【課題】プラズマ処理の均一性と効率を高める、ガス噴射システム及び方法を提供する。
【解決手段】本システムは、プラズマ処理チャンバ１０、真空ポンプ、基板支持体１２、前記基板支持体に対面する誘電体部材２０、ガス噴射器２２、ＲＦ源１９、アンテナ１８、等で構成される。アンテナはＲＦ源からのエネルギを、前記誘電体部材を通して処理ガスに誘導結合させ、プラズマ状態にして基板を処理する。また、ガス噴射器は、中央領域の軸上排気口と、前記中央領域を取り囲む環状領域の軸外排気口と、を有する。さらに、ガス噴射器は複数のガス噴射口を有し、複数のガス噴射口は独立して変化する流量で処理ガスを供給できる。これにより、チャンバ内の複数領域へのガスの流れを独立に調整が可能であり、多様な要求を満たすガス供給の変更を可能にする。このようなプラズマシステムを用いることで前述の課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】加熱されたウエハ上への薄膜成膜処理、及び、装置から取り外して常温下でのシールド板の洗浄処理を行っても、従来品に比べて損傷しにくいシールド板を備えた化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、ウエハを配置するため前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージに配置されたウエハを加熱するためのヒータと、前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、曲面領域２０ｒおよび長手方向を有する形状であって前記チャンバ内に取り外し可能に取り付けられるシールド板と、を有し、前記シールド板は、曲面領域２０ｒに不活性ガスを放出するための複数の不活性ガス放出穴を有し、不活性ガス放出穴２０ａは、長穴であって長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられている化学気相成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオン種等の荷電粒子の影響を回避し得る反応種生成方法、および反応種生成装置、並びに反応種による処理方法、および反応種による処理装置を提供する。
【解決手段】希ガス１を励起種に励起させるための第１の反応容器１１と、第１の反応容器１１内でプラズマを生成させるための電源１２及び電極１３と、第１の反応容器１１にて希ガス１を励起させるときに生成された荷電粒子が、第１の反応容器１１外に漏れるのを抑制する接地されたメッシュ１４と、第１の反応容器１１にて励起された希ガス１を移送させる流路と、励起された希ガス１とプロセスガス３とが混合される第２の反応容器１６と、プロセスガス３をプロセス領域４に導入するプロセスガス供給流路１５とを備える。プロセス領域４にて、励起された希ガス１によってプロセスガス３から励起された希ガス１に比べて短寿命である反応種を生成する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】反応室内のプラズマ密度を均一にすることができる半導体製造装置を提供する
【解決手段】基板が処理される処理室５２と、この処理室５２内に設けられ、プラズマを生成するプラズマ室７６と、処理室５２の外側に設けられた複数の高周波アンテナ８４と、プラズマ室７６と複数の高周波アンテナ８４に挟まれる位置に、所定の間隔を隔てて配置され、高周波アンテナ８４により発生する電場を遮断するシールド９０と、を有し、複数の高周波アンテナ８４の接近部（位置Ｐ）に向けて、シールド９０の間隔が狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】
欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及びプラズマＣＶＤ方を提供する。
【解決手段】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は
真空容器と、
該真空容器内を減圧下に保持する排気系と、
被成膜基板を置くための接地電極と、
原料ガス導入路と排気孔とを有する放電電極と、
該放電電極に高周波電力を印加する高周波電源と、
該放電電極と該接地電極との間に配置され、該原料ガス導入路の出口から該接地電極に向かう原料ガス流路を遮る拡散板と、
該拡散板の電位を一定に保つ定電位源と、を備えたプラズマＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】基板処理や処理室内のクリーニングを行う際の、処理室加熱による電極の破損を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板６を収容するインナーチューブ３１と、プラズマ発生室１７内に設けられるグリッド電極１９、アノード電極２０、中間電極３０と、アウターチューブ７の外周側でプラズマ発生室１７に対応する位置にプラズマ生成電極２２とを備え、プラズマ発生室１７内の各電極は熱膨張する材料からなり、電極上端にて支持される基板処理装置。上端から吊り下げられるように一点で支持されるので熱膨張によるストレスが加わり難くなり、破損が抑制される。 （もっと読む）

【課題】連続して広幅基材の表面の均質な改質処理が出来るプラズマ放電処理装置の提供。
【解決手段】対向して設けられた第１の電極と第２の電極を有し、前記第１の電極と第２の電極の間に形成される放電部に、基材を通過させて、前記基材表面を処理するプラズマ放電処理装置において、前記第１の電極に対して非接触で設けられた給電部材と、前記第２の電極に対して非接触で設けられたアース部材とを有し、前記第１の電極は前記給電部材に対して、且つ、前記第２の電極は前記アース部材に対して移動可能に構成されていることを特徴とするプラズマ放電処理装置。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマによる基板へのダメージを更に低減することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 開示されるマイクロ波プラズマ処理装置１０は、内部を減圧に維持することが可能な処理容器１１と、処理容器１１内に設けられ、基板Ｓを保持する保持台１３と、処理容器１３内にガスを供給するガス供給部３１と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部２４と、保持台１３と対向して配置され、マイクロ波発生部２４により発生されたマイクロ波を処理容器１１内に導入するプラズマ導入部２０と、プラズマ導入部２０と保持台１３との間に配置されるメッシュプレート５０と、を備える。 （もっと読む）

