【課題】反応炉内の実際の反応条件下におけるＳＯＩウェーハの真の表面温度及び温度均一性を正確に求めることができるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法及びそれを用いた反応炉の温度管理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求める方法であって、少なくとも、イオン注入により不純物注入層が形成された拡散用ＳＯＩウェーハを、ランプ加熱型の気相成長装置における反応炉内で熱処理する工程と、該熱処理された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を測定する工程とを有し、該測定された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を用いて、予め求めた熱処理後の拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗と熱処理温度とのキャリブレーションカーブから、前記拡散用ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求めるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すれば良い。具体的には、酸化物半導体層にハロゲン元素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すれば良い。ハロゲン元素としては、フッ素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】内部に球状のシリコンナノ結晶が点在する、発光材料として利用可能なシリコンナノワイヤを提供する。
【解決手段】該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにＯ^２＋イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバとポンプとの間のバルブや導管に起因するコンダクタンス損失を低減または解消し、かつ、ポンプをプロセスチャンバのプロセス空間に流入する気体分子の気体分子源に対して最適な位置に配置することができるプロセスチャンバシステムを提供する。
【解決手段】本発明のプロセスチャンバシステム５００は、プロセス空間５１４を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに着脱可能に取り付けられた複数の冷凍機５０２と、冷凍機５０２に着脱可能に取り付けられた複数のアレイ５０４とを備える。冷凍機５０２とアレイ５０４とがプロセスチャンバ内に延在して、プロセス空間５１４内に排気面を形成している。この排気面は、プロセス空間に連通する気体分子源の近傍に配置され得る。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微粒子による汚染を減少させることのできる基板ホルダを提供することである。
【解決手段】本発明は、基板支持体と、第１の位置においては支持体上に配置された基板と係合し、別の位置においては基板から離れて配置されるように構成された可動クリッピング手段と、クリッピング手段を第２の位置から第１の位置へ動かすための位置決め手段とを備えた基板ホルダに関する。基板が支持体上に配置されていないときにクリッピング手段と支持体との接触を防止するために、弾性停止要素が使用され、この弾性停止要素は、クリッピング手段の運動を制限する。さらに本発明は、これらの基板ホルダおよびクリッピング装置を使用したクリッピング装置およびイオン注入装置に関する。 （もっと読む）

ここに開示されたいくつかの技術は、分子ビーム部品から残留物を清浄することを促進する。例えば、典型的な方法では、分子ビームは、ビーム通路に沿って供給され、分子ビーム部品において残留物を増加させる。その残留物を減少させるために、分子ビーム部品は、フッ化炭化水素プラズマにさらされる。フッ化炭化水素プラズマへの接触は、第１の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて終了し、第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示している。他の方法およびシステムについても開示されている。
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例えば、Ｂ２Ｆ４またはその他のＢＦ３の代替物といったホウ素ソース材料を使用して、アークチャンバ熱生成によるドーパントガスの加熱および分解を抑制するために、ドーパントガス供給ラインにおいてドーパントガスの冷却を提供する、イオン注入システムシステムおよび方法。イオン注入システムの効率的な動作を達成するために、多様なアークチャンバ熱管理構成が、プラズマ特性の変形、特定の流れ構成、洗浄プロセス、電力管理、平衡シフト、抽出光学系の最適化、流路における堆積の検出およびソース寿命最適化と共に記載される。 （もっと読む）

