本発明は、全般的に、プラズマスパッタリングの分野における欠陥処理システムに関し、特に、スパッタリングシステムにおいて用いられる電力発生器の制御動作のための欠陥処理システムおよび方法に関する。欠陥処理アルゴリズムは、電力発生器の動作に影響するための少なくとも１つのコマンド信号を生成するために、一期間内においてスパッタリングシステムからの複数の欠陥状態信号を処理する。欠陥処理アルゴリズムは、複数の欠陥状態信号タイプに対する応答として４つまでのコマンド信号を生成可能であり、そのコマンド信号は、システム出力無効化、電力ブロック出力無効化、出力イネーブル防止、および出力駆動ロールバックを含む。 （もっと読む）

本発明の１つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるＲＦコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、ＲＦコイルを支持するのに使用されてもよい。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）