【課題】 簡便な方法で製造することができ、しきい値電圧が適正な範囲に設定された半導体装置を提供する。
【解決手段】 第一の発明の半導体装置は、相補型であり、半導体基板、ｐ型半導体装置およびｎ型半導体装置を具備する。ｐ型半導体装置は、半導体基板上のｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上面に形成され、ｎ型半導体層上面から下方に向けてｐ型ドーパントが補誤差関数で分布するｐ型ドーパント拡散領域と、ｐ型ドーパント拡散領域上に形成され、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜上に形成され、ｐ型半導体化合物を有する第１のゲート電極と、ｐ型ドーパント拡散領域をゲート長方向に挟み、ｐ型ドーパント拡散領域に比して深くｎ型半導体層上面に形成された第１のソース・ドレイン領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース・ドレイン電極５及び半導体層６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、チャネル長のより短い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ソース・ドレイン電極５が形成されるゲート絶縁膜３の表面で、ソース・ドレイン電極間のチャネル形成領域３１の表面エネルギーが他の部分より小さくなるようパターニング処理した後、湿式プロセスでソース・ドレイン電極５を形成することを特徴。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電性材料を含む組成物からなる複数の液滴の第１の吐出工程により、第１の線上に中心を有する第１の液滴を吐出し、複数の液滴の第２の吐出工程により、第１の液滴の間に、第１の線と一定の間隔を有する第２の線上に中心を有する第２の液滴を吐出することにより、側端部が連続した波状形状である導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の高い半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法及び信頼性の高い電子機器を提案する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法において、転写フィルムの一面上に撥液性を有する薄膜を形成する第１の工程と、転写フィルム上に形成した薄膜を所定パターンでパターニングすることにより隔壁を形成する第２の工程と、転写フィルムの一面側から隔壁にエネルギー線を照射する第３の工程と、隔壁を半導体基板の電極形成面上に張り合わせる第４の工程と、隔壁から転写フィルムを剥離する第５の工程とを設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 所望の高さの隔壁を容易に形成することができる隔壁形成技術等を提供する。
【解決手段】 第１層間絶縁膜１４０の上に形成されるパターニング用のレジスト膜１５０を厚く形成することにより、パターニング用のマスクとして利用するだけでなく、隔壁としても利用する。まず、有機材料からなるレジスト材をインクジェット装置などを用いて第１層間絶縁膜１４０の上に全面塗布する。次に、レジスト膜１５０（レジストマスク）を利用して第１層間絶縁膜１４０をエッチングする。この第１層間絶縁膜１４０をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極１６０を形成するための隔壁として利用する。 （もっと読む）

【課題】 単一の有機半導体層にＰ型として動作する電極と、Ｎ型として動作する電極を併せ持つ高性能の有機半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】 有機半導体層４０に対して電子と正孔を効率よく注入することができる電極を、それぞれ電子供与性分子材料と電子受容性分子材料の組み合わせからなり電子を効率よく注入できる導電性電荷移動錯体と、これとは構成分子の組み合わせが異なり正孔を効率よく注入することができる導電性電荷移動錯体で構成した少なくとも二種の電極２、３、４、５を備えた有機半導体装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 ショットキー型電界効果トランジスターに於いて、殊にソース領域近傍のチャネル領域に対するゲート電極の制御性を高めて、素子の電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】 ゲート絶縁膜を異なる誘電率を持つ膜の積層とすることで、誘電率の高い材料のみで形成した場合と比べてゲート絶縁膜の幾何学的な意味の厚さを薄く形成することを可能とし、ゲート電極から出た電気力線のゲート絶縁膜の側面から外への漏れに起因する、殊にソース領域近傍のチャネル領域の電位に対するゲート電極の制御性の低下を抑制する事が可能となる。また、誘電率の高い材料よりなるゲート側壁絶縁膜１２を設ける事に依り、異なる誘電率を持つ物質の界面に於ける電気力線の屈折に依って、ゲート電極から出た電気力線をソース領域近傍のチャネル領域に集める事が可能となり、ソース領域とチャネル領域との間に形成されるショットキー障壁を薄くし、その抵抗を低減する。 （もっと読む）

【課題】 ＯＮ／ＯＦＦ電流比を大きくするとともに、ソース電極およびドレイン電極とポリシリコン層とのオーミックコンタクトを適切に形成することが可能な薄膜トランジスタ素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１と、チャネル領域２１、ソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとを有する第１のポリシリコン層２と、ゲート絶縁膜６と、ゲート電極４と、ソース電極５Ａおよびドレイン電極５Ｂと、層間絶縁膜７と、を備える薄膜トランジスタ素子Ａであって、ソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂにそれぞれ繋がる２つの第２のポリシリコン層３Ａ，３Ｂをさらに備えており、かつ、ソース電極５Ａおよびドレイン電極５Ｂの基板１側の先端は、それぞれ第２のポリシリコン層３Ａ，３Ｂまたはソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂの少なくとも一方に接触している。 （もっと読む）

