気体透過バリアを原子層蒸着（ＡＬＤ）によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ＡＬＤコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

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【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）

保護層（２０８）が、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）リアクタ１００の表面上に形成される。ＡＬＤ又はＣＶＤのリアクタ（１００）のための反応スペース（２００）を明確にする部分は、反応スペース表面（２１０）上の反応性部位（２１０）を不活性化する化学物質（２０６）を用いてインサイチュ又はエクスサイチュで処理され得る。前処理ステップ（５０２）は、処理ステップ（５０４）の前に、存在する反応性部位（２１０）を最大限にすることができる。吸着した処理反応物（２０８）によって反応性部位（２１０）が不活性化されると、後のプロセシング時に反応物ガス（２１４）は、これらの処理された表面上の反応性又は堆積を低減した。従って、パージステップ（３１０，３１４）が非常に短縮され、そしてより多くの数のラン（run）が、リアクタの壁上に蓄積した堆積を除去するためのクリーニングステップの間に実施され得る。

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【課題】ファインパターンが得ることが出来、かつ電気的信頼性に優れた、フィルム状積層体を提供する。
【解決手段】耐熱性重合体フィルムの少なくとも片面に、有機金属化合物のプラズマＣＶＤ層および導電体層が逐次形成されたことを特徴とするフィルム状積層体。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法に適する液体イリジウム化合物、これを用いたＣＶＤ用原料、及び該ＣＶＤ用原料を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 トリス（オクタン−２，４−ジオナト）イリジウム。 （もっと読む）

【課題】 水晶単結晶薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水晶エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、桂素源として珪素のアルコキシドを気化し、反応促進剤である塩化水素とともに基板上に導入する工程と、珪酸エチルと酸素を反応させて基板上に水晶を堆積させる工程を含むものである。前記薄膜は結晶性、光学特性の優れた単結晶水晶薄膜である。 （もっと読む）

［課題］ ガスバリヤ性の優れたトレイ、カップを提供する事にある。
［解決手段］ 開放口を有するトレイ、カップなどの容器の内部を真空にして、ガスを吹き込み高周波を照射する事によりガスをプラズマ化し、容器の内面にＳｉＯｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯなどの金属酸化物または、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）などの蒸着皮膜を形成させた、内容物が酸化され難く、添加剤などが内容物に移行し難いハイバリヤ性トレイ、カップ。 （もっと読む）

【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）カクテルを原料としてＣＶＤ法でＣｕ膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。
【解決手段】Ｃｕ−ＣＶＤプロセス用原料はＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対してｔｍｖｓとＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏを添加して作られる液体原料であり、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対するｔｍｖｓの添加割合が１〜１０ｗｔ％の範囲に含まれ、触媒であるＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．１〜０．０１ｗｔ％の範囲に含まれる。好ましくはｔｍｖｓの添加割合が５ｗｔ％であり、Ｈｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．０４ｗｔ％である。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法に適した有機タンタル化合物及びこれを用いて形成される高誘電体薄膜又は強誘電体薄膜として優れたタンタル含有薄膜を得る。均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のＳＢＴ薄膜が得られる。
【解決手段】 次の一般式（２）で示される有機金属化学蒸着用の有機タンタル化合物単体からなるか、又は前記有機タンタル化合物を有機溶媒に溶解してなる有機金属化学蒸着用原料である。
【化９】


有機溶媒としては炭素数４〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の有機化合物が挙げられる。 （もっと読む）