本発明は、１つには、半導体及びマイクロエレクトロニクス製造で使用されるイオン注入装置のイオン源構成要素を洗浄するための方法に関する。イオン源構成要素は、イオン化チャンバと、イオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素とを含む。イオン化チャンバの内面、及び／又はイオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素には、例えばカルボランＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２といったドーパント・ガス中に含有される元素の少なくともいくらかの堆積物が付着している。この方法は、洗浄ガスをイオン化チャンバに導入するステップと、イオン化チャンバの内面から及び／又はイオン化チャンバ内に含まれる１つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で洗浄ガスを堆積物と反応させるステップとを含む。洗浄ガスは、Ｆ_２と、希ガス及び／又は窒素から選択される１つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのＯ_２との混合物、或いは酸素／フッ素含有ガスと、希ガス及び／又は窒素から選択される１つ又は複数の不活性ガスとの混合物である。堆積物は、イオン注入装置の正常な動作に悪影響を及ぼし、ダウンタイムを頻繁にもたらし、ツール稼働時間を減少させる。
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【課題】エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン基板の主表面にイオン注入法によって不純物を注入して第１素子分離不純物埋込層を形成する第１素子分離不純物注入工程Ｓ２と、前記第１素子分離不純物注入工程Ｓ２を経たシリコン基板にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ３と、を備え、第１素子分離不純物注入工程Ｓ２におけるイオン注入時のエネルギーが１００〜２００ｋｅＶであり、かつ第１素子分離不純物注入工程Ｓ２とエピタキシャル層形成工程Ｓ３との間に実質的に熱処理を行なわないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置および光学素子成形型の製造方法において、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるようにする。
【解決手段】ターゲット６とアノード電極とを有し、アーク放電によるプラズマ８を放出するプラズマ放出部１０と、プラズマ８を偏向させて光学素子成形用型母材１１の表面に輸送する偏向部１３と、ターゲット６の表面から光学素子成形用型母材１１に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽板２０とを備え、アノード電極は、複数の円弧状導電体が、ターゲット６の軸方向回りに周回するように配置され、ターゲット６を挟んで光学素子成形用型母材１１と反対側に円弧状導電体の各開口が配置された周回電極部と、周回電極部に電流を供給する配線部と、を備えるプラズマ処理装置１を用いる。 （もっと読む）

【課題】 切刃に断続的に衝撃がかかる切削条件においても被覆層のチッピングや剥離を抑制できる切削工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面が被覆層で被覆され、すくい面と逃げ面との交差稜線部を切刃とする切削工具であって、前記逃げ面における前記基体の表面に深さ０．５μｍ以内の窒素、炭素、硼素、珪素およびチタンの群から選ばれる１種以上の元素が多い基体表面冨化領域１１が存在し、すくい面における前記基体の表面には前記基体表面冨化領域が存在しないとともに、前記逃げ面における前記被覆層の厚みが前記すくい面における前記被覆層の厚みよりも１．２〜３倍厚いスローアウェイチップ１である。 （もっと読む）

イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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この方法は、プラズマドーピング、プラズマ堆積およびプラズマエッチング技術においてプラズマ組成を調整するために用いられる。開示された方法は、プラズマ中の電子エネルギー分布を改良することによりプラズマ組成を制御する。超高速電圧パルスによりプラズマ中で電子を加速することで、高エネルギー電子がプラズマ中で生成される。パルスは、電子に影響する程度には長時間だが、イオンに大きな影響を与えるには早すぎる。高エネルギー電子およびプラズマ構成物質の衝突の結果、プラズマ組成が変化する。プラズマ組成は、使用される特定目的の要求に適合するように最適化され得る。これはプラズマ中のイオン種の比率の変化を伴い、イオン化対解離の比率を変化させ、またはプラズマの励起状態集団を変化させる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストで製造でき、透明性、屈曲性に優れる、抗菌性のガスバリア性フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抗菌性材料及びケイ素系化合物を含有する層中に、イオンが注入されて得られる層を有するガスバリア性フィルムにおいて、前記抗菌材料が、無機抗菌剤であり、銀又は銀イオンを含有するものであり、前記抗菌材料及び前記ケイ素化合物を含有する層中の銀の含有量が、重量ベースで１〜１００ＰＰＭであるガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストで製造でき、透明性及び耐折り曲げ性に優れる、生分解性のガスバリア性フィルム、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】生分解性プラスチックフィルムの少なくとも片面に、ケイ素系化合物を含む層にイオンが注入されて得られる層を有するガスバリア性フィルム、及びその製造方法。生分解性プラスチックフィルムがポリ乳酸系化合物フィルムであることが好ましい。イオン注入法がプラズマイオン注入法であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ガスバリア性、耐屈曲性、及び表面平滑性に優れる成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、およびこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
高分子層にケイ素化合物のイオンが注入されて得られるイオン注入層を有することを特徴とする成形体；高分子層を表面部に有する成形物の、前記高分子層の表面部に、ケイ素化合物のイオンを注入する工程を有する前記成形体の製造方法；前記成形体からなる電子デバイス用部材；前記電子デバイス用部材を備える電子デバイス。 （もっと読む）