【課題】マイクロクラックやピンホールが形成されることなく、樹脂含有物成形品にＤＬＣ膜を形成できる方法及び製膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ４を減圧して原料ガスを導入した後、電極２，３間に高周波電圧を印加して目標膜厚より薄い膜厚のＤＬＣ膜１０を形成する製膜工程と、高周波電圧の印加を停止して電極２，３に蓄積された熱を逃がす放熱工程を交互に行うことにより、目標膜厚に達するまで段階的にＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】一対の上下型と、これらを収容する胴型とを備えた成形型において、プレス成形中にガラス素材が胴型内周面に接触しても、ガラス素材の離型が極めてよく、連続プレス成形を行っても成形体の取り出し不良、ワレや形状不良などの欠陥、胴型内面の損傷や破壊などの問題が生じない耐久性に優れたモールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにそのようなモールドプレス成形型を用いたガラス光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１１４，１１５を備えた反応容器１１０内に、筒状の胴型３０を、その内周面側の中空部に棒状電極１１３を挿通した状態で配置し、反応容器１１０内の雰囲気ガスを排気した後、反応容器１１０内に炭素を含むガス状の成膜材料を導入してプラズマ化することにより炭素荷電粒子を生成するとともに、棒状電極１１３に負のバイアス電圧を印加して、炭素荷電粒子を胴型３０の内周面に誘導して炭素含有膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。この方法は、ｆ１周波数でのＲＦパラメータ対ｆ２周波数でのＲＦパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、ＲＦパラメータが、ＲＦ電力、ＲＦ電圧又はＲＦ電流のうち１つである工程を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマに暴露されにくい処理室内の領域においても、効率的に付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、基板をプラズマ処理するための真空処理容器１と、真空処理容器１内の上部に配置され、高周波電源に電気的に接続された上部電極３と、真空処理容器１内に上部電極と対向し、高周波電源に電気的に接続され、基板を搭載可能な下部電極２と、真空処理容器１内の、下部電極２の下部における側面を囲む領域に設けられた整流板５とを備えている。整流板５は、第１のスイッチ２８を介して第１の接地部１８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】対象物を加熱したり、対象物表面へ下地層を形成したりすることなく、低コストで炭素系膜を形成することが可能な炭素系膜の形成装置および形成方法の提供。
【解決手段】炭素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ生成部５によりプラズマ化し、このプラズマから引出電極７ａ，７ｂによりイオンビームを引き出して加速し、この引き出されたイオンビームを対象物Ｘ上へ照射することにより、対象物Ｘ表面の改質とこの対象物表面への炭素系膜の形成とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる基板表面のエッチングを抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の向上を図ることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１１は、プラズマＰの発生空間と基板ステージ１４との間に複数枚のメッシュ状の遮蔽板１８（１８Ａ，１８Ｂ）を設置することにより、遮蔽板１８を介してのプラズマＰからのイオンの漏れ出しを防止するようにしている。これにより、基板Ｗを遮蔽板１８に近づけてもイオンによる基板表面のエッチングを防ぐことができ、基板Ｗへ到達するラジカル量を増加させて成膜レートの向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを簡単に被処理物に作用できるプラズマ源を提供すること、又は、被処理物の材質に係わらずプラズマ処理ができる処理装置と処理方法を提供すること。
【解決手段】面状のプラズマを発生するプラズマ発生装置と、プラズマを移動するプラズマ移動装置とを備えているプラズマ源、又は、プラズマ発生装置と被処理物保持部とを備えている処理装置、又は、面状のプラズマを発生し、プラズマを移動し、被処理物の表面をプラズマで処理する被処理物の処理方法にある。 （もっと読む）

