【課題】低抵抗の浅いｐｎ接合を実現すること。
【解決手段】ガス導入２６からＩ（沃素）をアークチャンバー２１内に導入し、アークチャンバー２１の内壁に設置されたＧｅＦ₂ を含む材料板３０を、Ｉによって物理的および化学的にエッチングし、ＧｅＦ₂ イオンを発生させ、このＧｅＦ₂ イオンをｎ型半導体基板の表面に注入し、その後試料内のＧｅＦ₂ を活性化するための熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ表面上を照射するイオンビームに対して最適かつ均一な電子量を供給できるようにして、ウエハ表面でのチャージアップの問題を解消する。
【解決手段】 中和装置は、走査イオンビーム６が紙面の表から裏へ通過する中空部５ａを有するリフレクター５と、リフレクター５の電子導入口５ｂ付近から電子４を供給するアークチャンバー３と、軸２を介してアークチャンバー３を上下移動させるための駆動装置１と、イオンビームの電荷量を測定するためのファラデー箱１１と、電流計１０₁〜１０₃を介して電源１２に接続される電極８₁〜８₃とから構成される。イオン注入の準備段階にて、イオンビームをファラデー箱１１側を通過させ、その電荷量を計測する。その計測値に見合う電流が電流計１０₁〜１０₃に流れるようにチャンバー３の位置を調整する。イオンビームをリフレクター５側を通過させイオン注入を行う。 （もっと読む）