説明

Fターム[4K030DA02]の内容

CVD (106,390) | 前処理、後処理 (3,120) | 前処理を行うもの (2,181) | 基体の前処理を行うもの (1,282)

Fターム[4K030DA02]の下位に属するFターム

Fターム[4K030DA02]に分類される特許

741 - 746 / 746


【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 (もっと読む)


実質的に純粋な、同形の金属層を1以上の基体上に金属含有前駆体の分解によって堆積する方法。この堆積プロセスの間、基体(一または複数の基体)は前駆体の分解温度より高い温度に維持され、一方、周囲の環境は前駆体の分解温度より低い温度に維持される。前駆体は輸送媒体、たとえば蒸気相の中に分散される。蒸気相はその中に液体も含有し、該蒸気相中の金属含有前駆体(一または複数の金属含有前駆体)の濃度は、金属前駆体(一または複数の金属前駆体)について飽和またはそれに近い状態を与えるレベルにあることができる。輸送媒体と基体との間の上述の温度の制御を確保することによって、かつ輸送媒体について飽和状態を維持することによって、堆積された金属薄膜の品質は顕著に改善され、かつ副生金属粉塵の生成は大きく低減されまたは実質的になくされる。 (もっと読む)


後の堆積、特に原子層堆積(ALD)によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面(200)を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面(200)は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ALD反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−OH、−NH、及び/又は−NH末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

(もっと読む)


内燃モータ用のピストン(20)は、少なくとも部分的に研磨され、その後8GPaを越える硬度を有しかつ0.20未満の摩擦係数を有しているコーティング(26)を被覆された表面(24)を有しているスカート(22)を有する。該ピストンは、性能の向上、寿命の延長、および低減された摩擦を有する。

(もっと読む)


【課題】 パイロジェニック酸化処理とNO酸窒化処理とからなる2つの処理をできるだけ連続に近い形で行わせて、パイロジェニック酸化処理で生じる残留水分を効率良く排出させる。
【解決手段】 反応室3内で、ボート2により支持されたウェハ1に対し、パイロジェニック酸化を行った後、NO酸窒化を連続して行う。このパイロジェニック酸化後、NO酸窒化を行う前に、反応室3からボート2をアンロード位置Aまで引き出してボート2の全部を露出するのではなく、セミロード位置Cまで引き出しボート2の一部のみを露出させる。この状態で反応室3内の残留水分を除去する排除処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、SiCl4 とNH3 を原料ガスとして熱CVD法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 (もっと読む)


741 - 746 / 746