【課題】電気伝導度が高く、温度安定性に優れ、安価に生産できる有機ダイオードを提供する。
【解決手段】p−n接合を有する有機半導体ダイオード１０は、陽極１２、陰極１５、前記陽極１２に接触するホール輸送層１３、および前記陰極１５に接触する電子輸送層１４を含み、２つの輸送層は、互いに接触する。他の態様は、陽極、陰極および有機半導体層を含むショットキーバリア・ダイオードであり、前記半導体層は、ホールまたは電子輸送層のいずれかである。前記輸送層の少なくとも１つは、１つの結晶軸の方向に、分子間隔3．4±0．3Åを有する全体的に秩序ある結晶構造によって特徴づけられ、共役π系を有する少なくとも１つの多環式有機化合物を含む棒状超分子によって形成される。もう１つの態様は、電子ホールタイプの伝導性を有する有機半導体層を得る方法である。 （もっと読む）

炭化シリコンが、その表面に少なくとも１つの電源電極と、少なくとも１つのパッシベーション層とを有し、はんだ付け可能コンタクトが電源電極に形成され、かつパッシベーション層は、はんだ付け可能コンタクトを囲んでいるが、はんだ付け可能コンタクトから隔離されており、それによって隙間を形成している。 （もっと読む）

【課題】 例えば半導体デバイスの製造工程において無電解めっき処理をおこなうにあたって、無電解めっき液には電子の供給源である還元剤が含まれていて特に加熱して使用する場合には、液中にて金属が析出し不安定な状態になることから、これを回避して無電解めっき液の状態の安定化を図り、基板の表面に対して安定しためっき処理をすること。
【解決手段】 無電解めっき液を金属塩が含まれる第１の薬液と還元剤が含まれる第２の薬液に分け、各薬液供給路においてその合流点の近傍に薬液用開閉手段を設けると共に、合流した後の無電解めっき液の供給路における吐出口の近傍にめっき液用開閉手段を設け、これら開閉手段により挟まれる供給路内のめっき液を、概ね１回のめっき処理に必要な吐出量に対応させ、一の基板のめっき処理が開始され、次の基板の処理が開始されるまでの間だけ両薬液が混合されるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は接着力に優れた多層薄膜を含む素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によると、基板上に形成された窒化タンタル膜と、窒化タンタル膜上に形成されたタンタル膜と、タンタル膜上に形成されたＡｕ薄膜とを含む多層薄膜を含む素子に関する。また、本発明は窒化タンタル膜が形成された基板上にタンタルを所定厚さに蒸着させた後に、Ａｕ薄膜を蒸着させて多層薄膜を製造し、これを熱処理する工程を含む素子の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面へ配線となる微細なパターンが形成できるパターン形成方法、配線形成方法、半導体装置、ＴＦＴデバイス、電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 液滴吐出装置４０を用いて形成するＴＦＴ１のゲート配線３およびゲート電極５は、Ｍｎからなるゲート中間層１０と、Ａｇからなるゲート導電層１１と、Ｎｉからなるゲート被覆層１２とを有する。配線の形成工程は、ＴＦＴ基板２との密着性を有し、且つゲート導電層１１を形成する液滴３２に対して親液性を有する中間層を設けるために、ゲート配線領域３ａおよびゲート電極領域５ａに対して中間層形成機能液の液滴３１を吐出する工程と、ゲート中間層１０に重ねてゲート導電層１１を形成するために、ゲート配線領域３ａに対して液滴３２を吐出する工程と、液滴３２をゲート中間層１０との親液性によってゲート電極領域５ａへ自己流動させる工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

