【課題】電気めっきにより円板上にめっき層を形成する方法において、簡便な装置を用いて円板上のめっき膜厚の面内均一性を可能にし、かつ両面８枚同時にめっきする方法を提供する。
【解決手段】円板上の外周部から給電リングにより、給電する給電冶具をカソード電極１とし、その両側に対向させてアノード電極３を配置し、カソード電極１とアノード電極３の両者に平行に円形の孔を持つ電流遮蔽板２を配置し、攪拌ノズル４により、給電冶具上にめっき液を均一な流速に流しながらめっきを行い、かつ給電リングは一部分を開放し、補助カソード機能を兼ね備えた。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した非貫通穴をめっき法により導体で埋める際の処理時間を大幅に短縮でき、半導体装置の製造コストを削減できる基板処理方法、半導体装置及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗに非貫通穴１００を形成し、非貫通穴１００内部にめっき法により導体（めっき膜１０５）を充填する基板処理方法である。めっき液Ｑに固体粒子１０３を含有する。このメッキ液Ｑで電解めっきを行なうと、めっき膜１０５の成膜と同時に固体粒子１０３がめっき膜１０５中に取り込まれ、めっき膜１０５の体積が嵩上げされる。 （もっと読む）

【課題】 メッキラインで使用するメッキ治具内の電子回路基板のメッキ厚をほぼ均一にし、メッキ不良品の製造を防止する。
【解決手段】 メッキすべき電子回路基板をメッキ治具２３に取り付けて保持し、前記メッキ治具２３をメッキラインのメッキ治具搬送装置２１へ取り付けた後、このメッキラインにて前記メッキ治具２３内の電子回路基板の抵抗値を測定し、この測定された測定値が予め設定された抵抗設定値以下のときはメッキ処理を行い、一方、前記測定値が前記抵抗設定値より大きいときは前記メッキ治具２３をメッキラインから除外することを特徴とする。 （もっと読む）

金属フォームを製造するための、めっきの際にフォームを傾斜させることにより、電気めっきしているフォームを通る電解質の自然対流を最適化することが関与する、改良された装置および方法を提供する。フォームを通る電解質の斜めの流れにより、フォーム内部における電解質の交換が強化され、電気めっき効率が向上する。電流密度を上側めっき区域から下側めっき区域に向けて変化させることにより、めっき効率がさらに増加する。
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【課題】 細くて長い有底筒体でも、確実に内面に均一にメッキをすることができるメッキ方法およびメッキ装置を提供し、細長くて底面の内面にも厚いメッキ被膜が形成されたハイブリッド車用電池缶を得られるようにする。
【解決手段】 被メッキ物１０の開口部１０ａ側から陰極を兼ねた保持具１３の一端部を挿入して被メッキ物１０の内面に接触させて被メッキ物１０を保持し、保持具１３の他端部を回転自在に支持して保持具１３の一端部を回動運動させることにより、被メッキ物１０をメッキ槽１１内で開口部１０ａを上にしてメッキ液１４に浸漬する位置Ａおよびメッキ槽１４の外で被メッキ物１０の開口部１０ａが底部１０ｂより低くなる位置Ｂまでの間を往復運動させ、被メッキ物１０のメッキ液１４への浸漬と被メッキ物１０内のメッキ液の排出とを繰り返しながらメッキを行う。 （もっと読む）

【課題】ワークの電流密度を均一にすること、電流密度を高くすることができ、めっき槽を長くして１槽とすることができ、めっき槽を極端に長くした場合にもワークに皺を生ずることのない長尺シートのめっき装置を提供する。
【解決手段】ワーク供給装置とワーク巻き取り装置との間に前処理槽、めっき槽、後処理槽等の処理槽を配置して構成し、処理槽の上部に多数のクランパー１７、１７によりワークの上端を挾持して給電しながら搬送する搬送装置を設け、該搬送装置によるワークの搬送速度をワーク巻き取り装置２によるワークの搬送速度と同期させ、めっき槽４のワーク出口側に２個一組のシールローラー６、６からなる液漏れ防止装置を設け、シールローラー６、６をワーク面に平行な面内で垂直方向に対してシールローラー６、６の上端がワークの進行方向の前方寄りになる方向に僅かに傾斜させた。 （もっと読む）

