【課題】比較的簡単な構成で、めっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高め、めっき膜の埋込み等をより短時間で確実に行うことができるようにする。
【解決手段】めっき槽の内部に該めっき槽内のめっき液に浸漬されるように配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽内にめっき液を供給する複数のめっき液噴射ノズル４０６を有するノズル配管４００を備え、該ノズル配管４００は、縦パイプ４０２と横パイプ４０４とを格子状に組んで構成され、ホルダで保持してめっき槽内にめっき液に浸漬させて配置される被めっき材の被めっき面と平行に横方向及び／または縦方向に移動自在に構成されている。 （もっと読む）

【課題】有害物質の溶出を抑えつつ、摺動性とシール性とを両立させながら耐摩耗性を向上させ、耐塩素性や耐脱亜鉛腐食性を向上させたボールバルブ用ボールとそのめっき処置方法並びにボールバルブを提供する。
【解決手段】このボールバルブ用ボールは、銅又は銅合金製のボール弁体の素地２の被覆面３に、０．５μｍ＜膜厚≦３μｍとしたＳｎＮｉ合金めっき層４を設けられている。ボールバルブ用ボールのめっき処理方法は、ボール弁体を治具に取付け、このボール弁体をＳｎＮｉ合金めっき処理液を収容した容器内に浸漬させ、次いで、当該ボール弁体とめっき処理液に通電してボール弁体の素地の被覆面にＳｎＮｉ合金めっき処理を施すようにする。ボールバルブは、流入口と流出口を有するボデー内にＳｎＮｉ合金めっき処理を施したボール弁体をボールシートを介して内蔵し、このボール弁体をステムを介して回動自在に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】人手を要しなくても陰極棒の接触位置が変更されて円筒袋状ワークの表面に接点跡が残ることのないめっき処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る筒袋状ワークのめっき処理用治具１は、円筒袋状ワークＷの内方に差し入れられ円筒袋状ワークの軸心方向を回転軸として回転可能な陰電極２１を有し、陰電極は、円筒袋状ワークの内面に当接することにより円筒袋状ワークを保持して円筒袋状ワークを回転可能に形成され、かつ円筒袋状ワークを保持したときに円筒袋状ワークを常に陰極とするための接点部３４を有する。 （もっと読む）

太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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【課題】 本発明の目的は、めっき表面に生じる凹凸をなくし平滑な表面を有する電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、球体からなるコアボールを用意し、次いで前記コアボールを包囲するようにはんだめっき層を形成して複合体とし、次いで前記はんだめっき層の表面を平滑化加工する電子部品用複合ボールの製造方法であり、前記平滑化加工は、前記はんだめっき層の表面にメディアを接触させて行なうことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド（ＰＡＩ）コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）コーティング７１２が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および／または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜厚によらず、めっき膜の膜厚分布の均一性を向上する。
【解決手段】半導体装置製造装置は、基板保持部８と、給電部３と、アノード６と、複数の誘電体１３とを具備する。基板保持部８は、カソード５有する基板２０を保持可能である。給電部３は、カソード５の周辺部に電力を供給する。アノード６は、カソード５と対向する位置に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５とアノード６との間に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５表面に平行な平面に複数の誘電体１３を射影したとき、射影のパターンが平面内で略均一であり、射影の面積が可変であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトピンと電極板との間の通電不良を防ぐことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、通電可能な凹状電極板２００と、上下可動に支持され、凹状電極板２００と通電するコンタクトピン１９０と、コンタクトピン１９０が下に移動して挿通する上面開口を有し、凹状電極板２００の上に形成された、液体を溜める凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき時の基体の反りを抑制し基体の汚れを有効に除去するめっき装置およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置は、めっき層を形成すべき基体を保持する保持板１２と、前記基体１０にめっき液２２を供給するめっき液供給部５０と、前記基体１０のめっきを行う第１の面３６に対向する第２の面３８を、前記めっき液２２よりも高い温度に加熱する加熱手段１８とを具備し、前記基体の表面にめっき層を形成する。 （もっと読む）

本明細書に記載される実施形態は、一般に、電気化学電池またはキャパシタ用の電極構造に関し、特に、寿命がより長く、製造コストがより低く、プロセス性能が改良された、信頼性が高く費用対効果が高い電気化学電池またはキャパシタ用の３Ｄ電極ナノ構造を製造するための装置および方法に関する。
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【課題】比較的簡単な構成で、めっき速度を高め、しかもめっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにする。
【解決手段】めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、該めっき槽１８６内のめっき液１８８中に浸漬されて被めっき材Ｗの被めっき面と対向する位置に配置され、被めっき材Ｗの被めっき面と平行に往復運動してめっき液１８８を攪拌する攪拌翼２３４を備えた攪拌機構２３６とを有し、攪拌翼２３４の少なくとも１辺には凹凸２３４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】微小部分に対してめっき処理を行う場合であっても、耐久性に優れ、精度良くかつ効率良く行なうめっき処理を行うめっき装置を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき装置１０は、電極１２と、電極１２の外側に巻かれた吸湿性繊維層の第１の層１６ａと多数の含浸穴１７が表面に設けられた第２の層１６ｂと、めっき液Ｍを貯液するめっき液貯液部１８と、めっき液貯液部１８に貯液されためっき液Ｍが第２の接触面Ｓ２〜Ｓ４を介して吸収され第１の接触面Ｓ１から含浸穴１７に供給されるめっき液供給部２０とを備える。そして電極上に、ワークの対象箇所を精度良く配置する為のワーク位置決め部によりワークＷを精度良く配置した後、ワークＷに陰極がかけられ、電極１２には陽極がかけられた状態で、駆動部１４によって電極１２が回転されながら、含浸穴１７に含浸されためっき液Ｍで、ワークＷの対象箇所Ｔにめっきされる。 （もっと読む）

