好に迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板などの処理対象基板を基板処理溶液で処理する基板処理装置に関し、特に、処理対象基板の一面の基板処理領域のみ処理する基板処理装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体回路の製造工程の一つとしてプリント配線基板などの処理対象基板を基板処理溶液で処理することがある。ただし、処理対象基板の一面の基板処理領域のみ処理したい場合には、例えば、処理しない他面を基板支持治具などで密閉し、処理しない基板処理領域の周囲を封止材で封止することになる。
【０００３】
現在、上述のような基板処理装置として各種の提案がある（特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−０５２７０２号公報
【特許文献２】特開２００５−２８６１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述のような従来の基板処理装置では、処理対象基板を基板処理溶液に浸漬しただけなので、実際には基板処理領域を短時間で良好に処理することが困難である。
【０００６】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、処理対象基板の基板処理領域を良好に処理することができる基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、基板処理溶液を収容していて処理対象基板が浸漬される溶液保持容器と、溶液保持容器に基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給する溶液供給機構と、上方から下方に落下する基板処理溶液を処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送する溶液乱流機構と、を有する。
【０００８】
従って、本発明の基板処理装置では、溶液保持容器に収容されている基板処理溶液に処理対象基板が浸漬される。このような溶液保持容器に溶液供給機構が基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液を溶液乱流機構が処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送する。このため、処理対象基板の一面の基板処理領域は基板処理溶液が単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。
【０００９】
また、上述のような基板処理装置において、溶液乱流機構は、複数の溶液吐出口から基板処理溶液を処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送してもよい。
【００１０】
また、上述のような基板処理装置において、溶液保持容器の基板処理溶液に浸漬された処理対象基板を上下方向に揺動させる基板揺動機構を、さらに有してもよい。
【００１１】
また、上述のような基板処理装置において、処理対象基板が挿入される挿入口が上面に形成されているとともに基板処理領域が露出する開口孔が一面に形成されているボックス状の基板保持部材と、基板保持部材の他面内側に配置されていて挿入された処理対象基板を開口孔の外周内面に圧接させる拡縮自在な拡縮部材とを、さらに有してもよい。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、処理対象基板を溶液保持容器に収容されている基板処理溶液に浸漬させ、溶液保持容器に基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給し、上方から下方に落下する基板処理溶液を処理対象基板に圧送する。
【００１３】
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。また、本発明で云う上下方向とは、完全に幾何学的に鉛直である必要はなく、例えば、任意の方向に傾斜していてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の基板処理装置では、処理対象基板の一面の基板処理領域は基板処理溶液が単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。従って、この乱流の基板処理溶液により処理対象基板の一面の基板処理領域が良好に処理されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の内部構造を示す模式的な縦断側面図である。
【図２】基板処理装置を示す模式的な分解斜視図である。
【図３】基板処理装置の構造を示す模式的な正面図である。
【図４】基板処理装置の基板保持部材に処理対象基板をセットする工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の一形態を図面を参照して以下に説明する。なお、本実施の形態では図示するように上下方向以外にも前後左右の方向を規定して説明する。しかし、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定するものである。従って、本発明を実施する製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
