【課題】人為的ミスを生じることなく校正を短時間に正確に行うことができるイオン注入装置用の質量分析システムとその校正方法を提供する。
【解決手段】ビーム中のイオン種の質量を測定する質量分析器１０と、２種以上の既知の不活性ガスからなる校正用ガス１１が充填された校正用ガスボンベ１２ａと、校正用ガスボンベからイオン注入装置のイオン源として校正用ガスを遮断可能に供給する校正ガスライン１３と、校正用ガスを用いて校正用ガスのイオンビーム２を発生させて質量分析器１０の校正を行う校正処理装置１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品位な表示装置を実現できる蒸着可能な材料を、蒸着用マスクを用いることなく塗り分け可能にする。
【解決手段】真空容器中にて蒸着源６２から蒸発する蒸着分子を被蒸着物３２に到達させて当該被蒸着物３２に前記蒸着分子による薄膜を形成するのにあたり、前記蒸着分子が前記被蒸着物３２に到達する前に当該蒸着分子を電荷ｅ^-に帯電させる帯電工程と、前記薄膜を形成する箇所に対応して配された電極Ｒへの前記蒸着分子の帯電極性とは異なる＋極性の電圧印加と、前記薄膜を形成しない箇所に対応して配された電極Ｇ，Ｂへの前記蒸着分子の帯電極性と同じ−極性の電圧印加との、少なくとも一方を行う印加工程と、を経る。 （もっと読む）

【課題】磁場作用によりイオンビームの軌道をイオン質量に応じて湾曲させ、導入イオンビームに含まれる一または複数種のイオン種を分離する質量分離装置において、イオンビーム電流量を低下させることなく質量分離性能を向上させる。
【解決手段】磁場作用によりイオンビームの軌道をイオン質量に応じて湾曲させ、イオンビームに含まれる一または複数種のイオン種を分離させる質量分離装置１３０において、イオンビームを質量分離装置１３０のイオンビーム入射面１３０ａに対して垂直方向から傾斜させて入射させることにより、イオンビーム電流を大きく低減させることなく質量分離性能を向上させて、より高精度に質量分離されたイオンビームを発生させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スキマーとイオン化器との間の異常放電を容易に防止することができるガスクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】 ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁１８によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁１８に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室１５とを有している。プロセス室１５には、プロセス室１５内に導入されたガスクラスターをイオン化するイオン化器５と、イオン化器５でイオン化されたガスクラスターを加速させてガスクラスターを被処理物である基板８に照射させる電極群７とが備えられている。ノズル１とスキマー４を接地電位にし、スキマー４とイオン化器５との電位差をクラスターイオンの基板８への照射エネルギーより小さくしてある。 （もっと読む）

【課題】製造コストを下げ製造プロセスを簡略化しても追加の構成要素を必要としないで均一性を改良した高電流イオンビーム発生のための新しいシステム構成を提供すること。
【解決手段】本発明は多様な操作様式を有するイオン注入装置を開示する。それはイオン源およびそこからリボン状イオンビームを引き出すための引き出し手段を有する。イオン注入装置は質量スリットを通って基板に描出するため特定の質量対電荷を有するイオンを選択するマグネット分析機を含む。多極レンズがビームの均一性と平行を制御するために提供される。本発明は、第二の経路がエネルギー濾過を、組み入れ減速システムを組み込んだ２経路ビームラインをさらに開示する。本発明は、注入の様式がターゲットの１次元走査から２次元走査に、また単純な経路から減速を有するＳ状経路に切り替えることができるイオン注入の方法を開示する。 （もっと読む）

【目的】一部に真空アークプラズマを用いて、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に単一膜、混合膜及び積層膜を成膜するプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びこれらを用いて処理された目的物を提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマであり、第１と第２プラズマ導入路２２、２３を介して共通輸送ダクト１０に導入される。このとき、第１及び第２プラズマ１６、１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。各プラズマ導入路のプラズマ導入角度は共通輸送ダクト１０の輸送方向に対して鋭角に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの走査方法及び走査速度によらずに、半導体基板上に形成された半導体装置に対する正のチャージアップを抑制して絶縁膜の絶縁破壊及び損傷を防止できるようにする。
【解決手段】 主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に対して目的核種の均一な注入を行なえる質量分離型ドーピング装置を提供する。
【解決手段】 質量分離型ドーピング装置は、イオンの流路を含み、断面形状が円弧状に形成されたケーシング１と、断面形状の円弧状の周りを取り巻くように、ケーシングに巻かれたコイル５と、コイル５に電流を流すための電源とを備える。コイル５が巻かれている領域は、第１密度で巻かれた第１密度巻回領域と、コイルの全体が一定の密度で巻かれたときにビーム電流が最大となる位置を避ける領域において第１密度よりも小さい第２密度で巻かれた第２密度巻回領域とを含む。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム合金製の部品（５）へのイオン注入装置に関するものであって、該装置は、抽出圧力によって加速されたイオンを放出するイオン源（６）と、前記源（６）によって発信された初期イオンビーム（ｆ１’）の、注入ビーム（ｆ１）への第一の調整手段（７−１１）とを有する。前記源（６）は、部品（５）内に１２０℃を下回る温度で注入されるマルチエネルギーイオンの初期ビーム（ｆ１’）を生産する、電子サイクロトロン共鳴源である。前記調整手段（７−１１）を介して調整された注入ビーム（ｆ１）の、これらのマルチエネルギーイオンの注入は、源の抽出圧力によってコントロールされた深さに同時に実施される。
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【課題】 ビーム通路の内壁を保護する保護板からの金属汚染を低減することができるイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 保護板２７の表面に対して実質的に垂直方向に延び且つ不要なイオンビーム１１Ｂが衝突する垂直壁面３０を有する突出壁部２８を、ビーム通路２６の延在方向に沿って保護板２７の表面に連続して形成する。これにより、不要なイオンビーム１１Ｂが突出壁部２８の垂直壁面３０に衝突したとき、これに伴って発生する壁面の構成粒子などの不純物３２が、選択したイオンビーム１１Ａの軌道に向かって飛来することなく保護板２７の表面に堆積する。よって、当該保護板２７からの金属汚染を従来よりも大幅に低減することができる。 （もっと読む）