【課題】 基板上に薄膜を均一な厚さで良好に形成することができるスパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】 白金からなる金属材料を圧延することによって形成された所定厚さの金属板を加熱して再結晶化することによって得られるスパッタリングターゲットを、その結晶組織が面内方向及び厚さ方向の何れにおいても等方性であり且つビッカース硬度の最大値が６０以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板上に薄膜を良好且つ均一な膜厚に形成することができるスパッタリング方法、スパッタリング装置、圧電素子の製造方法及び圧電素子を具備する液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】 ターゲット４０２に対向して配置された基板１１０の表面に、ターゲット４０２をスパッタリングすることによって薄膜を形成する際、ターゲット４０２の表面と基板１１０の表面との間隔（ＴＳ）が１００ｍｍ以上となるようにする。 （もっと読む）

【目的】
露光装置の高ＮＡに対応するために、低入射角度から高入射角度にわたって反射防止効果の高い反射防止膜に有用な低屈折率フッ化物薄膜を形成する
【構成】
金属ターゲットを使用し、不活性ガスとフッ素を含むガス中で直流反応性スパッタリングを行い、ターゲットからの負イオンダメージとプラズマダメージを防止して低吸収の金属フッ化物薄膜を形成するスパッタリングにおいて、
不活性ガス分圧を高く保持してスパッタリングすることで金属フッ化物薄膜中に過剰に取り込ませ、薄膜の密度を任意に調整可能とする。また、不活性ガス分圧を基板近傍のみ高く維持可能なように基板に高速で照射する。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリングに用いられるターゲット電極は、バッキングプレート３の上に石英板２を介してターゲット１が固定されている。バッキングプレート３には、冷却用配管が設けられており、ターゲット１の下面を冷却するようになっている。ターゲット１は、ＭｇＦ_２からなり、その密度は、ＭｇＦ_２のバルク密度に対して９０％以上のものが使用される。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）