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Fターム[4K030GA13]の内容

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Fターム[4K030GA13]に分類される特許

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【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバLLとプロセスチャンバPCの間で移送されるキャリア7と、プロセスチャンバPC内に移送されたキャリア7から基板7を受け取るフック19を備えており、基板5への真空処理はキャリア7がロードロックチャンバLLに退避した後に行われる。 (もっと読む)


【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被処理体が大型化した場合であっても、同時に処理すべき被処理体の枚数を抑える必要がない。
【解決手段】熱処理装置1はクリーンルーム1A内に設置される。この熱処理装置1は被処理体Wを収容して熱処理するための処理容器3と、処理容器3の周囲を覆う断熱材16と、断熱材16内周面に設けられたヒータ5とを有する熱処理炉2と、処理容器3の上方の炉口3aを閉塞する蓋体10と、蓋体10に保温筒11を介して吊設され被処理体Wを多段に保持する保持具12とを備えている。熱処理装置1の熱処理炉2のうち、高さ方向長さの大部分は、クリーンルーム1Aの床面F下方に位置している。 (もっと読む)


【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板(ウエハ)へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート3を縦型の熱処理炉2内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口20から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート3が前記熱処理炉2の下方側に位置しているときに、前記炉口20を塞ぐ蓋体61を設ける。この蓋体61は前記炉口20を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体61が前記炉口20を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体61の上面のパーティクルをクリーニングノズル7により吸引して除去する。このため、次に蓋体61が炉口20を塞いだ時に、熱処理炉2内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着工程を効率的に進めることができ、蒸着膜特性を容易に向上させる、基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着装置に係り、排気口を具備するチャンバ、チャンバ内に配置され、基板を装着するように装着面を具備するステージ、基板の薄膜が形成される平面方向と平行にガスを注入する少なくとも一つ以上の注入ホールを具備する注入部、及び基板と対向し、基板と離隔するように配置されるプラズマ発生部を含む気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明では、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置1は、被処理材Sをキャリア3に保持した状態で搬送路Rに沿って搬送し、搬送路Rに沿って配置された複数のプロセスチャンバで所定の真空処理を行う装置であり、搬送路Rの角の部分にそれぞれ配置されている複数の方向転換チャンバ内でキャリア3に保持される被処理材Sの交換が行われる。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部252が形成された枠体250と、開口部252を開閉する弁体266と、枠体250の開口部252周辺に設けられ、弁体266が閉じられた場合、弁体266が密着するシール部材256と、枠体250に設けられた開閉軸262と、開閉軸262を中心として回転するように設けられ、弁体266を移動自在に支持する支持体と、弁体266の開閉軸262が設けられた側よりも反対側がシール部材256に近づくように弁体266を付勢する付勢部材272と、を有する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れ、かつ高強度でありながら、低熱容量で持ち運びがし易い減圧処理容器を提供する。
【構成】ステンレススティールにより円筒状に成形された薄肉の内容器体11と、内容器体11との間に真空の断熱空間13を形成し、ステンレススティールにより円筒状に成形され、その外周面にリブ状の起伏部15を多数形成してなる薄肉の外容器体17aと、を接合して二重構造とし、内容器体11の肉厚以下とし、かつ、内容器体11と外容器体17aとの隙間変化を吸収する、金属材料、特にはステンレス製の、例えば、断面をU字型とした底板19を用いた構造として低熱容量、かつ耐熱性に優れ、高強度とした。 (もっと読む)


【課題】基板用キャリアへの電気的接触を改善した要素を備える真空処理チャンバを提供する。
【解決手段】 具体的な実施例は、キャリアを支持する台を有するプラズマ処理チャンバを提供し、複数の固定ポストおよび弾性接触部が台の領域を通じて配布されている。固定ポストはキャリアへの物理的な支持を与える。一方、弾性接触部は、信頼性が高く繰り返し可能なキャリアへの多点電気的接触を提供する。 (もっと読む)


