半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置から排出される流体を安定してかつ応答性よく制御することのできる半導体製造装置における排気流体の制御装置を提供すること。
【解決手段】 半導体製造装置１から排出される流体３が流れる排気流路４を主流路４Ａとバイパス流路４Ｂとに分岐し、主流路４Ａには流量または圧力制御弁７を設け、バイパス流路４Ｂにはパイロット弁８を設けた。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 パイロジェニック酸化処理とＮＯ酸窒化処理とからなる２つの処理をできるだけ連続に近い形で行わせて、パイロジェニック酸化処理で生じる残留水分を効率良く排出させる。
【解決手段】 反応室３内で、ボート２により支持されたウェハ１に対し、パイロジェニック酸化を行った後、ＮＯ酸窒化を連続して行う。このパイロジェニック酸化後、ＮＯ酸窒化を行う前に、反応室３からボート２をアンロード位置Ａまで引き出してボート２の全部を露出するのではなく、セミロード位置Ｃまで引き出しボート２の一部のみを露出させる。この状態で反応室３内の残留水分を除去する排除処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法に適した有機タンタル化合物及びこれを用いて形成される高誘電体薄膜又は強誘電体薄膜として優れたタンタル含有薄膜を得る。均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のＳＢＴ薄膜が得られる。
【解決手段】 次の一般式（２）で示される有機金属化学蒸着用の有機タンタル化合物単体からなるか、又は前記有機タンタル化合物を有機溶媒に溶解してなる有機金属化学蒸着用原料である。
【化９】


有機溶媒としては炭素数４〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の有機化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）カクテルを原料としてＣＶＤ法でＣｕ膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。
【解決手段】Ｃｕ−ＣＶＤプロセス用原料はＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対してｔｍｖｓとＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏを添加して作られる液体原料であり、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対するｔｍｖｓの添加割合が１〜１０ｗｔ％の範囲に含まれ、触媒であるＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．１〜０．０１ｗｔ％の範囲に含まれる。好ましくはｔｍｖｓの添加割合が５ｗｔ％であり、Ｈｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．０４ｗｔ％である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）