【課題】耐圧に優れ、強度の高いIII−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の構造では、第１のソース電極１０６がバイアホール１１２を介して導電性基板１０１に接続されており、また、第２のソース電極１１０が形成されている。これにより、ゲート電極１０８とドレイン電極１０７との間に高い逆方向電圧が印加されても、ゲート電極１０８のうちドレイン電極１０７に近い側の端部に起こりやすい電界集中を効果的に分散または緩和することができるため、耐圧が向上する。また、素子形成層を形成する基板として導電性基板１０１を用いているため、導電性基板１０１には裏面まで貫通するバイアホールを設ける必要がない。したがって、導電性基板１０１に必要な強度を保持したまま、第１のソース電極１０６と裏面電極１１５とを電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通転移などの欠陥やひび割れが少なく高品質窒化物結晶層をサファイア基板上に均一に形成することにより、高性能な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子、その製造方法及びその製造に用いるエピタキシャル成長基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上のバッファ層（１２，１３）と、このバッファ層（１２，１３）上の、周期表第４及び第５周期に含まれるIV族元素を濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上、１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下で含む、基板１１とは格子定数の異なる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層からなる欠陥低減層１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板と垂直な縦壁を備えた柱部を有するＨＥＭＴ型装置。柱部はＧａＮ等の絶縁性半導体材料からなる。柱部の側面上には、柱部の絶縁性材料のそれより大きいバンドギャップを有するＡｌＧａＮ等の半導体材料からなるバリア層が配置される。電子流は２つの材料の界面の狭いチャネルに制限される。適当なソース、ドレイン及びゲートコンタクトがＨＥＭＴの動作のため含まれる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７およびＩＴＯ透明電極１１０を備えている。このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3に設定されている。 （もっと読む）

【課題】素子サイズの削減が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】Ｎ^＋型炭化珪素から構成される基板領域１上に形成した炭化珪素半導体基体内において、Ｎ⁻型のドレイン領域２がＰ型のベース領域３を介してＮ^＋型のソース領域４と接し、ドレイン領域２およびソース領域４に絶縁膜５を介して接するゲート電極６と、ドレイン領域２に基板領域１を介して接続するドレイン電極８と、ソース領域４に接続するソース電極７とが設けられ、ソース電極４に接続されドレイン領域２とショットキー接合１００を形成するショットキー接合領域９が設けられ、ソース電極７からベース領域３を介してドレイン領域２に流れる電流を阻止するショットキー接合１２０がソース電極７とベース領域３との間に設けられていることを特徴とする半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗が小さく耐圧が大きいＧａＮ系電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するＧａＮ系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の導電型と同一のコンタクト層が、前記チャネル層に至る深さのエッチング溝に埋め込まれ、かつ、前記コンタクト層はソース電極のみに接続していることを特徴とするＧａＮ系電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置のコンタクト抵抗並びにショットキー特性の向上を図る。
【解決手段】サファイアからなる基板１１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層１２と、ｉ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１３と、ｉ型ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１４が順次形成されている。第２の窒化物半導体層１４の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス１８を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。その後、ソース電極１５及びドレイン電極１６、ゲート電極１７を形成する。この構成により、半導体表面にダメージを与えることなく、窒素空孔を含む基板表面の窒素不足を補完してから電極を作製することが可能となる。そのため、コンタクト抵抗の低減やショットキー特性の改善が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光装置の順方向電圧を低く保って発光効率を高めることが困難であった。
【解決手段】 シリコン基板１の上にｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とから成る発光機能を有する主半導体領域３を配置する。主半導体領域３は窒化物半導体で形成する。主半導体領域３のｐ型半導体層８の上にＡｇ合金からなる光透過性電極１０を設ける。Ａｇ合金に酸化又は硫化を抑制するための添加元素を混入する。Ａｇ合金は安定性が高く、且つ光透過性及びオーミック性において優れている。 （もっと読む）