【課題】ワーク搭載用のトレイに載置された基板に処理を行う際、昇降装置により支承されたトレイの平面度を向上する。
【解決手段】基板カートKの複数のトレイTは、基板搬送装置70の搬送用ローラRにより、一対の側縁の下面を支承されている。基板カートKの下方には、複数の昇降装置50が配列されており、各昇降装置50の先端側の保持部52は、受け板53を介して、トレイTの下面を支承している。各昇降装置50の保持部52によるトレイTの下面の支承面と、複数の搬送用ローラRによるトレイTの下面の支承面とを、トレイTの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイTに搭載された基板Wに薄膜が成膜される。 (もっと読む)


【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理装置1は、ボート12に保持されたウエハWを処理する処理容器3と、処理容器3を加熱するヒータ18Aと、ヒータ18Aを制御する制御装置51とを備えている。ヒータ18Aと処理容器3との間にアウタ温度センサ50が設けられ、処理容器3内にインサイド温度センサ81およびインナ温度センサ82が設けられ、ボート12にプロファイル温度センサ83が設けられている。これら温度センサ50、81、82、83は温度予測部51Aに接続され、温度予測部51Aは、いずれか2つの温度センサ、例えばインサイド温度センサ81およびプロファイル温度センサ83を選択し、選択された温度センサ81、83からの検出温度をT1、T2としたとき、T=T1×(1−α)+T2×α、α>1によりウエハ温度Tを求める。 (もっと読む)


【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 (もっと読む)


【課題】カートの温度低下に起因するカートからのパーティクルの発生を抑制できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理された基板をカート11から取り出し、成膜処理されていない基板をカート11に搭載する移載機12と、カート11を加熱する加熱室13と、カート11に搭載された基板に成膜処理を行う成膜処理装置14と、移載機12と加熱室13と成膜処理装置14との間でカート11を搬送させるカート搬送装置15と、移載機12にカート11が格納されている基板移載時間Tiを計測するタイマー16と、成膜処理されていない基板がカート11の基板搭載位置のすべてに搭載された場合、又は基板移載時間Tiが一定時間を越えた場合のいずれかに、移載機12から加熱室13にカート11を搬送するようにカート搬送装置15を制御する制御装置17とを備える。 (もっと読む)


【課題】生産性を向上させる薄膜太陽電池製造システムおよび薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括処理する第1成膜装置22,23と、複数の基板を一括処理する第2成膜装置79,80と、第1成膜装置22,23および第2成膜装置79,80に、複数の基板を収容して搬送可能であるカセットとを備えている。カセットの基板収容枚数は、第1成膜装置22,23の基板処理枚数と第2成膜装置79,80の基板処理枚数との公倍数である。 (もっと読む)


シリコン系薄膜太陽電池のための可動治具は、平行電極板(203、208)、支持フレームおよび信号給電アセンブリ(201)を含む。支持フレームが可動フレームであり、その側部フレーム(216)が接地される。擾乱を防ぐため、治具上または治具アレイ間にシールド装置が設けられる。信号給電アセンブリが導体であり、その中間部分およびヘッド部分がラダー円筒を形成し、信号給電アセンブリの一つの端部表面(201−1)が三角であり、電極板のカソード板(203)の背面表面の中心領域でくぼんだ三角給電ポート(203−1)と表面接触および接続することができ、高周波/超短波電源信号を給電することができる。電極板の中心における表面給電の方式により、一点給電または多点給電方式のフィーダ距離によって生じる消費を低減することができ、均一な電界の大面積の安定した放電を得ることができ、生産効率を増大し、コストを減少させることができる。
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【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置1は、トレイ20を少なくとも1つ収容できる密閉可能な密閉容器2と、密閉容器2内にエッチングガスを供給できるガス供給口10と、密閉容器2内のガスを排気できるガス排気口11と、密閉容器2に収容されたトレイ20の開口部を貫通可能に配設された軸部材3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第1の搬送装置34が配置された搬送室31と、搬送室31の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室32と、搬送室31と処理室32との間に設けられ、第1の搬送装置34が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置34から移載して処理室32に搬送する第2の搬送装置37が配置された移載室33と、を備える。 (もっと読む)


【課題】キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置1は、2つのプロセスチャンバPC1,PC2と3つのロードロックチャンバLL1,LL2,LL3が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバPC1(PC2)とロードロックチャンバLL1(LL2,LL3)との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバPC1(PC2)内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバLL1(LL2,LL3)内に位置するとき被成膜材が交換される。 (もっと読む)


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