【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】 シーケンシャル流量堆積を使用して金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 シーケンシャル流量堆積を使用して良好な表面モホロジを有する金属層を堆積させる方法は、処理チャンバ内の基板を交互に金属−カルボニル前駆ガスと、還元ガスとに曝すことを含む。金属−カルボニルプリカーサガスにさらされる間、薄い金属層は、熱分解によって基板上に堆積され、その後の還元ガスに金属層を曝すことは、金属層から反応副生成物の除去するのを助ける。所望の厚さを有する金属層が達成されるまで、金属−カルボニルプリカーサガスと、還元ガスとの曝露ステップは、繰り返されることができる。 （もっと読む）

本発明はドナー基板からレシーバ基板に材料のパターンを積層によって転写する方法である。転写された材料のパターンは、積層の際にドナーとレシーバとの間に挿入されたマスクの開口によって画定される。この技法は可撓性ポリマーレシーバ基板に適合しており、可撓性表示装置用の薄膜トランジスタを作製するのに有用である。

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基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を１つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および／またはコントロールするために使用される。 （もっと読む）

スパッタ用ターゲット組立体２０を製造する方法、及びその製品が提供される。本方法はバッキングプレート２６を製造するステップを含み、バッキングプレートは平坦な上面とそこに円筒形状凹部２８を備える。次に、バッキングプレート２６の円筒形状凹部に対応する円錐台背面２４及び前面を有する最終形状に近いターゲットインサート２２が製造される。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の降伏強度よりも大きな降伏強度を有し、かつバッキングプレート２６の円筒形状凹部の深さよりも高さが大きい。その後、バッキングプレート２６にターゲットインサート２２を拡散接合し、ターゲット組立体を形成するために、塑性変形の状態までターゲット２２をバッキングプレート２６の円筒形状凹部２８へ加温圧縮する。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の平坦な面上に突出する。
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本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウェーハの表面に金属層を堆積させる電気メッキ装置が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッドを、ウェーハの表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。 （もっと読む）

ショットキーのような動作を有するモノリシック集積パンチスルー・ダイオード。これは、ショットキー金属領域（１６）が第１のｐドープ・ウェル（９）の表面の少なくとも一部に堆積されるときに実現される。ショットキー金属領域（１６）およびｐドープ・ウェル（９）は、ショットキー・ダイオードの金属−半導体−遷移を形成する。順方向特性が０．５Ｖ未満の電圧降下を有するので、発明のＰＴダイオードの過電圧保護は改善される。
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【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用い、オン抵抗のさらなる低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、研磨等により厚さが２００μｍ以下にされ、（　０　０　０−１）Ｃ面を上面とするＳｉＣ基板１１ａと、ＳｉＣ基板１１ａの上面上に順に設けられた半導体からなるエピタキシャル成長層１２，ショットキー電極１４及び上部電極１６と、Ｓｉ面であるＳｉＣ基板１１ａの裏面上に順に設けられたオーミック電極１５及び下部電極１７とを備えている。ＳｉＣ基板１１ａが従来の基板よりも薄いため、動作時のオン抵抗が大きく低減されている。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）