【課題】１６０℃の大気中で長時間保持した後の接触抵抗の上昇が少ない耐熱性に優れた導電材及び該導電材を効率よく製造する方法の提供。
【解決手段】素材上に少なくともＳｎ層を形成するＳｎ層形成工程と、前記Ｓｎ層をウエットブラスト処理するウエットブラスト処理工程とを含む導電材の製造方法である。該Ｓｎ層がめっきにより形成される態様、素材側から順にＮｉ層、Ｃｕ層、及びＳｎ層をめっきにより形成する態様、Ｓｎ層形成工程とウエットブラスト処理工程の間において、該Ｓｎ層形成工程により形成された層にリフロー処理を行うリフロー処理工程を含む態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。
【解決手段】シリンダブロックのシリンダにおけるシリンダ内周面のクランクケース面側端部をシール治具１３によりシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極１２の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、電極１２と、この電極を支持する電極支持部２０と、これらの電極及び電極支持部と共に処理液のための流路を形成する流路構成ブロック６６とが一体化されて、電極をシリンダ内へ挿入または退出するよう電極用シリンダ１７によって移動可能に構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法を単純化してそのコストを減少させる。
【解決手段】本発明は、電気めっきにより被膜を工作物に被着させる装置及び方法に関する。電解質液（５）で満たされるのに適した容器（４）が提供され、アノード形成導体手段（６）が容器（４）内に配置されると共に電流発生器（１０）に接続され、カソード形成工作物（１）がろくろ（３）のマンドレル（２）に取り付けられ、容器をろくろに対して案内すると共に移動させる案内・移動手段が設けられ、案内・移動手段により、工作物を電解質液内に全体的に又は部分的に浸漬させることができる。 （もっと読む）

【課題】基材上に一定の厚さの均質な電析層を形成する。
【解決手段】電析装置１は、参照電極３２と樹脂フィルム９の導電層との間に電圧を付与して主面９１上に電析層を形成しつつ導電層に流れる電流を検出する電源部３と、主面９１における電析対象部を分割した複数の分割領域に向けて電析液を吐出する複数の吐出部４とを備える。電析層の形成の際に、検出電流の値が異常となる場合に、吐出流量を正常流量から変更する吐出部を複数の吐出部４において順に切り替えつつ検出電流の変化を監視することにより、対応する分割領域における電析層の成長が正常処理時と相違する吐出部４が特定吐出部として特定される。特定吐出部４からの電析液の吐出流量を正常流量から変更することにより、特定吐出部４に対応する分割領域における電析層の成長を正常処理時におけるものに近似させることができ、樹脂フィルム９上に一定の厚さの均質な電析層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】例えばルテニウム膜をシード層として該ルテニウム膜の表面にダイレクトめっきを行うのに先立って、たとえ３００ｍｍウェーハ等の大型の高抵抗基板であっても、ルテニウム膜表面の不動態層を確実に除去することで、その後のめっき時におけるターミナルエフェクトを改善し、しかも、めっき膜の膜質を改善し、微細配線パターンの内部にボイドのないめっき膜を埋込むことができる電解処理装置及び電解方法を提供する。
【解決手段】貴金属または高融点金属からなるシード層を有する基板Ｗの該シード層と対向する位置に配置されるアノード５２と、電解液６２で満たされた基板Ｗとアノード５２との間に、内部に電解液を含浸させて配置される多孔質体４６と、シード層表面の電場を制御してシード層表面に形成された不動態層を電解処理により電気化学的に除去する制御部５８を有する。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】内部にめっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の内部のめっき液Ｑに浸漬される位置に鉛直に配置されるアノード２２０と、基板Ｗを保持してアノード２２０と対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽Ｑの外方に配置され、基板ホルダ２６で保持してアノード２２０と対峙した位置に位置させた基板Ｗの周囲に磁界を発生させる磁界発生装置１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】通電電極を下地電極に接続する際のウエハに対する物理的ストレス軽減するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明によるめっき装置は、半導体基板３１上の下地電極層に密着可能な開口部２２０を有するカバー２２と、下地電極層上の絶縁膜３３を溶解する溶剤をカバー２２によって覆われた領域に供給し、カバー２２によって覆われた下地電極３２上の絶縁膜３３を除去する溶剤供給部４０と、絶縁膜３３が除去されることで露出した下地電極３２に、開口部２２０を介して当接する通電電極２１とを具備する。 （もっと読む）