プラズマ処理装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に配され、ワークを支持するプラテンと、ワークの前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを、プロセスチャンバの内部に発生させるように構成されたプラズマ源と、インシュレーティング調整部とを備える。インシュレーティング調整部は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状の一部がプラズマに対向するワークの前面によって形成される面と平行にならないように、境界の形状を制御する。プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状を制御することで、ワークに衝突する粒子の入射角の範囲を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置において、画素定義膜からのアウトガス量を減少させて、有機膜の劣化を防止する。
【解決手段】画素定義膜からのアウトガス量を減少させて、前記アウトガスによる発光部の劣化を防ぐことができるように前記画素定義膜上に少なくとも一つのバリア層を形成して、またレーザ熱転写法を用いた後工程をし易いようにするために厚さが十分薄い画素定義膜を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置のために、基板と、前記基板上に備えられた複数の画素電極と、前記画素電極上に位置しながら前記各画素電極の所定部分を露出する開口部を備える画素定義膜と、前記画素定義膜の上部及び／または内部に位置する少なくとも一つのバリア層とを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バイオスクリーニングにおいて標的物質を回収するために用いる構造体であって、加工性が高くまたは融点が低くかつ密度が小さなシリコンを用いて、表面積が大きくかつ磁気特性を帯びたシリコン構造体を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１のシリコンを主成分とする表面に直接接合された二酸化珪素を主成分とする複数の繊維状突起物１２とを備えたシリコン構造体１０であり、繊維状突起物１２に磁性体を担持させた。二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物１２を互いに絡み合うように密集して形成させることにより、表面積を増大しかつ、繊維状突起物１２に磁性体１３を担持させることにより磁気分離が可能で高効率な回収を可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として良好な品質を持ち、且つその表面が高抵抗化されたＧａＮ系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるための主面１０ａを有する基板であって、主面１０ａの少なくとも一部の領域１２にＨやＨｅ、Ａｒといった所定のイオンが注入されており、該少なくとも一部の領域１２は主面１０ａ全域の７０％以上を占めており、該領域１２の表面におけるシート抵抗値の平均は１×１０^４Ω／□以上である。 （もっと読む）

【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピ層の形成を行う際に、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも１種類をドーズ量１×１０^１４〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入し、エピ層は枚葉式エピタキシャル装置を用いて１０８０℃以上の温度で形成し、イオン注入後からエピ層形成前の何れかの段階でシリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、またはエピ層形成後に一部抜き取りによりエピ層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が１秒以下となる範囲内において、目標値を発光出力Ｌ１として半導体ウェハーＷに第１の光照射を行い、それに引き続いてピークが発光出力Ｌ１および第１の光照射における発光出力の最大値よりも大きな発光出力Ｌ２となる出力波形にて第２の光照射を行い、さらにそのピークが過ぎた後に発光出力Ｌ２よりも小さな発光出力にて追加の第３の光照射を行う。第１の光照射で予熱された半導体ウェハーＷに第２の光照射を行えば、半導体ウェハーＷに与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性を効率良く行うことができる。また、第３の光照射によって、半導体ウェハーＷの表面がある程度時間をかけて降温することとなり、欠陥の回復をも行うことができる。 （もっと読む）

【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループ１２０で制御される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）

【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気５０の定常流れを真空チャンバ１３０へ送達する蒸気送達システムは、固体物質２９の気化器２８、機械式スロットルバルブ１００および圧力ゲージ６０、真空チャンバへの蒸気導管３２を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御３５により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループで制御１２０される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面３７は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 （もっと読む）

【課題】安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波イオン源を有するイオン注入装置を用いて対象物にイオンを注入するイオン注入方法であって、イオン源のガスチャンバーに導入した一酸化炭素ガスにマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力するステップと、導入した一酸化炭素ガスの密度を、所定のマイクロ波電力を供給したときに得られる炭素イオン電流が飽和する領域まで高くするステップと、ガス密度を高くして所定のマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力させている状態で、マイクロ波電力を増加させるステップと、を有する。 （もっと読む）

イオン均一性監視デバイスが、プラズマ処理チャンバ内に配置され、チャンバ内に配置される処理対象物から離間して上方に位置する複数のセンサを含む。前記センサは、プラズマ処理に晒された処理対象物の表面から放出される二次電子の数を検出する。各センサは、検出された二次電子に比例する電流信号を出力する。電流比較回路は、複数の電流信号のそれぞれから生成される処理された信号を出力する。プラズマ処理の間に、処理対象物から放出される二次電子の検出は、処理対象物の表面にわたる均一特性を示し、検出は、プラズマ処理の間にその場でオンラインで実行されてもよい。 （もっと読む）

