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Fターム[4K030GA12]の内容

CVD (106,390) | 基体の支持、搬送 (3,879) | 搬送 (1,186) | 基体の搬送 (1,157)

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本発明は、真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関し、線形処理システムを横断するためにアームからアームへと材料を処理するための方法及びシステムを含む。 (もっと読む)


半導体ウェーハを取り扱ういろいろなエンドエフェクタの設計が開示されている。例えば、比較的低温でウェーハを取り扱うエンドエフェクタが、比較的高温でウェーハを取り扱うエンドエフェクタとともに開示されている。いずれのエンドエフェクタも、ウェーハの縁部で該ウェーハに単に接触するように構成されている、独自に設計された支持部材を含んでいる。エンドエフェクタは、また、ウェーじゃ検出システムを含み得る。比較的低温でウェーハを取り扱うエンドエフェクタは、また、ウェーハを位置決めするばかりでなく、エンドエフェクタに取り付けられているロボット・アームにより引き起こされるエンドエフェクタの加速または減速中、エンドエフェクタ上のウェーハを保持するのに使用される押し装置を含み得る。設計されているように、エンドエフェクタは、非常に薄い外形を有し、簡単に操縦しやすいエンドエフェクタを作り得る。

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窒化タンタル/タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはPVDで堆積される。窒化タンタル/タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 (もっと読む)


【課題】占有スペースやコストを大幅に削減することができ、しかもスループットを向上させることが可能な被処理体の処理システムを提供する。
【解決手段】第1の大気圧搬送室4と、第1の大気圧搬送室内に設けられた第1の搬送機構20と、第1の大気圧搬送室にロードロック室を介して直交するように設けた第1の真空搬送室6と、第1の真空搬送室内に設けた第2の搬送機構36と、第1の大気圧搬送室に接続した大気圧バッファ搬送室8と、大気圧バッファ搬送室内に設けたバッファ用搬送機構44と、大気圧バッファ搬室に直列に接続した第2の大気圧搬送室10と、第2の大気圧搬送室内に設けた第3の搬送機構54と、第1の真空搬送室に接続した真空処理室12A〜12Cと、第2の大気圧搬送室にロードロック室を介して接続した真空処理室12D、12Eとを備えて処理システムを形成する。 (もっと読む)


【課題】 処理対象となる半導体ウェハ(基板)の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ22上面のウェハ保持エリア50において、ウェハWとウェハ加熱面52との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部54でウェハWを支持する。さらに、ウェハ加熱面52上に、ウェハWとの隙間の距離が小さくなる凸部58を設ける。このとき、サセプタ22からウェハWへの加熱条件がウェハ保持エリア50の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハW面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、SiCl4 とNH3 を原料ガスとして熱CVD法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 例えばプリヒ−トを行ってから成膜する場合に、プリヒ−ト時間を短縮すること。
【解決手段】 プリヒ−ト時と成膜時との間で主電磁コイル26及び補助電磁コイル27の電流値を変えることにより、得られる磁界の形状を変化させ、成膜時は均一性が大きいが磁束密度が小さい磁界、プリヒ−ト時は均一性は小さいが磁束密度が大きい磁界とする。この結果成膜時はウエハWの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。一方プリヒ−ト時は均一性は悪いもののプラズマ密度が成膜時よりも大きいプラズマが発生するのでウエハWへの入熱量が成膜時よりも多くなり、プリヒ−ト時間を短縮することができる。 (もっと読む)


グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
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