【課題】プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】真空雰囲気に保持されるチャンバー１と、チャンバー１内に互いに平行に配置された第１および第２の電極２，１８と、第１および第２の電極２，１８の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構１０とを有する容量結合型のプラズマ処理装置１００において、第２の電極１８は、その少なくとも第１の電極２との対向部分が、導体からなりフローティング状態かまたは接地されている第１の分割片１８ｃ_１および第２の分割片１８ｃ_２に分割されており、第１の分割片１８ｃ_１および第２の分割片１８ｃ_２の間に電圧を印加する可変直流電源をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】
内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。 （もっと読む）

均一な間隔を置いて配置されたスロットを有するスロット付き静電シールドを使用して処理表面に非対称プラズマ密度パターンを生み出す誘導結合プラズマ源を使用して処理物体を処理するためのより均一なプラズマプロセスが実現される。このスロット付き静電シールドは、非対称プラズマ密度パターンを補償する方法で変更されて、変更されたプラズマ密度パターンを処理表面に提供する。処理表面を横切る変更された半径方向変動特性を生み出すような方法で所与の静電シールドに取って代わるように静電シールド配置が構成されたより均一な半径方向プラズマプロセスが示される。誘導結合プラズマ源は対称軸を構成し、静電シールド配置は、この対称軸についてある半径の範囲にわたって広がる形状を含むように構成される。 （もっと読む）

【課題】 異常放電、膜剥離若しくはそれらに起因して生じるターゲットノジュール成長の抑制又は発塵源の低減を図る成膜装置を提供することを目的とする。また、本発明は、カソード電極近傍の構造物に対する膜堆積速度を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 負電位を有するカソード電極の対向側に位置する基板に、放電現象により成膜を行うための成膜装置であって、前記カソード電極の外周側、且つ、前記基板側に、接地電位又は正電位を有するアノード電極として、回転自在に構成された少なくとも１本以上の柱状体を、前記カソード電極の外周方向に沿って軸支して配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【発明の課題】 電子陰影効果を制限することができ、高エネルギのイオンまたは電子を生じることなくダメージのないウェハー処理として構成されるプラズマ処理装置および方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成部１００と、処理されるべきウェハー１５が配置されているウェハー処理部２００と、プラズマ生成部およびウェハー処理部を分離する金属グリッド２２と、プラズマ生成部に配置され、電子を放出するためのポーラスシリコン層２７を有する上部電極２１と、ガスを導入するガス導入ユニットと、プロセスガスを導入するためのガス導入口とから構成される。 （もっと読む）

【課題】比較的大面積の基板上に形成対象物（例えばカーボンナノチューブ）を該基板面に対する垂直配向性良好に立ち上がるように堆積成長させることができるプラズマ化学気相堆積装置及びプラズマ化学気相堆積方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内に配置された三つの電極のうち電極２１上に基板Ｓを設置し、容器１内へ形成対象物（例えばカーボンナノチューブ）の堆積成長のためのガスを導入するとともに容器１内を排気して所定のガス圧に設定しつつ電極２１、２２間に直流電圧を印加して直流放電プラズマＰ１を形成する一方、電極２３に高周波電圧を印加して高周波放電プラズマＰ２を発生させ、プラズマＰ２をＤＣ放電プラズマＰ１へ拡散させつつ基板Ｓ上に形成対象物を堆積成長させるプラズマ化学気相堆積装置Ａ及び装置Ａによるプラズマ化学気相堆積方法。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置にあっては、電極間に形成される処理のためのプロセス領域に、比較的大型の基板を配置した場合、基板の表面にわたって処理の不均一が生じる。
【解決手段】 プラズマを用いて基板を処理するための装置は、互いに間隔を隔てて配置された、第１の電極と第２の電極とを備える。第１の電極と第２の電極との対向面には、真空気密に分離リングが係合して、両電極の間には、ガス抜きが可能なプロセス領域が形成される。プロセス領域には、プロセス領域へ処理用ガスを導入するための処理用ガスポートが連通している。第１及び第２の電極のいずれかに形成された真空ポートを介してプロセス領域を排気することで、プロセス領域内の処理用ガスからプラズマを励起させるのに適した圧力にして、第１及び第２の電極に電力を与える。 （もっと読む）

本発明のプラズマ発生装置は、柱形状の電源極、電源極の周りを覆う誘電体膜、電源極に隣接して配置される補助プラズマ接地極、反応ガスを提供するためのガス流入部、及び電源極に印加されるＲＦ電源を制御する電源コントローラを含み、プラズマ発生装置が作動する間には、電源コントローラは、電源極と補助プラズマ接地極との間に補助プラズマを維持することを特徴とする。本発明のプラズマ発生装置は、大気圧下で低温プラズマを生成することができ、補助プラズマを利用することによって、安定したプラズマを提供することができる。特に、電源の供給が不安定である高周波電源を使用する場合にも、補助プラズマが安定的なプラズマソースとして機能するので、均一で且つ大面積に適用可能なグロープラズマを生成することができる。 （もっと読む）