ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）を調製する方法が記載される。ｐ型ＺｎＯは、ｎ型ＺｎＯ基材に低エネルギーのアクセプタイオンを注入し、そしてアニールすることによって調製される。別の実施態様では、ｎ型ＺｎＯ基材が低エネルギーのドナーイオンを注入することによって予備ドーピングされる。ｐ型ＺｎＯは種々の光電子素子において用途を有することができ、また、上記のようにして調製されたｐ型ＺｎＯ及びバルクｎ型ＺｎＯ基材から形成されたｐ−ｎ接合が記載される。 （もっと読む）

【課題】屋外用部品において、部品本体の耐食性、硬度及び耐摩耗性を高く維持する。
【解決手段】アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、アルマイト処理により形成されたアルマイト１１と、アルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来のウェハ保持装置においては、接地ピンの交換に手間がかかった。
【解決手段】本発明によるボルト３００は、雄ねじ部３１２ａを有する脚部３１２と、頭部３１１とを備えた本体３１０と、基部３３２と端部３３１とを備えた飛出しピン３３０とを具備している。前記頭部には、前記脚部に設けられた中空部３１０ｃと連通し、前記頭部の頭部上面３１１ａに開口した穴３１０ａ、３１０ｂが設けられている。前記基部は、前記中空部を前記本体の軸Ｓの方向に移動可能である。前記端部は、前記穴を前記軸方向に移動可能である。前記飛出しピンは、前記端部が前記頭部上面から突き出すように前記頭部側に付勢されている。前記端部と前記雄ねじ部とが電気的に導通している。接地ピンとしての飛出しピン３３０が六角穴付きボルト３００に組み込まれているため、六角穴付きボルト３００を交換することで接地ピンを容易に交換することができる。 （もっと読む）

【課題】
ガラス板の表面に改質相を形成して、強度と破壊靱性の向上したガラス板を提供する。
【解決手段】
ガラス板の表面に窒素イオンまたはケイ素イオンをイオン注入法で、表面から１０ｎｍ〜１０μｍの範囲の深さに、１×１０^１２ｉｏｎｓ／ｃｍ^２〜１×１０^１８ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の範囲のイオン注入量を注入する。イオンを注入する層数は１層あるいは２層以上とする。また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。
【解決手段】半導体領域３２の不純物濃度プロファイルを表す第１のピアソン関数の投影飛程及び分散は現実の不純物濃度プロファイルの最大濃度部３３の形状に基づいて抽出される。非晶質膜領域３１の不純物濃度プロファイルを表す第２のピアソン関数の投影飛程は第１のピアソン関数の投影飛程を特定割合で小さくすることで算出され、分散は第１のピアソン関数の分散を特定割合で小さくすることで算出される。同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、半導体領域での投影飛程と分散は注入エネルギーの減少に伴って減少するように抽出され、歪度と尖度は注入エネルギーの減少に伴って増加するように抽出される。歪度と尖度は現実の不純物濃度プロファイルのテール部３４の形状に基づいて抽出される。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性、耐摩耗性に優れた硬質皮膜について、特に密着性を改善した硬質皮膜被覆部材を提供することである。
【解決手段】基体に硬質皮膜を被覆した部材において、該硬質皮膜は、金属元素とＮを有し、該基体の表面はＮ元素富化領域を有し、該Ｎ元素富化領域は該基体の表面から深さ方向に１μｍ以内に形成されていることを特徴とする硬質皮膜被覆部材及び基体表面にＮ元素のイオン注入を行う第１の工程と、硬質皮膜を被覆する第２の工程とから成る製造法である。 （もっと読む）

無電解堆積の触媒作用にイオン注入による表面改質を用いて金属膜を堆積する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、金属膜を堆積する方法として実現されうる。当該方法は、基板と、基板上の誘電体層と、誘電体層上のレジスト層とを含み、誘電体層及びレジスト層は１以上の開口を有する構造上に、触媒材料を堆積することを含みうる。当該方法は更に、レジスト層を剥離することを含む。当該方法は更に、１以上の開口を充填すべく構造の１以上の開口内の触媒材料上に金属膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガス、特にフッ素（Ｆ_２）ガスおよびフッ化物ガスと接触する半導体加工装置用等の金属製部材であって、耐ハロゲンガス性に優れた金属製部材を提供する。
【解決手段】金属製基材３１，３４の表面に対して、イオン注入法またはプラズマイオン注入法を用いて、Ｆ_２ガスやフッ化物ガスとは反応するものの、その反応生成物の蒸気圧が低いＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる１種以上の金属元素のイオン注入層３２を設ける。また、このイオン注入層３２の上に、さらにＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる金属を含む薄膜３３を積層させる。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができる方法を提供する。
【解決手段】 このイオン注入方法は、イオンビーム４が基板２に入射する領域内で、イオンビーム４の走査速度をステップ状に変化させて基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、各注入工程の合間であってイオンビームが基板に当たっていない間に、基板２をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施し、かつ注入工程として、イオンビーム４の走査速度を、基板２の一端から他端にかけて、第１の走査速度、それとは異なる第２の走査速度および第１の走査速度にステップ状に変化させる注入工程をｎ回（ｎは２以上の整数）実施すると共に、回転工程として、基板を３６０／ｎ度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、基板２の面内において、中央領域とそれを囲む外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成する。 （もっと読む）