【課題】電子部品のリード部分を挿入する位置決め部材を必要とせず、電子部品を容易に陰極へ装着でき、また容易に陰極から離脱でき、加えて電子部品の一部分のみにめっきを施すことが可能なめっき用搬送治具及びめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき用搬送治具１０の上に、陰極２４と、電子部品１を着脱自在に設けられた磁界発生手段２８を有し、前記磁界発生手段２８によって前記電子部品１を陰極２４に吸着および離脱し、電解処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。
【解決手段】 めっき槽１内において、アノード電極７と半導体ウエハ９との間にはめっき液流入兼整流構成体１０が垂直に配置されている。めっき液流入兼整流構成体１０は、貫通孔１６およびめっき液流入孔１７を有するめっき液流入板１２の両面に多数の微小孔を有する第１、第２の整流板１３、１４が設けられ、第１の整流板１３の外面に貫通孔２３を有する電場遮蔽板１５が設けられた構造となっている。そして、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は、第１の整流板１３の微小孔を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出され、半導体ウエハ９の表面に当接される。なお、めっき槽１を密閉構造とし、水平にして複数積層するようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板を搬送するときに、電子回路基板にたるみ、張り、シワ、折れが発生しないで搬送する。
【解決手段】連続した電子回路基板３を垂下せしめてこの電子回路基板３の一側をクランプする複数のクランパ２５と、この複数のクランパ２５を搬送方向に移動せしめる駆動装置２３と、前記複数のクランパ２５で前記電子回路基板３をクランプして搬送し、この電子回路基板３にメッキを施すメッキ槽７と、を備えてなる電子回路基板の製造装置１において、前記複数の各クランパ２５が、前記駆動装置２３に移動されるクランプベース部２９と、前記電子回路基板３の一側をクランプするクランプ部３３であって、前記クランプベース部２９の下部に前記電子回路基板３の搬送方向及び垂直方向に対して可撓性を与える可撓性機構を介して設けたクランプ部３３と、で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微小径化した細管内壁へのめっき方法並びに不溶性超微粒子やＵＤＤ等を分散させた複合めっき方法を提供する。
【解決手段】 細管におけるめっき液の入口開口部とめっき液の流動方向とを対向配置し、めっき液を細管の内側に強制流入させることにより細管の内側と外側とに存在するそれぞれのめっき液濃度を同等に保ち、細管内壁へのめっき皮膜を形成する。本発明によれば細管内壁への正常で均一なめっき及び複合めっき被膜の形成を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】シールパッキンの締め付け作業が容易で且つシールパッキンの外周近傍に均一に締め付け力を作用させることができる半導体ウエハのメッキ治具を提供する。
【解決手段】半導体ウエハのメッキ治具110は第１保持部材111と第２保持部材112と係止部114bを有する固定リング114とを具備する。第１保持部材111と第２保持部材112との間に半導体ウエハ116を着脱可能に保持することができる。第１保持部材111及び第２保持部材112の何れかには、固定リング114の係止部114bに係脱可能に係止することができる被係止部120が設けられている。固定リング114が固定位置にある場合には固定リング114の係止部114bと被係止部120とが係脱可能に係止することにより第１保持部材111及び第２保持部材112が固定される。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにする。
【解決手段】配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するめっき装置であって、基板カセットを置くカセットテーブル１２と、基板に対して濡れ性を良くするためのプリウェット処理を施すプリウェット槽２６と、該プリウェット槽でプリウェット処理を施した基板にめっきを施すめっき槽３４と、めっきされた基板を洗浄する洗浄装置３０ｂと、洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置３２と、めっき液の成分を分析し、この分析結果に基づいてめっき液に成分を追加するめっき液管理装置と、基板を搬送する基板搬送装置４０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板をメッキ槽から次工程へ搬送する際に、電子回路基板から垂れ落ちるメッキ液がメッキ槽の給電部へ液垂れすることを防止する装置の提供。
