【課題】膜質のばらつきを減少して優れた膜を形成することが可能な気相反応成長装置および気相反応成長方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、基板保持部材としてのサセプタ５と原料供給部材としてのガス供給部材１２と加熱部材としてのＵＶランプ１１と波長規制部材としてのフィルタ１３とを備える。サセプタ５は半導体基板７を保持する。ガス供給部材１２は、サセプタ５に保持された半導体基板７に膜を成長させるための原料ガスを供給する。ＵＶランプ１１は、サセプタ５に保持される半導体基板７にエネルギー線（紫外線）を照射することで表面を加熱する。波長規制部材（フィルタ１３）は、半導体基板７に照射されるエネルギー線の波長を規制する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、長期に亘って高いガスバリア性を維持しつつ、酸化珪素化合物膜の劣化や酸化珪素化合物膜と容器の外観形状を形作る樹脂との密着性の低下を防止する合成樹脂製容器を提供する。
【解決手段】本発明は、ボトル１の外観形状を形作るPET樹脂製の本体11を有し、この本体11の内表面11aに、元素組成比の異なる柔軟な酸化珪素化合物膜12と酸化珪素化合物膜13を備え、膜12は、Ｓi、Ｃ及びＯの組成比（原子％）がそれぞれ、条件Ａ（Ｏの組成比：０（原子％）を含まない範囲）、条件Ｂ（Ｃの組成比：０（原子％）を含まない１５（原子％）以下の範囲）及び条件Ｃ（Ｓiの組成比：１５（原子％）以上、５０（原子％）以下の範囲）を同時に満たしてなる。更に、膜13は、Ｓi、Ｃ及びＯの組成比（原子％）がそれぞれ、条件ａ（Ｏの組成比：０（原子％）を含まない範囲）、条件ｂ（Ｃの組成比：０（原子％）を含まない５（原子％）以下の範囲）及び条件ｃ（Ｓiの組成比：２５（原子％）以上、４５（原子％）以下の範囲）を同時に満たしてなる。 （もっと読む）

加工チャンバ、繰り返しトリガされるように適合させたフラッシュ・ランプ、フラッシュ・ランプの制御入力に接続されてフラッシュ・ランプをトリガするコントローラを用いて半導体加工を実施するためのシステム及び方法が開示される。本システムは、ウェハ加工において、フラッシュ・ランプと並行して固体プラズマ・ソースを配備することができる。
（もっと読む）

【課題】 優れた保存性、および内容物視認性の両方を兼ね備え、例えば栄養剤の包装容器として使用した場合に、内容物の長期保存が可能であり、かつ内容物の投与量や投与速度を正確に調節することを可能とする包装材料を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムからなる基材層（３）、ヒートシール性樹脂層（４）、印刷層（６、７）、および場合によって樹脂フィルムからなる中間層を有する積層材からなる包装材料において、
前記基材層、または前記中間層にガスバリア性層（５）を設け、さらに
前記包装材料の一部または全部が、２５０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長領域において２０％以下であり、そして６５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において５０％以上の光線透過率を有する内容物視認部分であり、かつ他の部分が２０％以下の全光線透過率を有することを特徴とする包装材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】 優れた耐水性、保存性、内容物視認性を兼ね備え、栄養剤の包装容器として使用した場合に、水蒸気殺菌処理によっても各層が剥離せず、内容物の長期保存、投与量や投与速度の正確な調節を可能とする包装材料を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムからなる基材層（３）、樹脂フィルムからなる中間層（５）、印刷層（７、８）、およびヒートシール性樹脂層（４）を有する積層材からなる包装材料において、
前記基材層、または前記中間層にガスバリア性層（６）を設け、
前記印刷層を前記ガスバリア性層に接しないように設け、さらに
前記包装材料の一部または全部が、２５０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長領域において２０％以下であり、かつ６５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において５０％以上の光線透過率を有する内容物視認部分であり、他の部分が２０％以下の全光線透過率を有することを特徴とする包装材料。 （もっと読む）

