【課題】耐食性に優れた高耐食性部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼製の基材と、基材の表面の少なくとも一部に被覆された中間層と、中間層の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が４５０℃以下の低温で、中間層および非晶質炭素膜が形成されてなる。
表層部が窒化処理されたステンレス鋼製の基材と、基材の表層部の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が４５０℃以下の低温で、窒化処理および非晶質炭素膜の形成が行われてなる。
上記の高耐食性部材は、製造工程において、ステンレス鋼製の基材の表面が、高温（＞４５０℃）に曝されない。そのため、基材の耐食性は、元のステンレス鋼の耐食性と同等に保たれる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に置かれた基板の加熱と回転を行うことができる装置を提供する。
【解決手段】光束導入部１２１は、チャンバ１の内部に、基板加熱用の光束を導入する。第１歯車２２と第２歯車２３と支持部２４はチャンバ１の内部に配置されている。第１歯車２２は入力軸２１により回転駆動される。第２歯車２３は、入力軸２１と偏心した位置に配置されており、かつ、第１歯車２２の回転に伴って回転駆動される。第２歯車２３は、軸方向に貫通して形成された光束通過部２３１を備えている。支持部２４は、第２歯車２３の回転に伴ってこれと同軸で回転する。支持部２４の内部には、第２歯車２３の光束通過部２３１を通過した光束を通過させる光通路２４１が形成されている。支持部２４の下端近傍には基板ホルダ３が取り付けられている。基板ホルダ３は、光通路２４１を通過した光束によって照射される位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）

導電構造及び該導電構造の周りの電界を変えるように当該導電構造の外部に隣接して配置される絶縁導体を備える装置を提供する。前記絶縁導体は、導体の周りに配置される、絶縁耐力が７５キロボルト（ｋＶ）／インチよりも大きな絶縁体を有する。イオン注入装置も提供する。イオン注入装置は、イオンビームを供給するように構成したイオン源と、キャビティを画成し、該キャビティ内に前記イオン源が少なくとも部分的に配置されるターミナル構造と、絶縁導体とを備えている。絶縁導体は、ターミナル構造の周りの電界を変えるようにターミナル構造の外部に隣接して配置される。絶縁導体は、該絶縁導体の導体の周りに配置される、絶縁耐力が７５キロボルト（ｋＶ）／インチよりも大きい絶縁物を有する。
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【課題】半導体デバイスの製造において行われるイオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥を低減し、優れた耐熱性、耐久性及びイオン注入精度を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法及びイオン注入用ステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】イオン注入用ステンシルマスクの製造方法は、支持層上に第１のエッチングストッパー層を形成し、前記第１のエッチングストッパー層上に第１の薄膜層を形成し、前記第１の薄膜層上に第２のエッチングストッパー層を形成し、前記第２のエッチングストッパー層上に第２の薄膜層を形成し、前記支持層に開口部を形成し、前記第１の薄膜層及び前記第２の薄膜層にイオン注入用の貫通孔パターンを形成することを特徴としている。 （もっと読む）

