【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】キャリア搬送装置の部品の表面を腐食させることなく、クリーンな状態で磁気記録媒体を製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上部および下部にガス排気手段１０３、１０４を備え、下部側に基板搬送装置１０５が備えられた反応容器１０１の内部に磁性層を形成した基板２００を搬入して、反応容器１０１の一対のプラズマ発生電極ユニットＵ１、Ｕ２の間に基板２００を配置した後、ハロゲンを含むガスを供給して発生させたハロゲンイオンを含む反応性プラズマもしくは反応性プラズマ中に生成した反応性イオンに、磁性層の表面を部分的にさらして磁性層を改質することにより、磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する改質工程において磁性層を部分的に改質した後に生ずる排ガスを上部のガス排気手段１０３から排気させる磁気記録媒体の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

マルチモードイオン源を提供する技術を開示する。本発明のある例示的態様においては、例えば、第１モードがアーク放電モードであり、第２モードがＲＦモードであるという複数モードで動作するイオン源を含むイオン注入装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が１秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力ＬＰとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第１段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力ＬＰよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーＷに追加の光照射を行う第２段階と、によって構成される２段階照射を行う。第２段階の発光出力はピーク時の発光出力ＬＰの３分の２以下である。第１段階の光照射時間は０．１ミリセカンド以上１０ミリセカンド以下であり、第２段階の光照射時間は５ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。 （もっと読む）

【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置および基板温度測定方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる半導体ウェハーＷはサセプタ７０に保持された石英製の保持プレート７４の上に水平姿勢にて載置される。保持プレート７４には、上下に貫通して開口部７８が穿設されている。放射温度計１２０は、半導体ウェハーＷから放射される赤外光を保持プレート７４の開口部７８を介して受光する。放射温度計１２０の視野からは石英が除かれており、放射温度計１２０は半導体ウェハーＷの下面を直接測定することができる。このため、放射温度計１２０は、保持プレート７４に保持された半導体ウェハーＷの温度を直接かつ正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられたユニポテンシャルレンズ４０と、その第２電極４２、第３電極４３に直流電圧Ｖ₁ 、Ｖ₂ を印加する直流電源６０とを備えている。そして、ユニポテンシャルレンズ４０の第１ギャップ５１、第３ギャップ５３の曲率中心の位置を、ビーム走査器の走査中心の位置と一致させており、第２ギャップ５２の曲率中心の位置を、走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板２上に形成された磁性層６に、磁気記録領域９Ａと分離領域１０とを有する磁気記録媒体であって、分離領域１０は、前記磁気記録領域９Ａと分離領域１０との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部１０Ａと、この第１の分離領域部１０Ａに囲繞された磁性層６の表面に形成された第２の分離領域部１０Ｂと、前記第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部に位置し磁性層６と同一磁気特性を有する内部領域１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材を部分的に発色させたパターンを形成することができる透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】カバーガラス１０は、サファイアガラスからなる透明な基材１１を備えている。基材１１の表面には、基材１１が赤色に発色して形成された発色部１２１と、無色透明な無色部１２２と、により、パターン部１２が形成されている。カバーガラス１０は、金属イオンおよび半金属イオンのうちいずれか一つを基材の一部に注入するイオン注入工程と、基材の熱処理を行う熱処理工程と、を実施することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】粉塵の発生が抑制された歯付ベルト、搬送装置、ならびに、伝動装置の提供を課題としている。
【解決手段】歯付プーリーと噛合状態で用いられるべく、ベルト長手方向に複数の歯部が形成されており、該歯部が弾性体により形成されている歯付ベルトであって、前記歯部の表面にはダイヤモンドライクカーボンが被覆されていることを特徴とする歯付ベルトなどを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱装置において、２０００℃を越える高温処理下においても、導電性ヒータ内部の圧力が、規定値である１．０×１０^−２Ｐａ以下を長期的に維持することを目的とする。
【解決手段】真空加熱容器１０３にあるフィラメント１３２で発生した熱電子を加速して、真空加熱容器１０３の一面を構成する導電性ヒータ１３１に衝突させて発熱させる基板加熱装置において、導電性ヒータ１３１は、カーボン製であり、導電性ヒータ１３１の内面及び外面の少なくとも一方をタンタルカーバイド（ＴａＣ）で被覆した。 （もっと読む）

プラズマ浸漬イオン注入プロセスでは、シーズニング層の厚さの増大のためにウェーハのクランプ静電力を損失することなく、事前注入チャンバシーズニング層の厚さが増大される（シーズニング層を取り替えることなく一連のウェーハの注入を可能にする）。これは、まず厚いシーズニング層から残留静電荷をプラズマ放電することによって実現される。同じシーズニング層を使用して処理できるウェーハの数は、各ウェーハが処理された後、シーズニング層を部分的に補給することによってさらに増大され、それに続いて、補給されたシーズニングを短時間でプラズマ放電してから、次のウェーハを処理することができる。
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【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。
【解決手段】イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。このようなガイド管は、主として、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するために設けられる。好都合なことに、ガイド管は、外方にテーパー付けされた中央ボアを有し、これにより、イオンビームがガイド管を通過するときにビームが衝突する問題を軽減する。 （もっと読む）

本発明の装置は、真空室内の面上に配置されたライナーを有する。この面は、真空室内の構成素子により規定されている。このライナーは、ワークピースを汚染から保護するか、又は原子又はイオンを面内に注入することにより生じる面のブリスタリング現象を阻止するように構成されている。ライナーは、ある実施例では、使い捨てしうるようにでき、真空室内の面から除去して、新たなライナーと交換するようにしうる。このライナーは、ある実施例では、粗面を有するポリマとするか、炭素を基とするか、又はカーボンナノチューブを以て構成することができる。
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【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の品質に悪影響を与えることなく、簡単な構造で、効率よくかつ高い精度でイオンビーム照射角度の調整を行うことができるイオン注入装置およびこれを備える半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】 イオン注入装置は、イオンビーム照射部と、遮断板と、イオン量測定部と、照射角度変更部とを含んで構成される。イオンビーム照射部は、イオンビームを形成し、基板を保持する基板保持部に向けて前記イオンビームを照射する。遮断板は、基板保持部に保持される基板の位置よりも前記イオンビームのイオンの流れ方向上流側の予め定める位置に設置可能である。遮断板には、貫通孔が形成される。貫通孔は、遮断板が前記予め定める位置に設置された状態において、予め定める方向の軸線を有する。遮断板は、前記イオンビームの少なくとも一部を遮断する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも１つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化タングステン材料を利用することによりマイクロメートル領域の形状を持つ金型部品の耐久性を向上し、それを用いた微小部品生産を実現する。
【解決手段】微細加工用超硬材料工具は、加工工具部の材料が炭化タングステンを主材料とした超硬材料からなり、その表面に２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを持つ酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２を持たせ、酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２は、単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６のいずれか１つ、又は単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６の混合状態からなり、酸化タングステンを主材料とした薄膜構造は、酸化触媒効果を持つ金ナノ粒子７を含有し、打ち抜き用金型工具、絞り用金型工具、曲げ用金型工具のいずれかとして使用される。 （もっと読む）