【課題】
サファイア基板上に水晶をヘテロエピタキシャル水晶薄膜では、カットアングルを補正することができない欠点とサファイア基板と水晶薄膜との熱膨張係数の差で生じる残留応力の問題を解決する。
【解決手段】
任意に傾けたオフ角２°〜４°の水晶基板に５００℃以下の低温でのホモエピタキシャル膜の作製に光ＣＶＤ装置を使用し、無ひずみ加工の状態の水晶基板上にホモエピタキシャル水晶を結晶成長させることで成長方位の制御を可能とし、水晶基板と水晶薄膜とのの間の残留応力が発生しないため長期安定性に優れたＡＴカット水晶振動子や弾性表面波デバイス用水晶エピタキシャル基板を提供できる。本発明の水晶エピタキシャル基板は、大口径のΦ４インチ水晶ウェハを使用する。バッチ処理でこのΦ４インチ水晶ウェハ上に多数のパターンを形成後、ダイシングで個々のチップに分割し、一括処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度で非晶質のゲート酸化膜をＣＶＤで作成できる技術を提供する。
【解決手段】熱、プラズマ、光、レーザーの群の中から選ばれるいずれかの手法を用いて、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｌｎの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の元素源となる化合物、Ｓｉ源となる化合物、及びＯ源となる酸化剤とを分解させて形成するゲート酸化膜の膜形成材料であって、前記ゲート酸化膜におけるＳｉ源としてＳｉ（ＮＣＯ）_４を溶媒中に溶解してなるものを用いる。 （もっと読む）

参照符号（１）で示す基材加工システム。基材（２）基材載置位置（３a）と加工位置（３b）の双方において図示してあるピストン（３）に載置されている。基材はドア（５）からポート（４）を介して載置される。載置領域（７a）および/または残るチャンバー空間（７）は（図示しない)ポンプと接続する真空排気パイプ(6)を介してポンプアウトすることができる。簡略化して図示した線形駆動機構（８）がチャンバー内でピストンおよび基材を上昇させることによって、ピストンとチャンバー壁とが密着した状態の、チャンバーのプロセス・ボリュームが画定される。 （もっと読む）

【課題】ラジカル処理においてラジカルフラックスを広範囲かつ精密に制御することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。第１のガス排気手段１０６ａは、ガス導入手段１０５よりもラジカル生成領域１１１の側に設けられる。第２のガス排気手段１０６ｂは、ガス導入手段１０５よりも被処理基体支持体１０３の側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】大流量のガス導入時にも被処理基体の表面近傍に不均一なガスの流れが発生することを防止し、ラジカル拡散濃度の空間分布を均一化し、被処理基体の表面の均一な処理を行うことができるラジカル処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室１０１、排気手段１０６、ガス導入手段１０５、処理室１０１内の上部のラジカル発生領域１１１に中性ラジカルを生成する中性ラジカル生成手段１０８、ラジカル発生領域１１１よりもガス流の上流に設置され、被処理基体１０２を支持する被処理基体支持手段１０３とを有し、ガス導入手段１０５をラジカル発生領域１１１と被処理基体支持手段１０３との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】 プロセス全体に要するコストや時間を軽減させ、微粒子をナノオーダで選択的に堆積させつつ、高精度なパターニングを実現する。
【解決手段】 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、ナノメータサイズの核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることに着目し、ナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射させ、この照射する光の波長を制御することにより微粒子を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンの形成の精度を向上させることが可能な製膜装置を得る。
【解決手段】 基体１６０上に第１の化学種を吐出する第１のノズル１０２ａと、基体１６０上に第２の化学種を吐出する第２のノズル１０２ｂと、第１の化学種を貯留する材料貯留室１０１ａと反応活性種を発生させる反応活性種発生部１０３ａ、第２の化学種を貯留する材料貯留室１０１ｂと反応活性種を発生させる反応活性種発生部１０３ｂを備え、第１のノズル１０２ａと第２のノズル１０２ｂは、吐出された第１の化学種の流れと第２の化学種の流れが交差するように設置される。 （もっと読む）