【課題】上記課題を解決し、サセプタとフローチャネルの擦れを検知して、良品歩留の低下を防止することができる気相成長装置のサセプタ擦れ検知方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】導電性材料で形成されたサセプタ１２に基板１１を保持し、そのサセプタ１２を石英フローチャネル１３に回転自在に保持させながら、石英フローチャネル１３に原料ガスを流して基板１１に原料ガスを気相成長させるに際して、気相成長時に石英フローチャネル１３とサセプタ１２に堆積した両堆積物２２，２１の導通の有無を検知して、サセプタ１２と石英フローチャネル１３の接触を検知する。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を持つプラズマの発生と制御を可能として、薄膜形成およびエッチングなどの処理に最適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置1は、基板106を収納する処理室10を有するともに、一部にマイクロ波が透過可能な誘電体窓104が気密に設けられた真空容器105と、導波管101を伝搬してくるマイクロ波を前記真空容器105内に導入する誘電体アンテナ102と、前記処理室10内の前記誘電体窓104に沿って設置さる導体板203とを具備する。そして、前記処理室10内に設置されている内部容器201と、前記内部容器201内に設置されている複数の導体202とを有し、前記導体板203と前記内部容器201と前記複数の導体202のそれぞれに電気リード線210が設けられ、一方が前記電気リード線210に接続されているスイッチ211、212、213の他方は前記真空容器105外部のアース回路とつながっている。 （もっと読む）

【課題】容器の内面に形成する被膜の品質を安定させる。
【解決手段】有底筒状の容器Ｗが内部に配置される処理装置本体１１と、この処理装置本体１１内に高周波を導入する高周波導入手段１２と、処理装置本体１１内に配置される容器Ｗの内部に処理ガスＧを導入可能な処理ガス導入管１３とが備えられたプラズマ処理装置１０であって、処理装置本体１１内には、この処理装置本体１１内の容器Ｗの内部に挿入される放電電極１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応する。
【解決手段】内部を０．００１気圧以上１気圧未満に保持可能な処理容器１１と、この処理容器１１内に配置される導電性の基板Ｗに３ｅＶ以上の仕事エネルギを有する紫外線Ｌを照射する光源１２と、基板Ｗと光源１２との間に基板Ｗに対向して配置されてこの基板Ｗを負にバイアスさせる電極１３と、処理容器１１内にプロセスガスＧを供給する導入口１４とが備えられ、処理容器１１内に配置された基板Ｗに、負のバイアス電圧を印加しつつ紫外線Ｌを照射するとともに、導入口１４から処理容器１１内にプロセスガスＧを供給することにより基板Ｗを処理する基板の処理装置１０であって、電極１３は、板厚が０．１ｍｍ以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が５０％以上９５以下％とされている。 （もっと読む）

【課題】減圧雰囲気を必要とせず、結晶配向性を任意に制御した高品位の透明導電膜を低温で安定的に形成することができる透明導電膜の製造装置及び製造方法並びに透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造装置は、原料を含む反応ガスを導入するガス導入管と、プラズマ発生用上部電極及び下部電極と、上部電極と下部電極との間にプラズマ発生用の電圧を印加するプラズマ発生用電源とを備え、上部電極３には、原料を含む反応ガスを通過させるための開口端が円形状の孔１２が縦横に所定の間隔をおいて形成され、これらの孔１２の開口端の総面積は、上部電極３の表面３ａの面積の１％以上かつ７０％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワークのプラズマにより処理する領域を容易かつ自在に設定し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、複数の単位電極４２を有するヘッド４と、ワークを介し、単位電極４２に対向して配置される共通電極２と、共通電極２とワークとの間に所定のガスを供給するガス供給手段と、共通電極４２とワークとの間に供給されたガスを活性化させてプラズマが発生するように、共通電極２と単位電極４２との間に電圧を印加する電源部と、ヘッド４とワークとを相対的に移動させる移動手段とを備え、複数の単位電極４２は、ワークに対するヘッド４の移動方向と異なる方向に沿って並設されており、移動手段によりヘッド４とワークとを相対的に移動させつつ、ワークの単位電極４２に対応した位置を発生したプラズマにより処理するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。
【解決手段】プラズマCVD装置を使って、半導体基板上に多孔質膜を形成する方法は、Si-O結合を有するシリコン化合物を気化させて、反応室内に供給する工程と、プラズマ反応により、シロキサンオリゴマーを生成する工程と、反応室内に有機アミンを供給し、シロキサンオリゴマーと反応させて、半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に、膜質及び膜厚が均質な膜を生成する。
【解決手段】 チャンバー１０内の陽極１１ａに対向する陰極１４を、陽極１１ａの中央部に対向する中央電極１４ａと、陽極１１ａの周辺部に対向するリング状の周辺電極１４ｂとで構成している。また、陽極１１ａの外周を囲むように、絶縁体１２を配置している。成膜の開始時には、アークの発生を予防するために、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧よりも高くし、陽柱光が発生した後、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧未満にする。これにより、プラズマの中央部の温度が周辺部に対して高くなることが防止される。絶縁体１２は、アークに起因する電流が基板１の側面に流れることを防止する。 （もっと読む）

