シーリングシステムが開示されている。１つのこのようなシーリングシステムは、第１の真空チャンバ及び第２の真空チャンバを含む。シーリングシステムは、近接端及び遠位端を有する第１のシーリングユニットを含み、第１のシーリングユニットの近接端は第１の真空チャンバ上に設置されている。シーリングシステムは遠位端及び近接端を有する第２のシーリングユニットを含み、第２のシーリングユニットの遠位端は第１のシールユニットの遠位端上に設置されており、第２のシーリングユニットの近接端は第２の真空チャンバ上に設置されている。シーリングユニットの一方は凹面形状であり、他方は凸面形状である。シーリングシステムは第１のＯリング、第２のＯリング及び第３のＯリングも含む。
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【課題】低抵抗率のイオン注入層と高抵抗率のエピタキシャル層と、これらの間の抵抗率が遷移する領域をシャープなものにするとともに、重金属不純物による汚染の問題が発生しないエピタキシャルウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、Ｎ型シリコン単結晶基板に炭素イオンのみを注入して炭素イオン注入層を形成し、その後、該炭素イオン注入層を形成した前記Ｎ型シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層から前記炭素イオン注入層にかけて抵抗率が遷移する領域の厚さが、２μｍ以下となるようにすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板が載置されたディスク３が、イオンビーム１と垂直なＸ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第１の角度β₁となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。次いで、ディスク３が、Ｘ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第２の角度β₂となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 （もっと読む）

【課題】高耐摩耗性を損なうことなくＤＬＣ皮膜に導電性を付与する。
【解決手段】銀やＳＵＳ３０４ステンレス鋼等の基体１を用意する。プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。ＤＬＣ皮膜２表面に適当なエネルギー密度のレーザ光を部分的に照射することにより、レーザ光の照射領域にあるＤＬＣ皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域３を形成する。 （もっと読む）

プラズマドーピング装置はパルスプラズマを発生するプラズマ源を含む。プラテンがプラズマドーピングのために基板をプラズマ源の近くに支持する。構造部が脱着時に複数のニュートラルを供給する膜を吸着する。バイアス電圧源が、プラズマ中のイオンをプラズマドーピングのために基板に吸引する負電位を有するバイアス電圧波形を発生する。放射源が構造部上に吸着された膜を照射することによって、膜を脱着させて複数のニュートラルを発生させ、イオンが基板に吸引される間これらのニュートラルがプラズマからのイオンを散乱することによってコンフォーマルドーピングが達成される。
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【課題】 イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。かつ、プラズマ電極１２と各引出し電極片３０との間の電位差Ｖ_d を各引出し電極片３０ごとに独立して制御することができる引出し電源４２と、イオンビーム８のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するビームモニタ５６と、ビームモニタ５６からの測定データに基づいて引出し電源４２を制御して、上記電位差Ｖ_d をそれぞれ制御することによって、ビームモニタ５６で測定するビーム電流密度分布を均一に近づける制御を行う制御装置６０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】人為的ミスを生じることなく校正を短時間に正確に行うことができるイオン注入装置用の質量分析システムとその校正方法を提供する。
【解決手段】ビーム中のイオン種の質量を測定する質量分析器１０と、２種以上の既知の不活性ガスからなる校正用ガス１１が充填された校正用ガスボンベ１２ａと、校正用ガスボンベからイオン注入装置のイオン源として校正用ガスを遮断可能に供給する校正ガスライン１３と、校正用ガスを用いて校正用ガスのイオンビーム２を発生させて質量分析器１０の校正を行う校正処理装置１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスのみの単一プロセスによって製造可能であるとともに、耐溶剤性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルム（１）の少なくとも一方の面に、プラズマソースとして希ガス、水素、窒素、アンモニアガスのうち少なくとも一種類のガスを用いたプラズマイオン注入法によって層厚が１５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるイオン注入層（２）が形成されており、前記イオン注入層の上にガスバリア層（３）、透明導電層（４）を順次形成してなることを特徴とする透明導電性ガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップやパーティクルの発生を極力抑制できるとともに、製品歩留りや装置稼働率の低下を防止することができるイオン注入装置およびイオン注入装置の制御方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム３のセットアップ時に、ファラデーカップ１１またはファラデーカップ１０を用いて、所定方向のイオンビーム幅等のイオンビーム形状を取得する。破壊率予測部２１は、予め取得された、イオンビーム形状とチャージアップ評価素子の破壊率との対応関係に基づいて、取得されたイオンビーム形状に対応する、チャージアップ評価素子の破壊率を予測する。予測されたチャージアップ評価素子の破壊率が予め設定された閾値を超えた場合、判定部２２は、イオン注入を制御する装置コントローラ１２を介して、上記対応関係において、チャージアップ評価素子の破壊率が前記閾値以下となる状態にイオンビーム形状を調整する。 （もっと読む）