【課題】 高性能な電子デバイスが得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスを提供することである。
【解決手段】 Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける。 （もっと読む）

【課題】高品質の蒸着膜を得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０１と、チャンバー２０１内部の所定領域に位置したシャワーヘッド２１１と、シャワーヘッド２１１と対応するように位置し、表面に基板２３２が装着されたチャック２３１と、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１と、を含み、シャワーヘッド２１１は、第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４と、第１ガス注入口２１３と連結されたシャワーヘッド２１１内部の空洞部２１２と、空洞部２１２と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第１ノズル２１５と、第２ガス注入口２１４と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第２ノズル２１６と、を含む。 （もっと読む）

ナノレイヤ堆積（「ＮＬＤ」）と呼ばれる、ＣＶＤ及びＡＬＤのハイブリッド堆積プロセスが提供される。このナノレイヤ堆積プロセスは、非自己制御型堆積プロセスにおいて、第１の複数の前駆体をチャンバに導入し、第１の層を基板上に堆積させる第１のステップと、次に、該第１の組の前駆体をパージする第２のステップと、第２の複数の前駆体を導入し、堆積された薄膜を修正する第３のステップとを含む周期的シーケンス堆積プロセスである。第１の組の前駆体を用いるＮＬＤプロセスにおける堆積ステップは、非自己制御型であり、基板温度及びプロセス時間の関数である。第２の組の前駆体が、既に堆積された膜の特徴を修正する。第２の組の前駆体は、膜の組成の修正、ドーピング、又は堆積された膜からの不純物の除去のように、堆積された膜の処理を行うことができる。第２の組の前駆体は、堆積された膜上に別の層を堆積させることもできる。追加の層は、既存の層と反応して複合層を形成するか、又は最小の反応を起こしてナノラミネート膜を形成することができる。
（もっと読む）

コーティング済み基板を形成する方法は、流れから基板の上に材料を堆積することに基づくことができ、ここで、コーティング材料は、流れ内部での反応によって形成される。プロセスチャンバ（３００）において、生成物材料を、光入口（３２０）を経て供給される照射ビームから吸収された光子エネルギーによって駆動される反応において形成してよい。生成物流れを有する流れを、ノズル（３０８）に接続し、排気口（３２２）によって出るガス／紙入口管（３０６）を経て基板において指向してよい。例えば基板キャリア（３１６）を生成物流れを通して並進運動させるアーム（３１８）によって、基板を流れに対して移動させてよい。コーティング材料を、十分に緻密化したコーティング材料の６５％〜９５％の密度を有し非常に高いレベルのコーティング均一性を有して形成することができる。
（もっと読む）

【課題】波長純度の高い紫外光を得ることのできるＥＬ素子及びレーザ発光素子を提供する。
【解決手段】ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。発光層としてポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。 （もっと読む）

アルミノシリケート前駆体で、高い機械的な強度の、低いｋの、層間の誘電体の材料を、アルミニウムがその材料のケイ素の基材の中へ手軽に組み込まれるように、形成するための方法、及び、そのように形成された一つ又はより多くの高い強度、低いｋの層間の誘電体の層を含む集積回路デバイス。

（もっと読む）

【課題】 半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いて、純度が高いモリブデン膜（モリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜）を低温で容易に形成できる技術を提供することである。
【解決手段】 モリブデン膜もしくはモリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＭｏ源がヘキサジメチルアミノジモリブデン、ヘキサエチルメチルアミノジモリブデン、及びヘキサジエチルアミノジモリブデンの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いて、純度が高いタングステン膜（タングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜）を低温で容易に形成できる技術を提供することである。
【解決手段】 タングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源がヘキサジメチルアミノジタングステン、ヘキサエチルメチルアミノジタングステン、及びヘキサジエチルアミノジタングステンの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。 （もっと読む）