【課題】 本発明は、ショットキ・コンタクト（１６）を形成するために半導体（１４）上に導電性炭素材料（１７）を堆積する方法に関する。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体（１４）をプロセス・チャンバ（１０）内に導入するステップと、プロセス・チャンバ（１０）の内部（１０'）を所定温度に加熱するス
テップと、プロセス・チャンバ（１０）を第１所定圧力以下に減圧するステップと、プロセス・チャンバ（１０）の内部（１０'）を第２所定温度に加熱するステップと、少なく
とも炭素を含むガス（１２）を、第１所定圧力よりも高い第２所定圧力に達するまで導入するステップと、少なくとも炭素を含むガス（１２）から、半導体（１４）上に導電性炭素材料（１７）を堆積することにより、半導体（１４）上に堆積した炭素材料（１７）がショットキ・コンタクト（１６）を形成するステップを備えている。 （もっと読む）

この発明は、基板と半導体本体（１）とを有する半導体装置（１０）に関し、半導体本体（１）がソース（２）及びドレイン（３）を有する第一のＦＥＴ（３）を備え、ソース（２）及びドレイン（３）は、金属シリサイドを含む接続領域（２Ｂ，３Ｂ）が設けられ、そして、ゲート（６）下部のチャネル領域（４）と境界を成し且つソース（２）及びドレイン（３）より厚みが薄く且つドーピング濃度が低いソース及びドレイン領域拡張部（２Ａ，３Ａ）に接続されている。ソース（２）及びドレイン（３）とソース及びドレイン領域拡張部（２Ａ，３Ａ）とは、第一の導電型で且つ厚み及びドーピング濃度がソース（２）及びドレイン（３）とソース及びドレイン領域拡張部（２Ａ，３Ａ）との間の中間領域（２Ｃ，３Ｃ）により互いに接続されている。このようにして、接続領域（２Ｂ，３Ｂ）と基板と間にリーク電流並びに短絡が起きるのが抑制され、一方で、ソース及びドレイン領域拡張部（２Ａ，３Ａ）を用いることの効果が維持される。好ましくは、中間領域（２Ｃ，３Ｃ）がゲート（６）直近のスペーサ（７）下部に位置し、好ましくは、これらは、なるべく傾けられたイオン注入により形成される。
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【課題】本発明は、高解像度構造を有する有機電子部品、特に低ソースドレーン間の距離を有する有機電界効果トランジスタ（OFET）及びその生産方法に関する。
【解決手段】有機電子部品は、生産中レーザーを用いて作られた凹部及び／又は修正された区域を有し、その中には、例えば、金属の導体トラック／電極が配置される。 （もっと読む）

ｎ型電界効果トランジスタおよびｐ型電界効果トランジスタとを含む半導体装置であって、ｎ型電界効果トランジスタを構成する突起状半導体領域の結晶方位は、その基板と平行な面が実質上｛１００｝面であり、その側面が実質上前記｛１００｝面と直交する｛１００｝面であり、ｐ型電界効果トランジスタを構成する突起状半導体領域の結晶方位は、その基板と平行な面が実質上｛１００｝面であり、その側面が実質上前記｛１００｝面と直交する｛１１０｝面である、という条件を満足する半導体装置とする。 （もっと読む）

集積回路（１００）の形成方法（９００）およびその構造体が提供される。半導体基板（１０２）上にゲート誘電体（１０４）が形成され、半導体基板（１０２）上のゲート誘電体（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（５０４／５０６）が形成される。ソース／ドレイン接合部（５０４／５０６）上に超均一シリサイド（６０４／６０８）が形成され、半導体基板（１０２）の上方に誘電体層（７０２）が堆積される。次いで、誘電体層（７０２）に、超均一シリサイド（６０４／６０８／６０６）へのコンタクトが形成される。
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少なくとも１種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない１または２以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばＮＨ_２Ｄ、ＮＨＤ_２及びＮＤ_３を用い、適する珪素含有化合物として例えばＳｉＣｌ_４及びＳｉ_２Ｃｌ_６を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をＤＲＡＭセル中に用い、さらに得られたＤＲＡＭセルを電子システム中に用いることができる。

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【課題】ＴＦＴと凹部又は凸部を有する反射電極とを形成する方法であって、製造工程数及び製造コストの削減が図られた方法、及びこの方法が適用された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 金属膜７の上に感光性膜８を形成し、この感光性膜８から残部８１、８２及び８３を形成し、この残部８１、８２及び８３をマスクとして金属膜７をエッチングし、この残部８１、８２及び８３を剥離せずに感光性膜９及び反射電極膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 微細トランジスタと高耐圧トランジスタの線幅バラツキを低減する。
【解決手段】 Ｐ型の半導体基板１上の段差部を境にしてＰ型ウエル２及びＮ型ウエル３が形成されたものにおいて、段差低部に形成される前記Ｐ型ウエル２上に第１線幅を有する第１のトランジスタ（微細トランジスタ）が形成され、段差高部に形成される前記Ｎ型ウエル３上に第１のトランジスタよりも線幅の太い第２線幅を有する第２のトランジスタ（高耐圧トランジスタ）が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）