【課題】 半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いて、純度が高いモリブデン膜（モリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜）を低温で容易に形成できる技術を提供することである。
【解決手段】 モリブデン膜もしくはモリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＭｏ源がビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、処理中に生じる飛散物が透過窓に付着して堆積し、徐々に曇りが生じてしまうことを防止し、常時正確な光学測定を透過窓を介して行うことを可能とする。
【解決手段】 高周波電流が供給される励起補助電極を設け、その作用部を誘電体窓に近接して配置する。作用部の形状と配置位置を適切に設定することにより、スパッタ効果が生じ、透過窓に飛散物が堆積することがなく、曇りが生じることを防止することができ、プラズマ処理を行いながら、正確な光学測定を連続して行うことができ、被処理物の状態を常時知ることができる。励起補助電極は、励起コイルに直列に接続するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 これまでのＴｉＳｉ_２やＣｏＳｉ_２では奏することが出来ない優れた特長を奏するＮｉＳｉ膜を基板に損傷を与えることなく形成できる技術を提供することである。
【解決手段】 ニッケルシリサイト膜またはニッケル膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＮｉ源がＮｉ（ＰＦ₃）₄である。 （もっと読む）

本発明は、式ｉ−ＰｒＮ＝Ｔａ（ＮＲ_１Ｒ_２）_３［式中、Ｒ_１及びＲ_２は、同じか又は異なり、１〜３個の炭素原子を有するアルキルであり、但し、（ｉ）Ｒ_１がエチルの場合、Ｒ_２はエチル以外であり、（ｉｉ）Ｒ_２がエチルの場合、Ｒ_１はエチル以外である］により表される有機金属前駆体化合物、並びに前記有機金属前駆体化合物から被膜、コーティング又は粉末を製造する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物に関する。本発明はまた、前記核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物を生成するのに十分な反応条件下で、ビス（置換ペンタジエニル）ルテニウム化合物を置換シクロペンタジエン化合物と反応させることを含む核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物を製造する方法に関する。本発明は、核形成密度が高い有機金属ルテニウム化合物前駆体を分解し、これにより被膜、コーティング又は粉末を製造することにより、被膜、コーティング又は粉末を製造する方法にさらに関する。 （もっと読む）

本発明は、約１０００ｐｐｍ未満のジルコニウム濃度を有するハロゲン化ハフニウム組成物、約１０００ｐｐｍ未満のジルコニウム濃度を有するハロゲン化ハフニウム組成物の製造方法、有機金属化合物前駆体、有機金属化合物前駆体の製造方法、及び有機金属化合物前駆体からの膜又は被膜の製造方法に関する。有機金属化合物は、膜蒸着のための化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として半導体用途に有用である。
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アミノ置換ジシラン化合物に基づいた新規な種類の揮発性液体前駆体を用いて、基板の表面上に窒化シリコンの誘電体材料を形成する。この種類の前駆体は、当該技術分野に内在する高い堆積温度の問題及び望ましくない副生成物の形成を克服するものである。別の態様においては、基板上に窒化シリコン膜を堆積させる方法を提供する。 （もっと読む）