【課題】Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。第１のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第２のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。 （もっと読む）

【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第１導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの上部に形成するヴィアプラグを形成する場合に、ヴィアホールの上端開口をシュリンクさせるスペーサを設けるときの不具合を解消する。
【解決手段】ＮＡＮＤフラッシュメモリのメモリセル領域は、シリコン基板１がＳＴＩ２により活性領域３に分離形成されている。一対の選択ゲート線の間にシリコン酸化膜４に千鳥配置されたコンタクトプラグ６が形成されている。コンタクトプラグ４の上部にはボイドに起因した凹部６ａが発生している。上部のシリコン酸化膜７にヴィアプラグ１０が形成され、この凹部６ａの形状に対応した凸部１０ａにより電気的に良好に接触した状態となっている。ヴィアホール８の上端開口部はスペーサ９により径がシュリンクされている。 （もっと読む）

【課題】フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。また、電極５を備える。電極５は、開口部の内部に、ＧａＮエピタキシャル層３に接触するように形成されたショットキー電極と、ショットキー電極に接続するとともに、絶縁層４に重なるように形成された、フィールドプレート電極とによって構成されている。ＧａＮ自立基板２の転位密度は、１×１０⁸ｃｍ^-2以下である。 （もっと読む）

【課題】安定して電界集中緩和効果を得ることが可能なフィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ショットキー電極５と、絶縁層４と、電極部分７とを備える。ショットキー電極５は、ＧａＮエピタキシャル層３の表面に接触するように形成される。絶縁層４は、ＧａＮエピタキシャル層３の表面上において、ショットキー電極５に隣接するように形成される。電極部分７は、ショットキー電極５と接続され、絶縁層４上に接触して延在するとともにショットキー電極５を構成する材料と異なる材料により構成される。 （もっと読む）

【課題】穴径の小さいホールを容易かつ確実に形成することを可能ならしめる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部１４を備えたレジスト膜１２を絶縁膜１０上に形成し（ＳＴ１）、このレジスト膜１２をマスク材として絶縁膜１０の途中深さまでエッチング加工し（ＳＴ２）、レジスト膜１２をＸｅＦ_２ガス雰囲気に暴露することにより、レジスト膜１２の表面を膨張させて穴部１４の開口径を縮小させ（ＳＴ３）、こうして生成したレジスト膨張部１２ａと元のレジスト膜１２をマスク材として絶縁膜１０の下端面までエッチング加工し（ＳＴ４）、ホール１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】電子素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】リセス構造を有する半導体装置における絶縁膜の後退量を制御し、リセスエッジ形状のばらつきを抑え、安定した特性、信頼性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板１上に第1の絶縁膜３を形成し、第1の絶縁３膜の所定位置に、この第１の絶縁膜３を貫通する開口部４を形成し、第1の絶縁膜３および開口部４上に第２の絶縁膜５を形成し、異方性エッチングにより、第２の絶縁膜５を選択的に除去して、開口部４壁面に第２の絶縁膜５からなる側壁６を形成し、第１の絶縁膜３および側壁６をマスクとして、等方性エッチングによりリセス７を形成し、側壁６を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェット雰囲気の熱酸化によって層間絶縁膜に含まれた水分により電極材料が腐食してしまうことを防止する。
【解決手段】層間絶縁膜１０を形成するためのリフロー処理時において、７００℃以下（例えば６００℃）に降温したときに水蒸気雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換し、加熱されるようにする。これにより、層間絶縁膜１０を構成するＢＰＳＧ内に含まれる水分を脱水することが可能となる。したがって、層間絶縁膜１０の上層に配置されるソース電極１２などの電極材料が水分によって腐食してしまうことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を構成するためのポリシリコンがウェット雰囲気にて酸化されることを抑制する。
【解決手段】層間絶縁膜１０を形成するためのリフロー処理により、ゲート電極９の端部の丸め酸化も兼用して実施されるようにする。これにより、層間絶縁膜１０のリフロー処理をウェット雰囲気で行ったとしても、従来のようにゲート電極９の丸め酸化と層間絶縁膜１０のリフロー処理とを別々に行う場合と比べて、ゲート電極９の酸化量を少なくすることが可能となる。このため、ゲート電極９を構成するためのポリシリコンがウェット雰囲気にて酸化されることを抑制でき、ゲート電極９がすべて酸化されてしまってゲート電極９の役割を果たさなくなったり、ゲート電極９とのオーミックコンタクトが取れなくなるという問題が発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状（角柱、円柱、三角柱など）、針状などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスと後工程の相互接続体との間の誘電体材料層内にコンタクト構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、半導体デバイスと後工程の相互接続体との間の誘電体材料層内にコンタクト構造体を製造する方法を提供する。この方法は、誘電体材料層内に少なくとも１つのコンタクト開口部を作成するステップと、化学気相堆積プロセスによって第１のＴｉＮ膜を形成するステップであって、第１のＴｉＮ膜はコンタクト開口部をライニングする（内側を覆う）ステップと、物理的気相堆積プロセスによって第２のＴｉＮ膜を形成するステップであって、第２のＴｉＮ膜は第１のＴｉＮ膜をライニングするステップとを含む。本発明の実施形態によって製造されるコンタクト構造体も提供される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に第１の開口を形成し、第１の開口を有する絶縁層をマスクとして光吸収層を選択的に除去し、絶縁層及び光吸収層に第２の開口を形成し、第２の開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように第２の開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】液体プロセスによるＴＦＴの製造を容易にする技術の提供。
【解決手段】ゲート電極１２を下地層１１の所定部位上に形成する工程と、所定部位によって分離された２つの凹部２０ａ、２０ｂが得られるように、前記ゲート電極１２をエッチングマスクとして用いながら前記下部層をエッチングする工程と、２つの凹部２０ａ、２０ｂに対応した２つの凹領域と、所定部位に対応した凸領域と、を縁取る誘電体層１３が得られるように、前記ゲート電極１２上と、前記２つの凹部２０ａ、２０ｂ上とに、誘電体層１３を形成する工程と、前記２つの凹領域内に導電性材料を含有した機能液を配置する工程と、導電性材料からソース電極１５ａとドレイン電極１５ｂとが形成されるように、２つの凹領域内の機能液を加熱する工程と、前記ソース電極１５ａと、前記ドレイン電極１５ｂとを、半導体層１６で覆う工程、を包含している。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に形成される配線層の抵抗値を抑制する。
【解決手段】コンタクトホールＨが、変曲位置Ｈ１から下方に向けて径が小さいテーパ孔形状に形成されていると共に変曲位置Ｈ１から上方に向けてシリコン基板２の表面に対して垂直柱状に形成されている。また、このコンタクトホールＨ内にポリプラグ８および金属プラグ９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】すり鉢状のコンタクトホールを容易に形成する。
【解決手段】半導体基板１１上に金属膜１２を形成し、金属膜１２上にＳｉＯ_２膜１３を形成し、ＳｉＯ_２膜１３上に第１のレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４上に第２のレジスト膜１５を形成し、レジスト膜１５にコンタクトホール形成用の開口部１６を形成し、レジスト膜１４のみを感光させる露光用光源を用いてレジスト膜１４に開口部１６よりも大きい開口部１７を形成し、レジスト膜１４、１５をマスクにして、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６などのエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによりＳｉＯ_２膜１３を選択的に除去して、コンタクトホール１９を形成する。 （もっと読む）