磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

本発明は、基板上の透明バリア層システムに関しており、このバリア層システムには一連の個別層が含まれており、これらの個別層は層Ａおよび層Ｂから交互に構成されており、層Ａと層Ｂとは、水蒸気が透過する際の活性化エネルギが少なくとも1.5kJ/molの差分だけ異なる。
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【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン製造装置及びアモルファスカーボン製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。このため、カーボンのｓｐ２／ｓｐ３結合比を調整することができ、所望のバンドギャップを有するアモルファスカーボンＣを容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】４４０６は真空容器、４４０７は電極Ｉ、４４０８は基体、４４１０はシャワープレート、４４１１は電極ＩＩ、４４１２はガス導入口、４４１３は磁場の印加ロ手段、４４１４は真空ポンプ。磁場の印加手段４４１３として、複数の永久磁石を環状に並べたダイポールリングマグネットが用いられている。ガス導入口４４１２から導入されたガスは、シャワープレート４４１０の多数の小孔からプロセス空間に放出される。この導入ガス、及び基体表面から放出された反応生成ガスは、基体側部の磁場の印加手段４４１３ａ及び４４１３ｂに挟まれた空間を通り、複数の真空ポンプ４４１４から外部へ排気される。真空ポンプ４４１４の上部には、ガスのコンダクタンスを低下させないよう比較的広い空間が設けてある。 （もっと読む）

【課題】シート形状のプラズマを用い、処理対象が３次元構造である場合でも処理を均一に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から陽極に向かって引き出されたプラズマに対して、対向する方向からプラズマ軸に向かう一対の磁界を印加して該方向に交差する方向にプラズマ径を広げ、プラズマの断面形状を扁平にする。一対の磁界の印加方向を軸を中心に回転させ、プラズマの扁平な方向を軸を中心に傾斜させる。これにより、立体構造の基板の端部（側面部）にプラズマを傾斜させて接近させることができるため、基板の中央部と端部の処理速度の分布を低減し、処理速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】三次元形状もしくは複雑な形状の物品表面に均一性良く成膜でき、基板ホルダーが安価ですむプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ４を保持及び収束する磁場を発生させる手段としてのプラズマ収束コイル１を用い、成膜される基板３の裏側に、該基板３に沿わせた形状を有しかつ材質が強磁性体である基板ホルダー２を設置する。プラズマ収束コイル１による磁場と、基板ホルダー２が磁化されることによってできる磁場との合成磁場により、プラズマ４を基板３に沿うように近づける。 （もっと読む）

流動懸濁物又はエアロゾルから固体粒子をフィルター上に蒸着し、次いで固体粒子を接着剤を用いて第二基材に接着することからなる薄膜材料形成法。
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【課題】 材料ガスによるプラズマガン内の汚染を防止する。
【解決手段】 プラズマガン１８内で発生されたプラズマ３４は、アパーチャ２４を介して真空槽１２内に供給される。この状態で、真空槽１２内に材料ガスとしてのＴＭＳガスおよびアセチレンガスが導入されると、これらのガスはプラズマ化され、プラズマ化されたガスは、被処理物５４，５４，…の表面において化学反応を起こす。これによって、被処理物５４，５４，…の表面に、シリコンを含有するＤＬＣ膜が形成される。
なお、ＴＭＳガスおよびアセチレンガスは、アパーチャ２４を介してプラズマガン１８内にも流入する。そして、特にアセチレンガスに含まれる炭素によって、プラズマガン１８内が汚染される。しかし、この炭素は、エッチングガスとしての酸素ガスと反応して、二酸化炭素となり、真空ポンプ１６によって真空槽１２の外部に排出される。 （もっと読む）

連続したプラズマ強化プロセスにおいてウェブ材料を処理するための装置を提供する。当該装置は真空チャンバ（１）を含み、真空チャンバ（１）は、チャンバ（１）内に配置されチャンバ（１）内で一定の減圧を維持するための手段（２）を備え、当該装置はさらに、ウェブ（４）を支持しかつ搬送するための回転ドラム（３）と、ドラム（３）によって支持および搬送されるウェブ（４）に面するマグネトロン手段と、ドラムとマグネトロン手段との間におけるプラズマが維持される空間（１０）にプロセスガスまたはプロセスガス混合物を供給するためのガス供給手段とを含む。マグネトロン手段は、互いに平行に並んで配置される長方形のマグネトロン面を備えた複数の独立したマグネトロン電極（６）を含む。各マグネトロン電極（６）は、それ自体の電源手段（７）によって交流電圧が個々に供給される。ドラム（３）は電気的に接地されるか、浮遊するかまたは負にバイアスがかけられる。当該装置は、プラズマ強化化学気相成長プロセスで可撓性のあるウェブ（４）をコーティングするのに特に好適であり、たとえばそのバリア特性を向上させるために酸化珪素でポリマー膜のウェブをコーティングするのに好適である。当該装置は極めて一定の品質を有する信頼性の高いコーティングで作られ、単純な態様で実行可能なメンテナンスを少ししか必要としない。
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【課題】高品質のガラス膜を形成し、信頼性の高い光ファイバプリフォームを形成する方法および装置を提供する。添加物密度の均一な光ファイバプリフォームを提供する方法および装置を提供する。
【解決手段】ガラス管１００内に、プラズマ領域ＰＲを形成し、前記ガラス管を前記プラズマ領域に対して相対的に往復運動させることにより、プラズマ誘起ＣＶＤ法により、前記ガラス管内面にガラス膜を成膜する工程を含む光ファイバプリフォームの製造方法において、前記プラズマ領域に磁界を印加し、プラズマを封じこめつつ、成膜する。 （もっと読む）