励起したおよび／または原子状態のガスの注入を利用するイオン源を開示する。イオンビームに適用する場合、ソースガスはそのまま使用して従来どおり供給する。代替的にまたは付加的に、ソースガスをイオン源チャンバに導入する前にリモートプラズマ源を通過させることにより変質させることができる。これにより励起中性種、重イオン、準安定分子、または多価イオンを生成することができる。他の実施形態において、複数のガスを用い、１つ以上のガスがリモートプラズマ源を通過するようにする。特定の実施形態においては、複数のガスをイオン源チャンバへ供給する前に単一のプラズマ源において混合する。プラズマ浸漬に適用する場合、１つ以上の追加ガス注入箇所を介して、プラズマをプロセスチャンバに注入する。これら注入箇所により、プロセスチャンバの外部におけるリモートプラズマ源で生成した追加プラズマの流入が可能になる。 （もっと読む）

【課題】明確なｐ型伝導を示す酸化物半導体を提供する。
【解決手段】アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類、遷移金属、及び窒素から選択される一種以上の元素、又はこれら元素を一種以上含有する化合物を固溶置換させた酸化インジウムを、１００℃〜２５０℃の範囲を０．０００１℃／秒以上、０．１℃／秒以下の昇温速度で加熱し結晶化させることを特徴とする酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法が提供される。一実施形態では、基板内にイオンを注入する方法は、処理チャンバ内に基板を提供するステップであって、基板が１つまたは複数のフィーチャが形成された基板表面を備え、各フィーチャが１つまたは複数の水平表面および１つまたは複数の垂直表面を有するステップと、イオンを生成するように適合された反応ガスを含むガス混合物からプラズマを生成するステップと、基板表面上および基板フィーチャの少なくとも１つの水平表面上に材料層を堆積させるステップと、等方性プロセスによって、基板内、少なくとも１つの水平表面内、および少なくとも１つの垂直表面内へ、プラズマからへイオンを注入するステップと、異方性プロセスによって、基板表面および少なくとも１つの水平表面上で材料層をエッチングするステップとを含む。
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プラズマ浸漬イオン注入プロセスにより基板内に材料を注入する方法が提供される。一実施形態では、基板内に材料を注入する方法は、材料層が形成された基板表面を備える基板を処理チャンバに供給するステップと、非ドーパント処理ガスの第１のプラズマを発生させるステップと、非ドーパント処理ガスのプラズマに材料層を露出するステップと、ドーパントイオンを生成するように適合された反応ガスを含むドーパント処理ガスの第２のプラズマを発生させるステップと、プラズマから材料層内にドーパントイオンを注入するステップとを含む。この方法は、洗浄プロセス又はエッチングプロセスを更に含んでもよい。
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【課題】シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。例えば、エピタキシャル層１３が上述した３Ｃ−ＳｉＣから形成される場合、シリコン基板１１の格子定数０．５４３ｎｍと、エピタキシャル層１３の格子定数０．４３５ｎｍとの間の、０．４６９ｎｍの格子定数をもつ砒化ホウ素が好ましく選択される。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】炭素系非晶質薄膜１５の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン３２を注入することにより、薄膜１５に、金属元素を含む第１領域と金属元素を含まない第２領域とを形成する工程と、少なくとも第１領域にエネルギーを供給することにより、第２領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が２ｎｍ以下となる程度に抑制しながら、第１領域に粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。 （もっと読む）

分子イオンのイオンインプランテーション注入の技術を開示する。一実施形態において、本技術は、分子イオンがイオン源内でその場生成され、所定温度で分子イオンをターゲット材ターゲット材料にインプラント注入し、ターゲット材ターゲット材料の歪みおよびアモルファス化のうち少なくとも一方を改善するイオンインプランター注入機を備えるイオンインプランテーション注入装置として実現することができる。 （もっと読む）

プラズマドーピング方法は、ドーパントの重いハロゲン化合物のガスから成るドーパントガスをプラズマチャンバーへ供給するステップを有する。前記ドーパントの重いハロゲン化合物のガスを用いて前記プラズマスチャンバー内にプラズマを形成し、前記プラズマが所望のドーパントイオン及びプリカーサードーパント分子の重いフラグメントを生成する。前記所望のドーパントイオンが所望のイオンエネルギーを有して基板に衝突するように、前記プラズマスチャンバー内の前記基板にバイアスをかけることにより、前記所望のドーパントイオン及びプリカーサードーパント分子の前記重いフラグメントを、前記基板に注入し、前記所望のドーパントイオンにより、前記基板内の注入プロファイルを実質的に決定するように、前記イオンエネルギー及び前記ドーパントの重いハロゲン化合物の組成の内の少なくとも１つを選択する。
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【課題】シリコンウェーハ裏面生じた突起を容易かつ高精度に判別できるシリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびこれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの裏面に生じた突起を検査する方法であって、シリコンウェーハ裏面を所定の半径幅ごとおよび所定の中心角範囲ごとに区切ることによって、シリコンウェーハ裏面を複数のセルＣｅの集合体として仮想分割する準備ステップと、セルＣｅごとに、光照射により形成される干渉縞をもとに前記突起の有無を判別する評価ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）