本発明の１つ以上の構成は、供給ガスの流量の１つのパラメータを選択的に調整することによって、イオン注入システム内のイオンビームの電流又は密度を安定化する事に関する。ガス流量の調整は、他の作動パラメータに対する調整を必ずしも必要ではなく、これにより、安定化処理を単純化する。ビーム電流が、比較的早く安定化させるためにイオン注入は、中断されず促進的に始動されかつ続けられる。これは、関連した注入コストを削減するとともに処理能力を改善する。
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【課題】
材料の水素吸着による光学的な透過率の変化により水素を検知できる水素検出材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
水素を含んだ雰囲気に触れた時の光学的な透過率の変化をモニターすることにより水素の検知を行う水素検出材料であって、（１）上記水素検出材料の主成分が酸化タングステンであり、その形状が薄膜である、（２）成膜後にイオン照射を用いて水素吸着による着色濃度（光学的な透過率）が調節されている（３）上記水素検出材料の表面上に触媒が堆積されている、（４）室温（２０℃付近）で水素と反応して着色することを特徴とする水素検出材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】内部リーク及び外部リークの検出を可能にする。
【解決手段】 真空槽に接続された第１の管路の開閉を行う第１のバルブ６と、前記真空槽に接続された第２の管路の開閉を行う第２のバルブ９と、前記第２のバルブを介して前記真空槽内のガスを排気するためのポンプ１１と、前記真空槽内の圧力を検出する圧力検出器１２と、前記第１及び第２のバルブの開閉を制御して、前記真空槽内を、前記ポンプの能力に基づく第１の圧力からリーク検査のための第２の圧力に設定する第１の処理と、前記第１の処理後の所定の検査時間後に前記圧力検出器の圧力を検出する第２の処理と、前記第２の処理によって取得した圧力の変化の向きに応じて前記第１及び第２のバルブのいずれにリークが生じているかを判定する第３の処理とを実施する制御部７と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ガリウム（Ga₂O₃）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを下げ製造プロセスを簡略化しても追加の構成要素を必要としないで均一性を改良した高電流イオンビーム発生のための新しいシステム構成を提供すること。
【解決手段】本発明は多様な操作様式を有するイオン注入装置を開示する。それはイオン源およびそこからリボン状イオンビームを引き出すための引き出し手段を有する。イオン注入装置は質量スリットを通って基板に描出するため特定の質量対電荷を有するイオンを選択するマグネット分析機を含む。多極レンズがビームの均一性と平行を制御するために提供される。本発明は、第二の経路がエネルギー濾過を、組み入れ減速システムを組み込んだ２経路ビームラインをさらに開示する。本発明は、注入の様式がターゲットの１次元走査から２次元走査に、また単純な経路から減速を有するＳ状経路に切り替えることができるイオン注入の方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】ステンレスシンク表面を、撥水性、硬度を向上させることによって、長期間にわたり防汚性を維持できるステンレスシンクを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼によって製されたステンレスシンクであって、ステンレスシンク表面には、イオン注入法によりフッ素、窒素、炭素などの元素を注入することによって、ステンレス鋼に含まれる添加物元素と注入した元素とによる化合物層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】両方の導電形をとり得る新たな酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ビスマスとチタンと酸素とから構成された金属酸化物に、不純物としてニオブ（Ｎｂ）が添加されたものである。ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された金属酸化物は、例えば、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂である。Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂において、Ｎｂは、Ｔｉの格子点に入り、等極結合を作る際に近隣の他のＴｉイオンに対して電子を放出してイオン化するドナーである。従って、Ｎｂが添加されたＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂は、ｎ形の半導体となる。 （もっと読む）

【課題】硬磁性材料のナノ粒子を製造する方法を提供し、更に、それにより得られた硬磁性材料のナノ粒子と軟磁性のナノ粒子とを複合してナノコンポジット磁石を製造する方法を提供する。
【解決手段】硬磁性合金の構成成分のうちの１種以上の成分が不足する組成の合金前駆体のナノ粒子に、該不足成分を付与して硬磁性合金のナノ粒子とすることを特徴とする硬磁性合金のナノ粒子の製造方法。硬磁性合金のナノ粒子と軟磁性金属または合金のナノ粒子とが均一に混合して成るナノコンポジット磁石の製造方法であって、上記の硬磁性合金のナノ粒子の製造方法を用いて硬磁性合金のナノ粒子を製造する工程、および上記硬磁性合金のナノ粒子と軟磁性金属または合金のナノ粒子とを混合し、加圧成形し、焼結することによりナノコンポジット磁石とする工程を含むことを特徴とするナノコンポジット磁石の製造方法。 （もっと読む）