【解決課題】配線が良好なプロファイルが得られるエッチング液組成物及び、これを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、６０乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸及び０．１乃至１５重量％の硝酸アルミニウムを含有するエッチング液組成物及び前記エッチング液組成物を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストに製造することのできる表示装置を実現する。
【解決手段】基板上に設けられている画素電極１０１の周囲にソースライン１０２を設け、ソース及びゲートとなる領域を開口させた絶縁膜１０３を形成し、ソース１０４ａ及びドレイン１０４ｂを形成し、これらソース１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に半導体膜５、ゲート１０５を設ける製造方法において、略大気圧下において上記各部を形成する。略大気圧下において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板に関する。
【解決手段】本発明は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる表示装置用配線、並びに、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する合金からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素ＴＦＴ、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置において、基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低電圧駆動とし、さらに長寿命化を実現した機能性薄膜素子及びそれを用いた物品を提供する。また、材料の低コスト化を図り、プロセスコストを大幅に削減した機能性薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２と、基板２上に形成された陽極３と、陽極３上に形成された有機金属錯体層４と、有機金属錯体層４上に形成された機能性薄膜（有機発光層５）と、機能性薄膜（有機発光層５）上に形成された陰極６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 有機材料層等の上に、２つ以上の金属部を狭い間隔で作製する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１層の有機材料層５上に、少なくとも２つの金属部６であって、該金属部間の最短距離が０より大きく１００μｍ以下である金属部６を作製する方法であって、基板表面から上方に伸長する立上部と、該立上部から延長してさらに前記基板上の空間を２分するように横断する横断部とから少なくとも構成されるブリッジ構造４を備えた基板を採用し、該基板上に前記２分された基板表面と前記横断部下の基板表面を連続的に覆うように有機材料５を蒸着させる工程と、該蒸着後に前記横断部より上方の一定方向から前記有機材料上に金属６を蒸着させる工程とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを精度よく均一に形成することのできる膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、機能液Ｌを乾燥する工程とを有する。本発明においては、バンクＢの形成工程は、無機質の材料からなる層Ｂ１，Ｂ２を複数層形成する工程と、これら複数の層Ｂ１，Ｂ２を有機マスクＲを用いてパターニングする工程と、有機マスクＲを除去する工程とを有する。このように、有機膜である有機マスクＲを除去し、無機膜の層Ｂ１，Ｂ２のみでバンクＢを形成することによって、高温プロセスにおける耐熱性を確保することができる。また、バンクＢを複数の層Ｂ１，Ｂ２によって形成することで、必要なバンク厚みも確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ構造の両方の極性の素子に対してコンタクト抵抗の低減を図り、Ｆｉｎ−ＭＯＳＦＥＴ構造による移動度の増大を享受しつつ、製造コストの増大を回避する。
【解決手段】 ＭＯＳ型半導体装置において、絶縁膜１０１上に薄壁状に形成された単結晶半導体層１０２と、半導体層１０２の両側壁面上にそれぞれゲート絶縁膜１０４を介して形成されたゲート電極１０５と、ゲート電極１０５に対応して半導体層１０２に形成されたソース・ドレイン領域と、半導体層１０２の一方の側壁面に形成され、ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第１の金属−半導体化合物層１１２と、第１の金属−半導体化合物層１１２とは組成が異なり、半導体層１０２の他方の側壁面に形成され、ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第２の金属−半導体化合物層１２２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ波の強度が小さいこと。
【解決手段】半導体基板５と、ナノワイヤ状の半導体層４と、絶縁膜７と、複数のゲート電極１と、ドレイン電極３と、ソース電極２を含み、半導体層４に励起されたプラズマ波の波長の周期でゲート電極１を配置し、ゲート電極のゲート長を周期の１／４とすることでプラズマ波の強度がゲート電極の本数倍される。 （もっと読む）

【課題】 透明電極である第２電極と、第１電極（ゲート、ソース、ドレイン）とのコンタクト部のコンタクト抵抗を低減し、電池反応を抑制する。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に、Ａｌ合金を用いて、第１電極である薄膜トランジスタの第１電極（ソースなど）を形成する工程と、第１電極及び基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、絶縁膜上に第２電極（透明電極）を形成し、第２電極と第１電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に直接接続する工程と、を含み、Ａｌ合金は、Ｎｉと、｛Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｒ｝から選択された一種以上の金属と、を含むＡｌ合金であることを特徴とする。 （もっと読む）