【課題】 通気管を取り外さないで十分な清掃等のメンテナンスをする。
【解決手段】 半導体装置を製造するための密閉された製造空間５０の内部と外部とを通気し、製造空間５０を真空処理するための通気管１０を備えた半導体製造装置において、液体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させる洗浄用液体が供給される。さらに、気体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させるパージ用気体が供給される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体ＬＳＩデバイス表面の超平滑化や、それらを加工するための精密仕上げ加工仕上げに用いられる研磨用設備、特に各部品を超平滑化するための研磨用部材の耐摩耗性、耐食性、耐汚染性など性能を高品質化するために提供されたもので、研磨用部材を減圧下において、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、２種類以上の材質の異なる部材に対して、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンとケイ素を含有する炭化水素系／ケイ素系混合ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を形成した研磨用部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 優れた耐薬品性、撥水性、ガスバリヤ性を有するとともに、均一に膜形成されて基材との密着性に優れたフッ化炭素膜を具備するチューブ基材及びその表面改質方法を提供すること。
【解決手段】 チューブ基材１は、ポリエチレン等の有機物からなるチューブ本体２と、フッ素（Ｆ）と炭素（Ｃ）とを有してチューブ本体２の表面に配されるフッ化炭素膜３とを備えている。フッ化炭素膜３のフッ素（Ｆ）と炭素（Ｃ）との原子数比（Ｆ／Ｃ比）が１．３０よりも大きいものとされている。 （もっと読む）

【課題】
本発明はシリコン、窒化ガリウム、ガリウムリン等の半導体を極薄で超平滑化するための加工キャリアを高品質化するために提供されたもので、加工キャリアを減圧下において、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なＤＬＣ膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、ＤＬＣ膜を形成した半導体加工キャリア部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、ａ）支持基板となる第１基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、ｃ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、ｄ）結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び ｅ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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【課題】低密度の結晶欠陥と高品質の結晶性を有する窒化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 高温下での切削などの過酷な切削に用いても、寸法精度の低下、被削材表面の傷の発生などを起こすことなく、長期間にわたって使用可能な表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面に硬質被覆膜が形成され、該硬質被覆膜は、膜厚方向に組成が徐々に変化する傾斜組成膜を具備し、該傾斜組成膜は、基体側の界面における組成が（Ｔｉ_１−ＡＭ_Ａ）（Ｃ_ＢＮ_１−Ｂ）_ＣＯ_Ｄであり、表面における組成が（Ｔｉ_１−ａＭ_ａ）（Ｃ_ｂＮ_１−ｂ）_ｃＯ_ｄＸ_ｅである。（ＭはＴｉを除く周期律表第４族、第５族、第６族金属元素、ＡｌおよびＳｉから選ばれる１種または２種以上の元素を示す。Ｘはハロゲン元素を示す。０．１≦Ａ＜０．７５、０≦Ｂ≦１、０．９≦Ｃ＜１．２、０≦Ｄ＜０．３、０．１≦ａ＜０．７５、０≦ｂ≦１、０≦ｃ＜１、０．３≦ｄ＜２、０≦ｅ≦０．３、０．８＜ｃ＋ｄ＋ｅ≦２．５） （もっと読む）

【課題】 浅い打ち込みを実現することができるイオン注入方法およびイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 本発明のイオン注入方法は、被処理体４１０に不純物を打ち込むためのイオン注入方法であって、
前記被処理体４１０から離間された緩衝板３０を介して該被処理体４１０に前記不純物を打ち込む。また、本発明において、前記緩衝板３００は、加速されたイオンが前記被処理体４１０に到達するまでの経路に配置されていることができる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング効果を利用して簡便な方法で、固体イオンを筒状体の内周側表面に注入させて筒状体の内周側表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜で筒状体の内周側表面をコーティングする。
【解決手段】 減圧状態のプラズマ発生用原料ガス中に、筒状体２を配置すると共にスパッタターゲット３を筒状体２の内部にその軸芯方向に向けて移動自在に挿入し、筒状体２の内部のスパッタターゲット３の表面に対してプラズマ雰囲気のイオンを衝突させ、スパッタリング効果を利用してスパッタターゲット３の表面から固体イオン３ａを弾き飛ばして放出させ、放出した固体イオン３ａを内周側表面２ａに注入し、また、放出した固体イオン３ａを内周側表面２ａにコーティングさせる。 （もっと読む）

【課題】単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。
【解決手段】ウェハは、第１のピボット１５０に接続され途中で曲げられたアーム１１０の一端に第２のピボット１４０によって取り付けられたウェハホルダ１２０に載置される。ウェハは第２のピボットによって任意の角度にチルトされ、かつ第１のピボットによって円弧状に機械的走査される。電流密度を第１のピボットからの距離に比例させたリボンビーム２０をコリメータによって形成し、ウェハに照射することにより均一な注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】従来は、不純物の注入深さを良好に監視することができなかった。
【解決手段】イオン注入装置によってウェハに注入された不純物の注入深さを測定装置で測定し、測定された不純物の注入深さが許容範囲内か否かを監視する不純物の注入深さ監視方法において、絶縁膜６４と、絶縁膜の上に、１０００Å単位以下の厚さで形成されたＳｉ層６６とを有するウェハ６０を測定用ウェハとして用い、測定用ウェハに対して、測定用ウェハの主表面となるＳｉ層の表面の上方から不純物を注入した後、熱処理を施し、測定装置によって、熱処理済みの測定用ウェハの主表面の表面抵抗率Ｒｓを測定するとともに、表面抵抗率に対応する、測定用ウェハに注入された不純物の濃度がピークとなる、主表面からの濃度ピーク深さＲｐを、主表面からの不純物の注入深さとして検出する。 （もっと読む）