プラズを用いた化学反応によって、基板上に層を析出する方法および装置である。
本発明は、真空チャンバ（１１）内の化学反応を用いて、プラズマを用いて基板（１２）上に層を析出する方法に関する。ここで、化学反応の少なくとも１つの基礎材料は、入口（１３）を通じて真空チャンバ（１１）内に供給され、入口（１３）は、少なくとも入口開口部（１８）の領域において、ガス放電の電極として接続されている。
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【課題】従来に比べて処理の均一性の向上を図ることができるバッフル板及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の排気孔５ａを有し、基板を載置するための載置台３の周囲に設けられるバッフル板５であって、積層体構造を有し、処理チャンバー２内の圧力を調整するための圧力調整用ガスを供給する圧力調整用ガス供給路５０を具備している。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。
【解決手段】多段に積載された複数の基板を収納する処理室と、処理室内と連通するプラズマ発生室と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１処理ガス供給ラインと、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２処理ガス供給ラインと、プラズマ発生室内に第３の処理ガスを供給する第３処理ガス供給ラインと、第３の処理ガスが供給された前記プラズマ発生室内に電子源プラズマを発生させるプラズマ発生装置と、プラズマ発生室内にて発生させた電子源プラズマから電子を抽出して処理室内の基板間の領域に照射する電子線供給装置と、処理室内を排気する排気ラインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＰ２結合とＳＰ３結合との比率を制御することが可能であり、構造が異なる炭素質膜の形成が容易な成膜装置を実現できるようにする。
【解決手段】成膜装置は、成膜室１１と、成膜室１１内に設けられた第１の電極２１と第２の電極２２とを有するプラズマ発生部と、成膜室１１の中に設けられ、成膜室１１内を運動する中性粒子が感ずる電子エネルギー分布関数を変化させるエネルギー分布関数可変部とを備えている。エネルギー分布関数可変部は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に配置され、グリッド電極２３と、成膜室１１内においてグリッド電極２３を移動させる移動機構３０とを有している。 （もっと読む）

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバを含むことのできる基板処理システムが記載される。このシステムは、処理チャンバの内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムも含むことができる。さらに、このシステムは、遠隔プラズマシステムから処理チャンバの内部に第１のプロセスガスを輸送するように動作可能な第１のプロセスガス流路、および遠隔プラズマシステムによって処理されない第２のプロセスガスを輸送するように動作可能な第２のプロセスガス流路を含むことができる。第２のプロセスガス流路は、処理チャンバの内部に通じ、第１のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する。
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【課題】基材としての第二電極を用いることなく液中にプラズマを発生させることが可能な液中プラズマ成膜装置および液中プラズマ用電極を提供する。
【解決手段】基材Ｓと原料を含む液体Ｌとを収容可能な容器１と、容器１に配設される液中プラズマ用電極２と、液中プラズマ用電極２に電力を供給する電源装置３と、を有する液中プラズマ成膜装置において、液中プラズマ用電極２は、
放電端部２２を有する主電極２１と、放電端部２２に対向するとともに、互いに対向する放電端部２２と基材Ｓとの間に配設される副電極２６と、
放電端部２２の表面２２ａと表面２２ａに対向する副電極２６の表面２６ａとで区画された空間をもち、主電極２１に電力が供給されることで空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部２９と、を備える。
プラズマ発生部２９で発生したプラズマを基材Ｓに接触させて、基材Ｓの表面に原料の分解成分を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】基板に対して均一にプラズマ処理を施すことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るプラズマ処理装置１００は、下部電極１０の側方において、下部電極１０の外周に沿って環状に設けられる補助電極３０を備える。基板Ｓに対してプラズマ処理を施す場合、下部電極１０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とし、補助電極３０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とする。 （もっと読む）

プラズマチャンバ内のプラズマ放電の強度および分布を制御する装置および方法が提供される。一実施形態では、径方向成分および軸方向成分を有する電界をチャンバ内部に得るために、成形された電極が基板サポート内に埋め込まれる。別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート電極がアイソレータによって複数のゾーンに分割され、それによって、それぞれ異なる電圧が異なるゾーンに印加されることが可能になる。加えて、１つまたは複数の電極をチャンバ側壁内に埋め込むこともできる。
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本発明は、静止第１電極（３）及び第２可動性電極（１８）を備えたコーティング装置のための電極構成を含み、コーティング中、これらの電極の主表面は互いに対向し、第２電極（１８）は対向する主表面に平行な平面に沿って移動し、主表面を横断して走る電極の少なくとも１つの端面には電気シールド（１２、１９、１３）が設置され、電気シールドは１つの電極の端面に対して少なくとも部分的に平行に延び、シールドの少なくとも一部分（１４）は可動性に形成される。
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【課題】膜厚の面内分布を均一に近づけることを可能にする、プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護層形成装置を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護膜形成装置１００は、プラズマビームを発生する円環状のアノード１０１と、アノード１０１と被成膜基板との間に配置された円盤状のシールド１０２とを備える。アノード１０１と被成膜基板の配置領域は平行であり、これらの中心を結ぶ直線はこの配置領域と直交する。シールド１０２は、その中心が前述の直線上にある。 （もっと読む）

【課題】 各段の電極間で面内、面間とも均一な基板処理を可能とする。
【解決手段】 被処理基板をプラズマ処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内に間隔をおいて配置され、前記被処理基板を載置する多段の電極と、前記各段の電極に供給線３０７、３０８、３０９を介して高さ方向に交互に接続され、前記プラズマを生成するための電力を供給する複数の電源とを備える。 （もっと読む）