【課題】シリサイド領域および非シリサイド領域を有する半導体装置において、接合リーク電流を低減する方法を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ１０と半導体素子２０とを覆うシリコン酸化膜３０を形成した後、非シリサイド領域をフォトレジスト４で覆う。この状態でスパッタエッチングを行うことにより、シリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４を覆う部分の肩部を除去する。その後、異方性ドライエッチングを行うことによりシリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４の下端部と接する部分以外を除去し、フォトレジスト４を除去した後、ウェットエッチングを行う。その後、非シリサイド領域において残存するシリコン酸化膜３０をマスクとして、シリサイド領域に対してシリサイド化を行う。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの電気的な接触面（２０）を有する少なくとも１つの電気的な構成要素（２）と、該構成要素（２）の前記接触面（２０）を電気的に接触させるための少なくとも１つの電気的な接続導体（３）と、前記構成要素（２）の上に配置された少なくとも１つの絶縁層（４）とを有し、該絶縁層（４）が該絶縁層（４）の厚さ方向でこれを貫通する少なくとも１つの開口（４２）を有し、該開口（４２）が前記構成要素（２）の接触面（２０）に向き合って配置されており、前記絶縁層（４）が前記開口（４２）を制限する側面（４３）を有し、前記電気的な接続導体（３）が前記側面（４３）に配置された少なくとも１つの金属化層（３０）を有しているシステムに関する。該システムは、前記金属化層（３０）が前記接触面（２０）に対し斜めに配向されていることを特徴としている。斜めに配向された金属化層によっては、前記絶縁層の上に配置された前記接続導体の区分と前記絶縁層と前記構成要素とが互いに機械的にかなり結合される。有利には金属化層は数μｍの厚さを有している。機械的な減結合によって、前記接続導体と前記絶縁体と前記構成要素とは、熱的な膨張係数の異なる材料から成っていることができる。本発明は特に、出力半導体構成要素を大きな面積で電気的に接触させるために使用される。
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【課題】 パターン形成される造形部分の微小寸法を縮小する技術を提供すること。
【解決手段】 半導体の処理のための技術が提供される。１つの態様において、半導体デバイスに１つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成するための方法は、以下のステップを含む。反射防止材のエッチング中に、１つまたはそれ以上の造形部分の少なくとも１つの微小寸法が縮小される。リソグラフィ構造もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層１７２と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。 （もっと読む）