【００１７】
本発明の基板処理装置１００は、図１に示すように、基板処理溶液ＴＬを収容していて処理対象基板ＰＢが浸漬される溶液保持容器１３０と、溶液保持容器１３０に基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する溶液供給機構１４１と、上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する溶液乱流機構１４２と、を有する。
【００１８】
処理対象基板ＰＢは、一面ＯＦの基板処理領域ＴＳのみ基板処理溶液ＴＬで処理されるものであり、その処理としては、例えば、バンプめっき（絶縁層にビアがあきその底部に顔を出している通電層を起点に、ビアを電解銅／Ｎｉ／半田めっきでボトムアップする）や無電解金めっき（半田ボール搭載ランド）等がある。処理対象基板ＰＢは、例えば、５００×５００ｍｍなどに形成されている。
【００１９】
基板処理溶液ＴＬは、例えば、処理が前述したバンプめっきの場合、硫酸銅／Ｎｉ／半田、などが利用され、電解めっきの場合は、シアン金などが利用される。これら薬液は処理したくない部分に接液するだけで無用な腐食溶解、また無用なめっき膜が付くなど、不具合が発生する。
【００２０】
基板保持部材１１０および溶液保持容器１３０は、耐薬性と剛性とが必要となるため、例えば、ＰＶＣ(polyvinyl chloride)などのエンジニアリングプラスチック等で形成されている。
【００２１】
さらに、本実施の形態の基板処理装置１００は、図１ないし図４に示すように、処理対象基板ＰＢが挿入される挿入口１１２が上面に形成されているとともに基板処理領域ＴＳが露出する開口孔１１１が一面に形成されているボックス状の基板保持部材１１０と、基板保持部材１１０の他面内側に配置されていて挿入された処理対象基板ＰＢを開口孔１１１の外周内面に圧接させる拡縮自在な拡縮部材であるバルーン部材１２１と、処理対象基板ＰＢを他面で支持する基板支持治具１２２と、も有する。
【００２２】
このバルーン部材１２１は、例えば、直径１０ｍｍ×ｔ１のシリコンチューブからなる。バルーン部材１２１は拡張により処理対象基板ＰＢを押圧するとともに、処理対象基板ＰＢが挿入されるときには負圧で収縮される。
【００２３】
このため、バルーン部材１２１は拡縮する特性が要求される。ただし、ここでは拡縮部材としてシリンジチューブからなるバルーン部材１２１を例示するが、このような拡縮部材としてベローズやエアシリンダを利用することもできる(図示せず)。
【００２４】
より具体的には、図２に示すように、溶液保持容器１３０は、上面が開口したボックス状に形成されており、その前方上部に溶液供給機構１４１が配置される。溶液保持容器１３０の下部には、基板処理溶液ＴＬの溶液排出口１４４が形成されており、この溶液排出口１４４から基板処理溶液ＴＬが重力により排出される。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬの流量は、例えば、０．１〜２ｍ／ｓ程度である。
【００２５】
溶液乱流機構１４２は、図１および図２に示すように、水平方向に扁平な複数の溶液吐出口１４３からなり、その複数の溶液吐出口１４３から基板処理溶液ＴＬを処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。
【００２６】
また、基板保持部材１１０は、図２および前面に処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに対応した矩形の開口孔１１１が形成されており、図３に示すように、その後方には矩形の環状のバルーン部材１２１が配置されている。
【００２７】
このバルーン部材１２１には、例えば、柔軟なチューブ部材で空気ポンプが連結されており(図示せず)、正圧により拡張される。なお、この正圧は空気ポンプにより維持されてもよく、チューブ部材の閉鎖により維持されてもよい。
【００２８】
基板保持部材１１０の開口孔１１１の内面外周には、図２および図４に示すように、処理対象基板ＰＢに密着するシール材１２３が装着されている。このシール材１２３は耐薬性が必要なため、例えば、ＥＰＤＭ(Ethylene Propylene Methylene Linkage)やＦＫＭ(Fluorocarbon rubber)などのゴムスポンジからなる。
【００２９】
シール材１２３は、連続気孔では基板処理溶液ＴＬが漏出するので、不連続気孔が必要とされる。また、押し付けてシールするために柔軟性も必要とされる。このため、ゴムシートでは潰れないのでシールとして利用は困難である。
【００３０】
しっかりシールするには、ラップ幅は基板外周最低５ｍｍ程度以上は必要で、ラップ幅が大きいほどシール信頼性は上がるが、基板処理有効面積が狭まるので、小さいのが本来理想である。
【００３１】
基板支持治具１２２は単純に処理対象基板ＰＢを支持するだけの板材からなり、処理対象基板ＰＢの他面を密閉するようなものではない。ただし、バルーン部材１２１に押圧されても破損しない強度は要求される。
【００３２】