車両構造体は、車両構造体に３次元的触感のあるパターンを付与するコーティングを備えることができる。更に、車両構造体を形成する方法は、車両構造体に３次元的触感のあるパターンを付与するフィルムを塗付することを備えることができる。前記車両構造体は、前記フィルムにより装飾用触感のある特徴が付与される車両のトリム片であってもよい。薄膜金属層を、物理蒸着などの金属化技術により基材の上に塗付し、その後、放射線硬化性配合物を付与しＵＶ光などの放射線源により露光することができる。前記放射線硬化性配合物は、フィルム上の別々の異なる位置に離間してあり、人間の触覚で識別可能な程度に金属層から延設されたＵＶインクであってもよい。
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【課題】オーステナイト組織を有するステンレス鋼からなる母材を加工後、窒化処理を施しても母材と同程度の耐食性を示す基材をもつ被覆部材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】オーステナイト組織を有するステンレス鋼からなる母材を加工した加工材の表層部を窒化してなり、所定の条件の自然浸漬電位測定で−２００ｍＶより貴の自然浸漬電位を示す基材と、該表層部の表面の少なくとも一部に被覆された無機被膜と、を備える。基材は、母材を加工することで加工誘起マルテンサイトが生成した加工材から加工誘起マルテンサイトを減少させる工程、あるいは、母材をステンレス鋼のＭｄ３０よりも３０℃以上高い温度で温間加工または熱間加工して加工材とする工程を経て、該加工材に窒化処理を行い窒化層を形成することで得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに隣接して配置されたイオン注入器のイオンビーム用ガイドチューブにおいて、ウエハからの脱ガスをガイドチューブ内側から容易に放出させる。
【解決手段】ガイドチューブ１６は、注入中のウェーハ中和に使用される帯電粒子を閉じ込めるために提供される。ガイドチューブは軸と、軸に沿ってイオンビームを受け取るための開放端と、軸に実質的に平行なチューブ壁と、ガイドチューブの内部から外部へのガス伝導通路を形成するチューブ壁を介する少なくとも１つの開口とを有し、通路は、ガイドチューブ軸に直交する通路を介する視線が実質的に閉ざされるように、ガイドチューブ軸に対してある鋭角で整列される長さと、長さを横断する最小寸法とを有する。 （もっと読む）

【課題】 二次電子によって発生するウェハーの汚染を防止できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。また、ＲＦ電界によってチェンバー内で発生するアーク放電を低減できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。さらに、広い圧力条件で安定的なプラズマの生成を可能にし、薄い接合深さを維持しながら、多量のイオンをウェハーに注入するのに適したプラズマを生成できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生ユニットと、該プラズマ発生ユニットから生成されたプラズマのイオンを試料に注入するためのイオン注入ユニットと、該イオン注入ユニットに設けられ、帯電現象を防止するために接地された伝導体と、を含んでプラズマを用いたイオン注入装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁場作用によりイオンビームの軌道をイオン質量に応じて湾曲させ、導入イオンビームに含まれる一または複数種のイオン種を分離する質量分離装置において、イオンビーム電流量を低下させることなく質量分離性能を向上させる。
【解決手段】磁場作用によりイオンビームの軌道をイオン質量に応じて湾曲させ、イオンビームに含まれる一または複数種のイオン種を分離させる質量分離装置１３０において、イオンビームを質量分離装置１３０のイオンビーム入射面１３０ａに対して垂直方向から傾斜させて入射させることにより、イオンビーム電流を大きく低減させることなく質量分離性能を向上させて、より高精度に質量分離されたイオンビームを発生させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】生産効率を低下させることなく、被処理基板の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制する。
【解決手段】不純物イオンを含むプラズマＰ１を発生させるプラズマ室２１と、プラズマ室２１で発生させた不純物イオンを加速して不純物イオンビーム１を生成するための加速部１１と、被処理基板１０が収容され、その被処理基板１０に対し、不純物イオンビーム１を照射させるための第１処理室２２とを備えたイオンドーピング装置３０ａであって、第１処理室２２の開口部Ａを介して隣接すると共に、不活性イオンビーム２が内部に供給される第２処理室２４を有し、開口部Ａには、第１処理室２２で被処理基板１０に対し不純物イオンビーム１によって２次電子４を放出すると共に、第２処理室２４で堆積物４が不活性イオンビーム２によって除去される金属体１５ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源を用いて、イオンビームの空間電荷を効率良く中和して、空間電荷によるイオンビームの発散を効果的に抑制することができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２の経路の近傍に設けられていて電子１２を放出する電界放出型電子源１０を備えている。電界放出型電子源１０は、それから放出するときの電子１２の、イオンビーム２の進行方向に平行な方向からの角度である入射角度が、−１５度から＋４５度（イオンビーム２の内向きが＋、外向きが−）の範囲内の角度を成す向きに配置されている。 （もっと読む）