【課題】細い線状のパターンを、精度よく安定して形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に液滴吐出法を用いて機能液Ｌを吐出して所定のパターンを形成する方法であって、上記基板上に、上記機能液Ｌの飛翔径より大きな幅を有する第１領域３４Ａと当該第１領域３４Ａよりも狭い幅を有する第２領域３４Ｂとが配置されるようにバンクＢを形成する工程と、上記第２領域３４Ｂに、上記機能液Ｌに含まれる溶媒Ｌａを吐出する工程と、上記第１領域３４Ａに上記機能液Ｌを吐出して上記第２領域３４Ｂに上記機能液Ｌを流れ込ませる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 細い線状の微細パターンを、精度よく安定して形成することができるバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、第１パターン４０に対応して設けられた第１凹部５６と、第１凹部５６の一部に第１凹部５６よりも幅が広く、かつ、外周の少なくとも一部に円弧を有する形状に設けられた第２パターンに対応した第２凹部５７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 基板との密着性と導電性に優れ、簡易に形成された電極を有する、電極の高解像化が実現された薄層トランジスタ、及び、該薄層トランジスタを備えてなる電気的特性に優れたアクティブマトリックス型表示装置及び駆動用ＬＳＩチップのドライバ入出力配線の導電性が改良され、高解像度で配線が形成されてなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなる基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてパターン状にエネルギーを付与し、該基板上にパターン状のグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなる導電層をゲート電極１１０とし、該ゲート電極１１０上に、ゲート絶縁膜１１４、半導体膜１１８、ソース電極１２０、ドレイン電極１２２を順次備えてなる薄層トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】略規則性をもって配列されたチャネル形成領域構成微粒子と有機半導体分子との結合を有するチャネル形成領域を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ソース／ドレイン電極１４、チャネル形成領域１５、ゲート絶縁層１３及びゲート電極１２を備え、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４間に位置する支持体１１の部分とチャネル形成領域１５との間には、下地層３０が形成され、下地層３０は電気的絶縁材料から成る下地層構成微粒子３１が略規則性をもって配列されて成り、チャネル形成領域１５は、導体又は半導体から成るチャネル形成領域構成微粒子２１と、該チャネル形成領域構成微粒子２１と結合した有機半導体分子２２とによって構成された導電路２０を有し、下地層３０の微粒子配列状態に基づき、チャネル形成領域構成微粒子２１が略規則性をもって配列されている。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度に拘らず、つまり焼成温度を低温に設定した場合にも、膜表面の平坦性及び膜の緻密性が良好で、所望の膜特性を十分に確保することが可能な機能膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の機能膜の製造方法は、融点が９００℃以上で、且つ粒径を３０ｎｍ〜１５０ｎｍとした場合の融点が２５５℃以上である金属および金属酸化物材料を溶質として含む第１インクを基板Ｐ上に配置する工程と、配置した第１インクの上に、金属有機塩を溶質として含む第２インクＸ２を配置する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い降伏電圧を有する高い導電性の電力半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の電力半導体装置は、第１のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合と、該第１のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合上に配置された第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合と、該第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続された第１電極と、前記第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続され、前記第１電極から離隔された第２電極と、を有する。前記第１電極は、前記第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合とショットキーコンタクトを形成し、前記第２電極は、前記第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合とオーミックコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】ノンドープＧａＮからなるチャネル層（１）と、チャネル層（１）の表面上に形成されたｎ型のＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎからなるバリア層（２）と、バリア層（２）上に選択的に形成されたｐ型のＡｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなる半導体層（３）と、半導体層（３）の両側のうちの一方側に位置するバリア層（２）上に形成されたドレイン電極（４）と、少なくとも半導体層（３）とドレイン電極（４）との間で半導体層（３）に隣接する位置のバリア層（２）上に形成された絶縁膜（７）と、絶縁膜（７）上に形成されたフィールドプレート電極（８）とを有するパワー半導体素子。
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【課題】 微細な膜パターンを精度良く安定して形成できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、前記基板上に撥液性材料を配置し、撥液性膜を形成する工程と、前記撥液性膜上に光触媒を含有する材料を配置し光触媒含有材料膜を形成する工程と、前記光触媒含有材料膜に対してエネルギー線を照射することにより、前記光触媒含有材料膜に接している前記撥液性膜の撥液性領域を分解して親液性領域に変化させ、濡れ性の異なる部位からなるパターンを形成する工程と、前記光触媒含有材料膜を除去する工程と、を備える膜パターンの形成方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成時に、微細パターンと他のパターンとの各々の高さを同じくすることにより、上記パターン上を含む領域を平坦にするバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、第１パターンに対応して隔壁３４に設けられた第１凹部５５と、第１パターンに接続され、かつ、第１パターンよりも幅が狭い第２パターンに対応して隔壁３４に設けられた第２凹部５６と、を含み、第２凹部５６の底面の高さが、第１凹部５５の底面の高さよりも高く設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。窒化ガリウムエピタキシャル層１５は、第１の面１３ａ上に設けられている。オーミック電極１７は、第２の面１３ｂ上に設けられている。ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層１５の厚さＤ１は５マイクロメートル以上１０００マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は、１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】 界面抵抗Ｒｃが小さいＳｃｈｏｔｔｋｙ−Ｓ／Ｄ構造を含むＭＯＳトランジスタを提供すること。
【解決手段】 チャネル型が第１導電型であるＭＯＳトランジスタは、第１および第２のチャネル領域ＣＨを含む第１導電型半導体領域１と、第１および第２のチャネル領域ＣＨ上に設けられたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に設けられたゲート電極３と、第１および第２のチャネル領域ＣＨを挟むように設けられ、かつ、第１導電型半導体領域１とショットキー接合する、互いに離間した第１および第２のソース／ドレイン領域４を備えている。 （もっと読む）

後に酸素含有環境に晒されるときに下地の金属層の特性及び形態を維持する不動態化された金属層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１）内に基板（５０、３０２、４０３、５１０）を設置する工程、化学的気相堆積法にて基板（５０、３０２、４０３、５１０）上にレニウム金属層（３０４、４０８、５８０）を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板（５０、３０２、４０３、５１０）を晒す工程、及びレニウム金属表面でのレニウム含有ノジュール（３０６）の酸素誘起成長を抑制するために、レニウム金属層（３０４、４０８、５８０）上にパッシベーション層（４１４、５９０）を形成する工程を有する。
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【課題】 積層膜或いは連結膜を簡便且つ確実に得ることが可能な膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、基板Ｐ上に、相対的に膜厚の小さい薄膜部３２と相対的に膜厚の大きい厚膜部３３とを有する段差構造を備え、前記薄膜部３２が前記厚膜部３３により取り囲まれてなる構成のバンク３５を形成するバンク形成工程と、前記薄膜部３２により囲まれた領域に対して第１機能液１０を配置する第１配置工程と、配置した第１機能液１０を乾燥して第１機能膜１１を得る乾燥工程と、前記乾燥工程の後、前記薄膜部３２を選択的に除去する薄膜部除去工程と、前記薄膜部３２の除去後、残存するバンクにより囲まれた領域に対して第２機能液を配置する第２配置工程と、配置した第２機能液を乾燥して第２機能膜を得る乾燥工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）