上述のような構成において、本実施の形態の基板処理装置１００による処理対象基板ＰＢの処理方法を以下に説明する。まず、図４(ａ)に示すように、処理対象基板ＰＢが基板処理領域ＴＳの一面ＯＦを前方として基板支持治具１２２に装着される。
【００３３】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、この基板支持治具１２２とともに処理対象基板ＰＢが基板保持部材１１０の内部に挿入口１１２から挿入される。このとき、バルーン部材１２１は縮小されているので、処理対象基板ＰＢの挿入は円滑に実行される。
【００３４】
つぎに、図４(ｃ)に示すように、バルーン部材１２１が拡張されることにより、処理対象基板ＰＢが基板保持部材１１０のシール材１２３に密着される。このとき、基板保持部材１１０の開口孔１１１に基板処理領域ＴＳが位置することになる。
【００３５】
そして、上述のように処理対象基板ＰＢがセットされた基板保持部材１１０が、図１および図２に示すように、基板処理溶液ＴＬを収容している溶液保持容器１３０に浸漬される。
【００３６】
すると、基板保持部材１１０の開口孔１１１から処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳのみが基板処理溶液ＴＬで処理されることになる。このような状態で、溶液供給機構１４１から基板処理溶液ＴＬが溶液保持容器１３０に供給され、この基板処理溶液ＴＬは上方から下方に落下して溶液排出口１４４から順次排出される。
【００３７】
このとき、同時に溶液乱流機構１４２の複数の溶液吐出口１４３から基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに圧送される。このため、基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの表面を上方から下方に流動する基板処理溶液ＴＬが、複数の溶液吐出口１４３から吐出される基板処理溶液ＴＬにより乱流となって基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに圧送される。
【００３８】
上述のような処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳの処理が完了すると、上述の作業を反対に実行することで、基板処理領域ＴＳのみ処理された処理対象基板ＰＢを獲得できることになる。
【００３９】
本実施の形態の基板処理装置１００では、上述のように処理対象基板ＰＢが浸漬された溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。
【００４０】
このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。従って、この乱流の基板処理溶液ＴＬにより処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳが迅速に良好に処理されることになる。
【００４１】
特に、溶液乱流機構１４２は複数の溶液吐出口１４３から基板処理溶液ＴＬを吐出するので、基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの表面を上方から下方に流動する基板処理溶液ＴＬが良好に乱流となり、その処理が迅速に良好に実行される。
【００４２】
しかも、本実施の形態の基板処理装置１００では、上述のように処理対象基板ＰＢがセットされた基板保持部材１１０を溶液保持容器１３０に収容されている基板処理領域ＴＳの基板処理溶液ＴＬに浸漬することにより、処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳのみに基板処理溶液ＴＬを供給することができる。このため、処理対象基板ＰＢの一面ＯＦの基板処理領域ＴＳのみを簡単かつ迅速に基板処理溶液ＴＬで処理することができる。
【００４３】
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では溶液保持容器１３０の基板処理溶液ＴＬに浸漬された処理対象基板ＰＢを静止させておくことを想定した。
【００４４】
しかし、このように溶液保持容器１３０の基板処理溶液ＴＬに浸漬された処理対象基板ＰＢを上下方向に揺動させる基板揺動機構(図示せず)を有してもよい。この場合、複数の溶液吐出口１４３の離間による基板処理溶液ＴＬの圧送ムラを揺動により低減することができる。
【００４５】
また、上記形態では基板保持部材１１０に基板処理領域ＴＳに対応した矩形の開口孔１１１が形成されており、その後方に矩形の環状のバルーン部材１２１が配置されていることを例示した。
【００４６】
しかし、このバルーン部材１２１は、処理対象基板ＰＢを基板保持部材１１０の開口孔１１１に圧接させて密着させることができればよく、例えば、一個の大型のバルーン部材や、上下二個のバルーン部材、左右二個のバルーン部材、等でもよい(図示せず)。
【００４７】
また、上記形態ではボックス状の基板保持部材１１０に処理対象基板ＰＢをセットして一面の基板処理領域ＴＳのみを基板処理溶液ＴＬで処理することを例示した。しかし、処理対象基板ＰＢの他面を基板支持治具１２２に密閉させて装着し、この基板支持治具１２２とともに処理対象基板ＰＢを基板処理溶液ＴＬに浸漬させて一面の基板処理領域ＴＳを処理してもよい。
