表示装置の作製方法

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に第１の開口を形成し、第１の開口を有する絶縁層をマスクとして光吸収層を選択的に除去し、絶縁層及び光吸収層に第２の開口を形成し、第２の開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように第２の開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記絶縁層の照射領域を除去し前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する絶縁層をマスクとして前記光吸収層を選択的に除去し、前記絶縁層及び前記光吸収層に第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記絶縁層の照射領域を除去し前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する絶縁層をマスクとして前記光吸収層を選択的に除去し、前記絶縁層及び前記光吸収層に前記導電層に達する第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記絶縁層の照射領域を除去し前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する絶縁層をマスクとして前記光吸収層及び前記導電層を選択的に除去し、前記絶縁層、前記光吸収層及び前記導電層に第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記光吸収層の照射領域の一部及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記光吸収層及び前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する絶縁層をマスクとして前記光吸収層を選択的に除去し、前記絶縁層及び前記光吸収層に第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記光吸収層の照射領域の一部及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記光吸収層及び前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する前記絶縁層をマスクとして前記光吸収層を選択的に除去し、前記絶縁層及び前記光吸収層に前記導電層に達する第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記光吸収層の照射領域の一部及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記光吸収層及び前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する前記絶縁層をマスクとして前記光吸収層及び前記導電層を選択的に除去し、前記絶縁層、前記光吸収層及び前記導電層に第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
導電層を形成し、
前記導電層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記光吸収層の照射領域及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記光吸収層及び前記絶縁層に第１の開口を形成し、
前記第１の開口を有する前記光吸収層及び前記絶縁層をマスクとして前記導電層を選択的に除去し、前記絶縁層、前記光吸収層及び前記導電層に第２の開口を形成し、
前記第２の開口に前記光吸収層と前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記光吸収層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記光吸収層の照射領域及び前記絶縁層の照射領域を除去する際、前記導電層の一部も除去することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記光吸収層は導電性材料を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記光吸収層はクロム、タンタル、銀、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記光吸収層は半導体材料を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記光吸収層は珪素を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記絶縁層は前記レーザ光を透過することを特徴とする表示装置の作製方法。

【図１】