【課題】 インジェクタフラグファラデーカップによりその周辺部材が悪影響を受けることが無いイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ビームスキャナ３６への入射前のビームライン上に、イオンビームの全ビーム量を計測してビーム電流を検出するインジェクタフラグファラデーカップ３２が入れ出し可能に配置される。インジェクタフラグファラデーカップ３２をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ３２に設けられたグラファイト３２ａに当たる。このとき、イオンビームでグラファイト３２ａがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ３２がビームスキャナ３６の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ３２でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ３２の周辺部材に付着することはない。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ含有膜の製造における幾つかの問題を解決すること。
【解決手段】 シリコン合金およびドープシリコン膜が、ＩＩＩ族およびＶ族の原子の供給源としてＳｉを含有する化学前駆体を用いたイオン注入法によって調製される。好ましいドーパント前駆体には、（Ｈ_３Ｓｉ）_３−ｘＭＲ_ｘ、（Ｈ_３Ｓｉ）_３Ｎ、および（Ｈ_３Ｓｉ）_４Ｎ_２（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）が含まれる。好ましいイオン注入法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】 高周波放電型のプラズマ発生装置において、アンテナカバーの溶断を速やかに検出することができるようにする。
【解決手段】 このプラズマ発生装置１０は、プラズマ生成容器１２内に設けられていて高周波を放射するアンテナ２６と、プラズマ生成容器１２内のアンテナ２６全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバー４２とを備えている。更に、アンテナ２６とプラズマ生成容器１２との間の直流電圧Ｖ_D を測定する直流電圧測定器６０と、それで測定した直流電圧Ｖ_D を基準値Ｖ_R と比較して、前者の絶対値が後者の絶対値よりも大きいときに警報信号Ｓ_W を出力する比較器８０とを備えている。アンテナカバー４２が溶断すると、その溶断箇所４４でプラズマ２０がアンテナ２６に接触して、アンテナ２６にはプラズマポテンシャルに相当する直流電圧Ｖ_D が発生するので、上記警報信号Ｓ_W が出力される。 （もっと読む）

【課題】高品位な表示装置を実現できる蒸着可能な材料を、蒸着用マスクを用いることなく塗り分け可能にする。
【解決手段】真空容器中にて蒸着源６２から蒸発する蒸着分子を被蒸着物３２に到達させて当該被蒸着物３２に前記蒸着分子による薄膜を形成するのにあたり、前記蒸着分子が前記被蒸着物３２に到達する前に当該蒸着分子を電荷ｅ^-に帯電させる帯電工程と、前記薄膜を形成する箇所に対応して配された電極Ｒへの前記蒸着分子の帯電極性とは異なる＋極性の電圧印加と、前記薄膜を形成しない箇所に対応して配された電極Ｇ，Ｂへの前記蒸着分子の帯電極性と同じ−極性の電圧印加との、少なくとも一方を行う印加工程と、を経る。 （もっと読む）

【課題】情報端末入力に利用されているタッチパネルの上部（可動）透明電極やＬＣＤや有機ＥＬ素子を用いたフィルムディスプレイなどにおける透明電極を構成する、摺動耐久性に富む透明導電性フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】透明なプラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、プラズマイオン注入法によってイオン注入層が形成されており、そのイオン注入層の上には非結晶性の酸化物薄膜からなる透明導電性薄膜が積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金の摩擦攪拌加工用の安価なツールおよびこのツールを用いてチタンまたはチタン合金を安価に接合あるいは改質するチタンまたはチタン合金からなる摩擦攪拌加工品の製造方法を提供する。
【解決手段】、ニッケル合金からなる摩擦攪拌加工用ツールの表面を、ふっ素イオン注入により表面処理してなるチタンまたはチタン合金用の摩擦攪拌加工用ツール。ふっ素イオン注入は、パルス周波数１〜２ｋＨｚ、室温にて、注入時間１５０〜４００分、好ましくは３００〜４００分の条件で行われる。この摩擦攪拌加工用ツールを用いてチタンまたはチタン合金を摩擦攪拌加工して摩擦攪拌加工品を製造する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、耐食性タンクの内張材、回転ローラー表面、気密パッキン表面、各種粘着防止ロール、シート等のフッ素系合成樹脂の表面を、金属やセラミックス、他の高分子樹脂とを高い接着力を得るための表面改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のアルゴンまたは窒素を含有するアルゴンや窒素プラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、アルゴンまたは窒素イオン注入と傾斜構造を持った微細な凹凸形状を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその表面改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、シール材、ドクターブレード、回転ローラー、粘着防止ロール、シート等に用いるフッ素系合成樹脂の表面を、印刷インク、塗料、液晶溶液、試薬、食品材料等となじみやすく・濡れやすくための親水化改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上の酸素およびケイ素を含有するプラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、酸素およびケイ素イオン注入による傾斜構造と脱フッ素化後の極性基反応物を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその親水化改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子機器部品に用いられるプリント配線用スクリーン印刷版や大面積濾過フィルター等の微細織物からなるステンレスメッシュの表面を、平滑化すると共に織物の剛性および抗張力を向上した高品位金属繊維織を提供するもので、減圧下において少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なＤＬＣ膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
スクリーンメッシュが多数枚セットした状態で、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、ＤＬＣ膜を形成した金属繊維織物部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

金属チャンバ壁を備えるプラズマチャンバ(102)を有するプラズマ源(100)は、プロセスガスを収容する。誘電体窓(120、122)は、プラズマチャンバの中にRF信号を通す。RF信号はプロセスガスを励起し、イオン化して、これによりプラズマチャンバ内にプラズマを形成する。プラズマチャンバの内部に位置付けられるプラズマチャンバライナ(125)は、プラズマチャンバの金属壁(102)に衝突するイオンによってスパッタされる金属から、プラズマチャンバの内部をラインオブサイト遮蔽する。
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