【解決手段】 メッキ装置１は、メッキすべき電子回路基板を保持するメッキ治具３３をメッキ槽９内へ投入及び引き上げるための治具上下動装置２７を備えると共に前記メッキ治具３３をメッキ槽９へ搬送するメッキ治具搬送装置２１と、前記メッキ槽９から引き上げられたメッキ治具３３から垂れ落ちるメッキ液を収容するメッキ液受け皿９５であって、前記メッキ治具３３がメッキ槽９内へ投入及び引き上げられる時にこの位置から外れた位置に待機する待機位置と前記メッキ槽９から引き上げられたメッキ治具３３の下方位置とを移動自在に設け、かつ、前記メッキ治具３３が搬出される時に前記メッキ治具３３の下方位置に位置して追従可能に設けたメッキ液受け皿９５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板を保持するメッキ治具をメッキ槽内へ投入し、前記電子回路基板にメッキを行うための給電シャフト及びその関連部材の腐食を防止する装置の提供。
【解決手段】メッキすべき電子回路基板３１を保持すると共に前記電子回路基板３１に導通する電極端子部４１を備えているメッキ治具３３がメッキ槽９へ投入され、前記メッキ治具３３の電子回路基板３１にメッキを行うメッキ装置１において、前記メッキ槽９内へ投入されたメッキ治具３３の前記電極端子部４１に接触及び離反すべく進退自在に設けた給電シャフト７３と、この給電シャフト７３の進退方向に直交する方向の両側から前記給電シャフト７３に向けてエアを噴射するエア吹出し装置９５と、を備えていることを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】めっき発生核やめっき粒の微細化を図ることで緻密なめっき膜を形成でき、微細化が進む基板上の配線形成に対応することが可能な電解めっき方法及び電解めっき装置を提供する。
【解決手段】表面に微細凹部が形成された被めっき基板２０をめっき液１０中に浸漬させて金属めっき膜を成膜する電解めっき方法において、めっき処理槽１１内のめっき液１０を、めっき液循環配管３１に循環させながら冷却器３３でその液温が溶媒の凝固点以上１５℃未満になるように冷却し、その状態で金属めっき膜の成膜を行うことで、被めっき基板１０の微細凹部内に緻密でボイドの少ない金属配線材料を埋め込むことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハとメッキ成膜用電極との導通を確保する。
【解決手段】ウェハ固定用穴１ａの側壁部分１ｂから突出する１点の電極端子部４ａに半導体ウェハ１０を固定する。このとき、電極側スライダ６に半導体ウェハ１０を接触させた状態で半導体ウェハ１０を仮固定し、ウェハ固定用穴１ａの側壁部分１ｂに半導体ウェハ１０の端面が接触しないようにする。その後で、電極側スライダ６を半導体ウェハ１０の端面に接触しないように離間移動させて、半導体ウェハ１０を本固定する。仮固定時に半導体ウェハ１０と電極側スライダ６との間に摩擦が発生して半導体ウェハ１０にしなりが発生しても、本固定時には、電極側スライダ６との摩擦が開放されるため、半導体ウェハ１０のしなりも開放されて、ウェハ押さえ部２のウェハ固定用ボルト２ａを増し締めする。 （もっと読む）

【課題】小型電子部品のめっき加工において、めっき処理量を増大することができるバレルめっき装置等を提供する。
【解決手段】バレルめっき装置１は、支持手段７によって回転可能に支持されたバレル３と、バレル３内に位置した支持体１１の円盤状端部４３に固定され、片持ち態様で支持されてバレル内に延出し、被めっき物に通電する通電端子５とを備える。通電端子５を、バレルの回転軸ＣＬから偏心した位置から延長させることによってバレル３に入れる被めっき物の分量が増加する。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いずに半導体ウエーハ表面を電気研磨する装置および方法、および電気めっきする装置、方法を提供する。
【解決手段】電気研磨の場合、ａ）ウェーハ上の金属薄膜の所望の厚さを決定すること、ｂ）ウェーハ上の金属薄膜の一部分を除去すること、ｃ）金属薄膜の厚さを反射率によって測定すること、ｄ）金属薄膜の厚さが所望の厚さよりも大きい場合に、所望の厚さが測定されるまで、ｂ）、ｃ）、ｄ）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのための電気研磨および／または電気めっきプロセスの例示的な装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハ（９０１）の斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリ（９３０）を有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）