【課題】成膜空間を高圧雰囲気にした場合であっても、成膜空間側に長くプラズマを引き出すことができる装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０は、プラズマ生成室２１と、陰極３１と、成膜用容器２４の内部に配置された陽極２６と、第１および第２中間電極２２，２３とを含み、第２中間電極２３には、電位制御部２８が接続され、陽極２６と陰極３１との間の電圧降下により第２中間電極２３の位置で生じる電位よりその電位を低くする。これにより、第２中間電極２３と陽極２６との間の空間の電位勾配を、電圧降下による電位勾配より大きくすることができるため、プラズマ発生源から引き出された電子（プラズマ）を加速して、成膜空間に長く引き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができるプラズマＣＶＤ装置を実現する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、基板フォルダ１４と、基板フォルダ１４に設置された被処理基板１０に対向するように配置され、板状部１９ａ及び板状部１９ａから被処理基板１０側へ突出する突出部１９ｂを有するカソード電極１９と、板状部１９ａよりも被処理基板１０寄りに設けられ、カソード電極１９とは異なる電位の電圧が印加されるアノード電極２０と、アノード電極２０と同電位であり、カソード電極１９と対向するように、カソード電極１９と被処理基板１０との間に、アノード電極２０よりも被処理基板１０寄りに設けられ、厚さ方向に貫通する開孔を有するシート状の第２アノード電極２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中で生成された活性種を効率よく利用でき、かつ、被処理物にダメージを与えないプラズマプロセス装置を提供すること。
【解決手段】プラズマプロセス装置１００は、反応容器１０１内に収容され基板１０９の上方に所定の間隔を空けて配置される一対の第１電極１０６および第２電極１０７と、第１および第２電極の間に規定された空間を埋める誘電体１１０とを備え、第１電極１０６は高周波電力が印加された際に第２電極１０７との間に位置する誘電体１１０の表面で部分的にプラズマＰを生成し、ガス導入口１０２はプラズマＰが生成される領域外から基板１０９の表面へ向かうようにガスを供給しプラズマＰ中で生成された活性種を供給されたガスの流れにのせて基板１０９の表面へ誘導する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一かつ良質な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内にはガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側には電極３５−１、３５−２を有する電極ユニット１５−１、１５−２が回転可能に設けられ、電源１７から電力が供給される。
成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２はプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。
また、成膜中は、電極ユニット１５−１、１５−２の間の距離は放電インピーダンスが一定になるように調整される。 （もっと読む）

本発明の実施例は、気体相反応物質の表面反応を順に反復する原子層堆積方法によって基板上に薄膜を形成する原子層堆積反応器に関するものであって、本発明の実施例による原子層堆積反応器は、反応チャンバー、複数の気体流入口、そして一つの気体流出口を含む。反応チャンバーは反応空間を含む。反応器は、前記反応チャンバー内の気体流れ調節部を含む。気体流れ調節部は反応空間の上に位置し、前記複数の気体流入口と前記反応空間との間に位置する。気体流れ調節部は複数の気体流れチャンネルを持つが、各々の気体流れチャンネルは、気体流入口のうちのいずれか一つから反応空間の気体流入部に連結されている。各チャンネルは、気体流入口から反応空間へ向かうほど順に広くなる。反応器は反応空間内の基板支持台をさらに含む。
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