【００４８】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１００ 基板処理装置
１１０ 基板保持部材
１１１ 開口孔
１１２ 挿入口
１２１ バルーン部材
１２２ 基板支持治具
１２３ シール材
１３０ 溶液保持容器
１４１ 溶液供給機構
１４２ 溶液乱流機構
１４３ 溶液吐出口
１４４ 溶液排出口
ＯＦ 一面
ＰＢ 処理対象基板
ＴＬ 基板処理溶液
ＴＳ 基板処理領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板などの処理対象基板を基板処理溶液で処理する基板処理装置に関し、特に、処理対象基板の一面の基板処理領域のみ処理する基板処理装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体回路の製造工程の一つとしてプリント配線基板などの処理対象基板を基板処理溶液で処理することがある。ただし、処理対象基板の一面の基板処理領域のみ処理したい場合には、例えば、処理しない他面を基板支持治具などで密閉し、処理しない基板処理領域の周囲を封止材で封止することになる。
【０００３】
現在、上述のような基板処理装置として各種の提案がある（特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−０５２７０２号公報
【特許文献２】特開２００５−２８６１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述のような従来の基板処理装置では、処理対象基板を基板処理溶液に浸漬しただけなので、実際には基板処理領域を短時間で良好に処理することが困難である。
【０００６】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、処理対象基板の基板処理領域を良好に処理することができる基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、基板処理溶液を収容していて処理対象基板が浸漬される溶液保持容器と、溶液保持容器に基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給する溶液供給機構と、上方から下方に落下する基板処理溶液を処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送する溶液乱流機構と、を有する。
【０００８】
従って、本発明の基板処理装置では、溶液保持容器に収容されている基板処理溶液に処理対象基板が浸漬される。このような溶液保持容器に溶液供給機構が基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液を溶液乱流機構が処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送する。このため、処理対象基板の一面の基板処理領域は基板処理溶液が単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。
【０００９】
また、上述のような基板処理装置において、溶液乱流機構は、複数の溶液吐出口から基板処理溶液を処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送してもよい。
【００１０】
また、上述のような基板処理装置において、溶液保持容器の基板処理溶液に浸漬された処理対象基板を上下方向に揺動させる基板揺動機構を、さらに有してもよい。
【００１１】
また、上述のような基板処理装置において、処理対象基板が挿入される挿入口が上面に形成されているとともに基板処理領域が露出する開口孔が一面に形成されているボックス状の基板保持部材と、基板保持部材の他面内側に配置されていて挿入された処理対象基板を開口孔の外周内面に圧接させる拡縮自在な拡縮部材とを、さらに有してもよい。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、処理対象基板を溶液保持容器に収容されている基板処理溶液に浸漬させ、溶液保持容器に基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給し、上方から下方に落下する基板処理溶液を処理対象基板に圧送する。
【００１３】
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。また、本発明で云う上下方向とは、完全に幾何学的に鉛直である必要はなく、例えば、任意の方向に傾斜していてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の基板処理装置では、処理対象基板の一面の基板処理領域は基板処理溶液が単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。従って、この乱流の基板処理溶液により処理対象基板の一面の基板処理領域が良好に処理されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の内部構造を示す模式的な縦断側面図である。