イオンビームエッチシステム(ＩＢＥ)などの高真空処理システムにおける基体などの被支持部材の温度の制御を向上させるための装置および方法に関する。この装置は、被支持部材(２０)を支持する支持部材(４２)から液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達させる、支持部材(４２)の温度を制御するための熱電デバイス(７０)を備えている。この方法は、液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達する熱電デバイス(７０)を用いて、支持部材(４２)を冷却することを含む。
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【課題】アーク放電装置のチャンバの内部に堆積する不要堆積物がアーク放電に影響を及ぼさないようにする。
【解決手段】アークチャンバ本体１Ａと、該アークチャンバ本体１Ａの内部に設けられ、導入される気体をアーク放電するためのフィラメント９と、アークチャンバ本体１Ａの内部にフィラメント９と対向して設けられたカソード６と、アークチャンバ本体１Ａの内部における上面、底面及び壁面のうちの少なくとも壁面上に設けられたライナベースとを備え、ライナベースの表面は平坦で且つその表面には格子状の溝部１００が少なくともフィラメントと隣接する部分に形成されている。 （もっと読む）

電極組立品は、１つまたは複数の出口を有するシールドによって囲繞された電極材料のコイルと、前記シールドから出る前に前記コイルの軸Ｘ−Ｘに沿って誘導される遮蔽ガスの供給とを備える。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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【課題】耐摩耗性、摺動性、耐透湿性及び表面タック低減性に優れた、電離放射線硬化性樹脂の硬化層上にＤＬＣ皮膜を有する成形体、及びその製造方法、並びに前記成型体およびその製造方法によって得られた成形体を用いる電子部品用シール部材と電子部品を提供する。
【解決手段】被着体と、その上に順に設けられた電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化層及びダイヤモンドライクカーボン皮膜を有する成形体である。 （もっと読む）

本発明の一形態は、帯状のイオンビームのイオンフラックスを調整するための調整方法に関する。この方法は、帯状イオンビームを形成するために、或るイオンビームが或る走査速度にて走査され、複数のダイナミックビームプロファイルがイオンビームが走査されるにつれて測定される。修正された走査速度は、走査されたイオンビームの測定された複数のダイナミックビームプロファイルに基づいて算出される。イオンビームは、修正された走査速度にて走査され、修正された帯状イオンビームを得ることができる。また、他の方法及びシステムについても説明している。
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【課題】離型性と耐久性が高いコーティング膜を提供する
【解決手段】成膜対象物４ａ、４ｂの表面にクロムを注入し、クロム膜を形成した後、クロム膜の表面に白金イオンを注入し、その表面に白金薄膜を形成し、その表面に白金イオンを注入する。本発明ではクロムイオンと白金イオンの注入は、トリガ電圧によって注入装置３２₁、３２₂内でトリガ放電を発生させ、アーク放電を誘起させ、カソード電極からクロムや白金のイオンを放出させると共に、成膜対象物４ａ、４ｂにはアーク放電と同期して負のバイアス電圧をパルス的に印加する。注入層と薄膜との間の密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基材表面処理装置１００は、成膜槽３０と、該成膜槽３０の内部にシート状プラズマ２７を発生させるシート状プラズマ発生装置と、前記成膜槽３０の内部に配置されたスパッタリングターゲット３３Ａと、該スパッタリングターゲット３３Ａに対向するよう前記成膜槽３０の内部に配置された基材３４Ａを保持可能な基材ホルダ３４と、前記スパッタリングターゲット３３Ａに、前記シート状プラズマ２７の電位に対して負の直流バイアス電圧を印加するためのバイアス電圧印加装置Ｖ_２と、前記基材ホルダ３４を介して前記基材３４Ａに、前記シート状プラズマ２７の電位に対して負のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加装置Ｐと、を備える。 （もっと読む）