説明

Fターム[4M106AC01]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | テスト用回路 (391) | 被テスト回路 (79)

Fターム[4M106AC01]の下位に属するFターム

Fターム[4M106AC01]に分類される特許

1 - 8 / 8


【課題】 より簡易な設計手法で作製可能なテスト回路を提供する。
【解決手段】 テスト回路100は、基板と、基板上に形成された配線部及び被試験デバイス部10とを備える構成とする。テスト回路100では、被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置Oと複数の接続電極13a〜13dのそれぞれとを結ぶ直線L1の延在方向が、配線21の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、被試験デバイス本体及び複数の接続電極13a〜13dをパターン形成面内で90度回転させた際にも、複数の接続電極13a〜13d及び複数の配線21〜24間の接続が維持されるような位置に複数の接続電極13a〜13dが配置される。 (もっと読む)


【課題】配線層とビア層との剥離箇所を簡単に特定できる技術を提供する。
【解決手段】第1層配線層のパターンの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Xに交差する所定の方向Yに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、第2層配線層のパターンの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Xに交差する所定の方向Yに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記方向X(方向Y)に沿って設けられた第1層配線層と第2層配線層とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、第1層配線層と第2層配線層とは、両方向ともに平面視において共通する或る位置において、電気的に接続し一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成されている。 (もっと読む)


【課題】不良箇所を容易に特定し得る半導体装置及びその形成方法並びにその設計方法を提供する。
【解決手段】配線パターン32aと、ダミーパターン32bと、一方の端部が配線パターンに電気的に接続され、他方の端部がダミーパターンに電気的に接続されたヒューズ32cとを有している。 (もっと読む)


【課題】インライン特性化のための装置を提供する。
【解決手段】当該装置は、第1の電圧および第2の電圧が順次印加される、熱的に分離された被試験デバイスと、第1の電圧および第2の電圧が順次印加されている間に、第1の温度および第2の温度をそれぞれ実質的に同時に、被試験デバイスに与える局部加熱素子と、被試験デバイスの温度を測定する温度感知ユニットとを含む。 (もっと読む)


【課題】製造マージンの評価や製造マージンの管理を容易にする半導体装置を提供する。
【解決手段】セルアレイを含む半導体装置において、セルアレイの周囲に設けられたダミー領域にセルアレイのセルと略同一形状のレイアウトパターンを有するプロセス不良検出回路を設ける。特に、プロセス不良検出回路がセルアレイの周辺部に設けられたダミーパターンとしての機能を備えることによって、プロセス不良検出回路によるチップ面積を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の面積を増大させることなく、測定用の構造を確保し、かつ製造した半導体装置の容量値を直接測定できる、半導体装置の製造方法と半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】回路素子が形成された内部回路領域を囲う周辺部に、複数の配線層のそれぞれにリング状の配線が、層間絶縁膜を介して互いに対向して設けられた半導体装置の製造方法において、複数の配線層の内の、上下に隣り合う2層の配線層に設けられたリング状配線を、互いに絶縁された状態に形成し、この2層のリング状配線間の容量を測定し、その後、前記2層のリング状配線の内の少なくとも一方を、前記内部回路に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 チップが形成されたウェハの検査を効率的に低コストで行う。
【解決手段】 ウェハ上にチップを形成する際、その形成工程に応じたチップパターン、モニタ用素子/回路パターン、接続パターンが形成されたレチクルを用いる。レチクルは、モニタ用素子/回路パターンおよび接続パターンの一部を外周部ダイシング領域4の内側に形成し、隣接するショット位置を露光したときに外周部ダイシング領域4が重ならない部分にはパターンが形成されるが重なる部分にはパターンが一部形成されないように構成する。このようなレチクルを用いることにより、チップと共に、チップ形成領域全体を囲む回路が形成可能になる。この回路によれば、ウェハ上の広範囲の電気的特性が簡単に短時間で測定可能であり、ウェハの良・不良判定が効率的に低コストで行えるようになる。 (もっと読む)


【課題】内部集積回路の試験動作を行うとともに、不純物濃度を電気特性で確認する半導体装置を提供する。
【解決手段】ウェハ100上には、半導体集積回路が形成されているチップ101とスクライブ領域102を交互に繰り返し形成する。スクライブ領域102上にはマスク合わせや寸法測定を行うためのパターンとともに、試験動作用パッド105、不純物測定TEG104を配置する。不純物測定TEG104は不純物の濃度、深さを確認出来るモジュールであり、試験動作用パッド105とはスイッチ106を介して接続する。試験動作用パッド105は、半導体装置101の内部回路107とヒューズ108、スイッチ109を介して接続している。スイッチ106、109の切り替えによって、試験動作用パッド105から不純物測定TEGと内部集積回路107の電気特性を測定する。スイッチ106、109は、スイッチ制御回路110の信号により切り替えを行う。 (もっと読む)


1 - 8 / 8