【図２】基板処理装置を示す模式的な分解斜視図である。
【図３】基板処理装置の構造を示す模式的な正面図である。
【図４】基板処理装置の基板保持部材に処理対象基板をセットする工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の一形態を図面を参照して以下に説明する。なお、本実施の形態では図示するように上下方向以外にも前後左右の方向を規定して説明する。しかし、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定するものである。従って、本発明を実施する製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
【００１７】
本発明の基板処理装置１００は、図１に示すように、基板処理溶液ＴＬを収容していて処理対象基板ＰＢが浸漬される溶液保持容器１３０と、溶液保持容器１３０に基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する溶液供給機構１４１と、上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する溶液乱流機構１４２と、を有する。
【００１８】
処理対象基板ＰＢは、一面ＯＦの基板処理領域ＴＳのみ基板処理溶液ＴＬで処理されるものであり、その処理としては、例えば、バンプめっき（絶縁層にビアがあきその底部に顔を出している通電層を起点に、ビアを電解銅／Ｎｉ／半田めっきでボトムアップする）や無電解金めっき（半田ボール搭載ランド）等がある。処理対象基板ＰＢは、例えば、５００×５００ｍｍなどに形成されている。
【００１９】
基板処理溶液ＴＬは、例えば、処理が前述したバンプめっきの場合、硫酸銅／Ｎｉ／半田、などが利用され、電解めっきの場合は、シアン金などが利用される。これら薬液は処理したくない部分に接液するだけで無用な腐食溶解、また無用なめっき膜が付くなど、不具合が発生する。
【００２０】
基板保持部材１１０および溶液保持容器１３０は、耐薬性と剛性とが必要となるため、例えば、ＰＶＣ(polyvinyl chloride)などのエンジニアリングプラスチック等で形成されている。
【００２１】
さらに、本実施の形態の基板処理装置１００は、図１ないし図４に示すように、処理対象基板ＰＢが挿入される挿入口１１２が上面に形成されているとともに基板処理領域ＴＳが露出する開口孔１１１が一面に形成されているボックス状の基板保持部材１１０と、基板保持部材１１０の他面内側に配置されていて挿入された処理対象基板ＰＢを開口孔１１１の外周内面に圧接させる拡縮自在な拡縮部材であるバルーン部材１２１と、処理対象基板ＰＢを他面で支持する基板支持治具１２２と、も有する。
【００２２】
このバルーン部材１２１は、例えば、直径１０ｍｍ×ｔ１のシリコンチューブからなる。バルーン部材１２１は拡張により処理対象基板ＰＢを押圧するとともに、処理対象基板ＰＢが挿入されるときには負圧で収縮される。
【００２３】
このため、バルーン部材１２１は拡縮する特性が要求される。ただし、ここでは拡縮部材としてシリンジチューブからなるバルーン部材１２１を例示するが、このような拡縮部材としてベローズやエアシリンダを利用することもできる(図示せず)。
【００２４】
より具体的には、図２に示すように、溶液保持容器１３０は、上面が開口したボックス状に形成されており、その前方上部に溶液供給機構１４１が配置される。溶液保持容器１３０の下部には、基板処理溶液ＴＬの溶液排出口１４４が形成されており、この溶液排出口１４４から基板処理溶液ＴＬが重力により排出される。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬの流量は、例えば、０．１〜２ｍ／ｓ程度である。
【００２５】
溶液乱流機構１４２は、図１および図２に示すように、水平方向に扁平な複数の溶液吐出口１４３からなり、その複数の溶液吐出口１４３から基板処理溶液ＴＬを処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。
【００２６】
また、基板保持部材１１０は、図２および前面に処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに対応した矩形の開口孔１１１が形成されており、図３に示すように、その後方には矩形の環状のバルーン部材１２１が配置されている。
【００２７】
このバルーン部材１２１には、例えば、柔軟なチューブ部材で空気ポンプが連結されており(図示せず)、正圧により拡張される。なお、この正圧は空気ポンプにより維持されてもよく、チューブ部材の閉鎖により維持されてもよい。
【００２８】
基板保持部材１１０の開口孔１１１の内面外周には、図２および図４に示すように、処理対象基板ＰＢに密着するシール材１２３が装着されている。このシール材１２３は耐薬性が必要なため、例えば、ＥＰＤＭ(Ethylene Propylene Methylene Linkage)やＦＫＭ(Fluorocarbon rubber)などのゴムスポンジからなる。
【００２９】
シール材１２３は、連続気孔では基板処理溶液ＴＬが漏出するので、不連続気孔が必要とされる。また、押し付けてシールするために柔軟性も必要とされる。このため、ゴムシートでは潰れないのでシールとして利用は困難である。