【課題】 ベース電極がエアブリッジ構造を有するバイポーラトランジスタにおいて、構造の簡潔化、ベース電極に対する外部配線としてのベース配線のコンタクト位置の自由度を高めることができるようにする。
【解決手段】 ベース層１３の少なくとも一部が上面に臨んで形成された半導体メサ部ＢＭを有し、そのベース層１３にコンタクトされたベース電極１５が、半導体メサ部ＢＭより外側の空間に浮上延長する浮上延長部１５Ｆを有し、この延長浮上部１５Ｆをベース電極１３に対するベース配線４２のコンタクト部１５Ｃとする。このようにして、コンタクト部を固定部に設ける場合におけるこの固定部を形成するための構造、製造の煩雑さを回避でき、かつベース電極に対するベース配線のコンタクト部の選定の自由度をたかめ、レイアウト等の設計の自由度を高めるものである。 （もっと読む）

ＨＥＭＴは基板（2）、緩衝層（4）、チャネル層（8）、スペーサ層（10）、デルタドープ層（12）、ショットキー障壁層（14）及びキャップ層（18）と金属層（20）とを有しており、金属層（20）はその下にある半導体とショットキー障壁を形成している。チャネルはGaInAsから成り、バッファ（4）、スペーサ（10）及びショットキー障壁（14）の層はAlInAsから成る。例えばGaAsから成る付加的な薄い層がショットキー障壁層（14）と金属性の層（18）との間に追加され、過剰な欠陥を生成することなくショットキー障壁高さを増大させる。
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【課題】 シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第１導電型又はｉ型のバリア層としての第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、を備えているものである。 （もっと読む）

ソース電極およびドレイン電極が半導体層に接触した、基板上の複数の活性半導体層を備えるトランジスタ。ゲートが、ソース電極とドレイン電極との間に、複数の半導体層上に形成される。複数のフィールドプレートが、半導体層上に配置され、各フィールドプレートは、ゲートのエッジからドレイン電極に向かって延び、また各フィールドプレートは、前記半導体層から、また他のフィールドプレートから分離される。最上部のフィールドプレートは、ソース電極に電気的に接続され、他のフィールドプレートは、ゲートまたはソース電極に電気的に接続される。
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【課題】
【解決手段】 バイポーラ接合トランジスタ（１００）に関連する方法、装置、デバイスの実施例が記載されている。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物デバイスが、名目上オフ、すなわち、エンハンスメントモードのデバイスを作製するための凹部電極を含む。凹部電極を設けることによって、デバイス中の電流の流れを阻止するために、電極が非能動であるときに２つのＩＩＩ族窒化物材料の境界面に形成された導電チャネルが中断される。電極はショットキー接点または絶縁金属接点であり得る。名目上オフの特性を有する整流器デバイスを形成するために、２つのオーム接点を設けることができる。電極が形成された凹部は傾斜側面を有することができる。電極は、デバイスの電流運搬電極と組み合わせて幾つもの幾何学配置で形成可能である。電極が凹部でないとき、名目上オンのデバイス、すなわち、ピンチ抵抗が形成される。ダイオードは、絶縁体を貫通してＡｌＧａＮ層に達する非凹部のオーム接点およびショットキー接点を設けることによっても形成される。
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【課題】
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法の実施形態は、高温処理中にＩＩＩ族窒化物材料に損傷を与えずに、素子のコンタクトを形成することを可能にする低抵抗の不動態化層を備えてよい。不動態化層は、素子全体を不動態化するために用いられてよい。不動態化層は、さらに、素子のコンタクトと活性層との間に設けられて、導電のための低抵抗の電流路を提供してもよい。この不動態化処理は、ＦＥＴ、整流器、ショットキダイオードなど、任意の種類の素子に用いて、破壊電圧を改善すると共に、コンタクトの接合部付近の電界集中効果を防止してよい。不動態化層は、外部拡散に関してＩＩＩ族窒化物素子に影響を与えない低温アニールで活性化されてよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造を提供する。
【解決手段】 この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造は、電極４の材料として金属窒化物(窒化タングステン)を用いたので、半導体ＧａＮ層３への膜付着力が強く、かつ、加熱によってショットキー特性が劣化することがないショットキー電極４を得ることができた。 （もっと読む）