【課題】 埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層７１，７２への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。その結果、埋込イオン注入層７１’，７２’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク６４として用いたイオン注入が実現される。注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。また、酸化膜の形成／除去が不要となる結果、エピタキシャルウェーハ製造の工程数を劇的に減ずることができる。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含む第１領域１１と、粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを含まない第２領域１２とを有し、これら領域１１，１２が表面に露出し、第１領域１１がａ）および／またはｂ）を満たす炭素系薄膜を提供する。ａ）金属元素を含む。ｂ）プレート状グラファイト構造および／またはオニオン状グラファイト構造を含む。好ましい金属元素は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。この薄膜は、例えば、炭素系非晶質薄膜への上記元素のイオンの選択的注入と、上記薄膜への電子線照射により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】背景技術による内包フラーレンの製造方法では、真空容器中で堆積基板に直流のバイアス電圧を印加して内包原子からなるイオンを含むプラズマを堆積基板に向けて照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に向けて噴射していた。そのため、堆積時間が長くなると堆積膜がイオンの電荷によりチャージアップし、堆積膜の剥離が起きるという問題があった。
【解決手段】堆積基板に正と負のバイアス電圧を交互に印加することにした。イオンに加速エネルギーを与える状態と堆積膜のチャージを中和する状態を交互に繰り返すことにより、堆積膜に過度のチャージが蓄積しないので、堆積膜の剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの走査方法及び走査速度によらずに、半導体基板上に形成された半導体装置に対する正のチャージアップを抑制して絶縁膜の絶縁破壊及び損傷を防止できるようにする。
【解決手段】 主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 （もっと読む）

大気圧より低い圧力でペンタボラン（９）含有流体を収容するための、液体窒素浴（１２８）中の容器（１２６）を含む、流体保管および分配システム（１００）。ペンタボランは液体または合成源（１２４）から供給することができ、窒素は弁（１２０）から供給することができ、これらはガス調整器（Ｒ−１およびＲ−２）によって制御される。流体保管および分配システムは、種々の弁（ＡＶ−１〜ＡＶ−１６およびＭＶ−１〜ＭＶ−４）を介して半導体または液晶製造設備に連通的に接続することができる。ジボランなどの市販の水素化ホウ素化合物の代替物としてペンタボラン（９）が使用される。このシステムは、排出ポンプ（１３０）、洗浄手段（１４０）、および送出されるペンタボラン（９）濃度をサンプリングするための三方弁（１６２）を含むことができる。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

【課題】 ビーム電流が不安定でもウェハへの不純物面内分布が均一になるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１０は、イオンビーム発生機構１５、スキャナ部１６、イオン注入室２０を有する。スキャナ部１６は、Ｘ方向静電偏向器１６ｘ、Ｙ方向静電偏向器１６ｙを有する。イオンビームＩＢの走査速度は、信号処理部１７ｘ、１７ｙにおける各三角波電圧の周波数変調によって変更可能である。信号処理部１７ｘ、１７ｙは、非接触ビーム電流計１８の計測値の変動に応じて各三角波電圧を周波数変調する。イオンビームＩＢは、その変動によりビーム電流が通常より減少したときにはその走査速度が小さくなり、通常より増大したときにはその走査速度が大きくなるよう制御される。 （もっと読む）

【課題】
大気とは異なる環境において長寿命を実現できる駆動装置を提供する。
【解決手段】
移動テーブル４の表面側と裏面側に振り分けて回転台２４と駆動ユニット２５とを配置したので、重量バランスを適正にとることができ、スライダ３の負担を抑えることで超寿命化を図ることができる。また、回転台２４と駆動ユニット２５を支持する移動テーブル４の剛性も低くて足りるので、これを小型化することで構成のコンパクト化を図ることができ、更にモータ９の定格出力も小さくすることができてコスト低減を図れる。 （もっと読む）

【課題】
大気環境と、大気とは異なる環境とを隔てるハウジングの剛性に関わらず、高精度な移動を実現できる駆動装置を提供する。
【解決手段】
連結部材１２が、フレーム１の上板１ｂと、真空チャンバＣの頂板下面Ｃ２とを連結するが、フレーム１と真空チャンバＣの側面とを連結しないので、真空チャンバＣの内外で生じる差圧に従い、比較的大きな変形が、真空チャンバＣの側面で生じた場合でも、かかる差圧がフレーム１に与える影響を低く抑えることができる。又、真空チャンバＣの側面で変形が生じた場合、真空チャンバＣの底面Ｃ１と頂板下面Ｃ２との距離が変化することになるが、連結部材１２の薄板部材１２ｃがたわむことによって、底面Ｃ１と頂板下面Ｃ２との距離の変化に対応できるようにしている。 （もっと読む）