【００３０】
しっかりシールするには、ラップ幅は基板外周最低５ｍｍ程度以上は必要で、ラップ幅が大きいほどシール信頼性は上がるが、基板処理有効面積が狭まるので、小さいのが本来理想である。
【００３１】
基板支持治具１２２は単純に処理対象基板ＰＢを支持するだけの板材からなり、処理対象基板ＰＢの他面を密閉するようなものではない。ただし、バルーン部材１２１に押圧されても破損しない強度は要求される。
【００３２】
上述のような構成において、本実施の形態の基板処理装置１００による処理対象基板ＰＢの処理方法を以下に説明する。まず、図４(ａ)に示すように、処理対象基板ＰＢが基板処理領域ＴＳの一面ＯＦを前方として基板支持治具１２２に装着される。
【００３３】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、この基板支持治具１２２とともに処理対象基板ＰＢが基板保持部材１１０の内部に挿入口１１２から挿入される。このとき、バルーン部材１２１は縮小されているので、処理対象基板ＰＢの挿入は円滑に実行される。
【００３４】
つぎに、図４(ｃ)に示すように、バルーン部材１２１が拡張されることにより、処理対象基板ＰＢが基板保持部材１１０のシール材１２３に密着される。このとき、基板保持部材１１０の開口孔１１１に基板処理領域ＴＳが位置することになる。
【００３５】
そして、上述のように処理対象基板ＰＢがセットされた基板保持部材１１０が、図１および図２に示すように、基板処理溶液ＴＬを収容している溶液保持容器１３０に浸漬される。
【００３６】
すると、基板保持部材１１０の開口孔１１１から処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳのみが基板処理溶液ＴＬで処理されることになる。このような状態で、溶液供給機構１４１から基板処理溶液ＴＬが溶液保持容器１３０に供給され、この基板処理溶液ＴＬは上方から下方に落下して溶液排出口１４４から順次排出される。
【００３７】
このとき、同時に溶液乱流機構１４２の複数の溶液吐出口１４３から基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに圧送される。このため、基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの表面を上方から下方に流動する基板処理溶液ＴＬが、複数の溶液吐出口１４３から吐出される基板処理溶液ＴＬにより乱流となって基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに圧送される。
【００３８】
上述のような処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳの処理が完了すると、上述の作業を反対に実行することで、基板処理領域ＴＳのみ処理された処理対象基板ＰＢを獲得できることになる。
【００３９】
本実施の形態の基板処理装置１００では、上述のように処理対象基板ＰＢが浸漬された溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。
【００４０】
このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。従って、この乱流の基板処理溶液ＴＬにより処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳが迅速に良好に処理されることになる。
【００４１】
特に、溶液乱流機構１４２は複数の溶液吐出口１４３から基板処理溶液ＴＬを吐出するので、基板処理溶液ＴＬが処理対象基板ＰＢの表面を上方から下方に流動する基板処理溶液ＴＬが良好に乱流となり、その処理が迅速に良好に実行される。
【００４２】
しかも、本実施の形態の基板処理装置１００では、上述のように処理対象基板ＰＢがセットされた基板保持部材１１０を溶液保持容器１３０に収容されている基板処理領域ＴＳの基板処理溶液ＴＬに浸漬することにより、処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳのみに基板処理溶液ＴＬを供給することができる。このため、処理対象基板ＰＢの一面ＯＦの基板処理領域ＴＳのみを簡単かつ迅速に基板処理溶液ＴＬで処理することができる。
【００４３】
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では溶液保持容器１３０の基板処理溶液ＴＬに浸漬された処理対象基板ＰＢを静止させておくことを想定した。
【００４４】
しかし、このように溶液保持容器１３０の基板処理溶液ＴＬに浸漬された処理対象基板ＰＢを上下方向に揺動させる基板揺動機構(図示せず)を有してもよい。この場合、複数の溶液吐出口１４３の離間による基板処理溶液ＴＬの圧送ムラを揺動により低減することができる。
【００４５】
また、上記形態では基板保持部材１１０に基板処理領域ＴＳに対応した矩形の開口孔１１１が形成されており、その後方に矩形の環状のバルーン部材１２１が配置されていることを例示した。
【００４６】
しかし、このバルーン部材１２１は、処理対象基板ＰＢを基板保持部材１１０の開口孔１１１に圧接させて密着させることができればよく、例えば、一個の大型のバルーン部材や、上下二個のバルーン部材、左右二個のバルーン部材、等でもよい(図示せず)。
【００４７】
また、上記形態ではボックス状の基板保持部材１１０に処理対象基板ＰＢをセットして一面の基板処理領域ＴＳのみを基板処理溶液ＴＬで処理することを例示した。しかし、処理対象基板ＰＢの他面を基板支持治具１２２に密閉させて装着し、この基板支持治具１２２とともに処理対象基板ＰＢを基板処理溶液ＴＬに浸漬させて一面の基板処理領域ＴＳを処理してもよい。
【００４８】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１００ 基板処理装置
１１０ 基板保持部材
１１１ 開口孔
１１２ 挿入口
１２１ バルーン部材
１２２ 基板支持治具
１２３ シール材
１３０ 溶液保持容器
１４１ 溶液供給機構
１４２ 溶液乱流機構
１４３ 溶液吐出口
１４４ 溶液排出口
ＯＦ 一面
ＰＢ 処理対象基板
ＴＬ 基板処理溶液
ＴＳ 基板処理領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理溶液を収容していて処理対象基板が浸漬される溶液保持容器と、
前記溶液保持容器に前記基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給する溶液供給機構と、
上方から下方に落下する前記基板処理溶液を前記処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送する溶液乱流機構と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記溶液乱流機構は、複数の溶液吐出口から前記基板処理溶液を前記処理対象基板の一面の前記基板処理領域に圧送する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記溶液保持容器の前記基板処理溶液に浸漬された前記処理対象基板を上下方向に揺動させる基板揺動機構を、さらに有する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理対象基板が挿入される挿入口が上面に形成されているとともに前記基板処理領域が露出する開口孔が一面に形成されているボックス状の基板保持部材と、
前記基板保持部材の他面内側に配置されていて挿入された前記処理対象基板を前記開口孔の外周内面に圧接させる拡縮自在な拡縮部材と、
を有する請求項１ないし３の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理対象基板を溶液保持容器に収容されている基板処理溶液に浸漬させ、
前記溶液保持容器に前記基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給し、
上方から下方に落下する前記基板処理溶液を前記処理対象基板に圧送する、基板処理方法。
【請求項１】
基板処理溶液を収容していて処理対象基板が浸漬される溶液保持容器と、
前記溶液保持容器に前記基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給する溶液供給機構と、
上方から下方に落下する前記基板処理溶液を前記処理対象基板の一面の基板処理領域に圧送する溶液乱流機構と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記溶液乱流機構は、複数の溶液吐出口から前記基板処理溶液を前記処理対象基板の一面の前記基板処理領域に圧送する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記溶液保持容器の前記基板処理溶液に浸漬された前記処理対象基板を上下方向に揺動させる基板揺動機構を、さらに有する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理対象基板が挿入される挿入口が上面に形成されているとともに前記基板処理領域が露出する開口孔が一面に形成されているボックス状の基板保持部材と、
前記基板保持部材の他面内側に配置されていて挿入された前記処理対象基板を前記開口孔の外周内面に圧接させる拡縮自在な拡縮部材と、
を有する請求項１ないし３の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理対象基板を溶液保持容器に収容されている基板処理溶液に浸漬させ、
前記溶液保持容器に前記基板処理溶液を上方から下方に落下させて順次供給し、
上方から下方に落下する前記基板処理溶液を前記処理対象基板に圧送する、基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−８２４４７（Ｐ２０１２−８２４４７Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２７１２０（Ｐ２０１０−２２７１２０）
【出願日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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