【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面６ｄとワイヤ５を接続するワイヤ接続面６ｅとが形成され、さらにプローブ接触面６ｄは主面６ａに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面６ｅはプローブ接触面６ｄと異なった角度の面である電極パッド６ｃを備えたメモリチップ６と、メモリチップ６が搭載されたタブ２ｃと、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂと、メモリチップ６の電極パッド６ｃのワイヤ接続面６ｅとインナリード２ａとを接続する複数のワイヤ５とを有している。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程での誤判定を受けにくい半導体チップおよび半導体ウェハを提供する。更に、配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程で誤判定を受けにくい半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】電極パッド領域は、絶縁膜（７）上で一列に配列されたｎ個（ｎ≧３）の電極パッド（４_ｍ−４から４_ｍ＋４）を備える。内部セル領域は、電極パッド領域側に配列されている半導体回路（３_ｌ−３から３_ｌ＋３）にそれぞれ接続された配線（ＶＤＤＬ）をｎ個の電極パッドの配列方向に備える。ｎ個の電極パッドの内、第１の電極パッド（４_ｍ−１）と、第１の電極パッドから１個の電極パッドを隔てた第２の電極パッド（４_ｍ＋１）とが、絶縁膜中で互いに接続され、かつ、配線Ｌ_ｍ−１およびＬ_ｍ＋１によって、配線（ＶＤＤＬ）にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】多数の内部回路を同時に動作させることで、半導体装置の電源電圧が降下する場合がある。その結果、本来は良品である半導体装置が不良品と判定され、歩留りが悪化するという問題がある。そのため、電圧降下の影響を考慮し、試験規格を補正する半導体試験装置及び半導体試験方法が望まれる。
【解決手段】半導体装置は、被試験対象の半導体装置上の第１の測定点における第１の電圧の測定が可能な第１のプローブと、第１の測定点とは異なる第２の測定点における第２の電圧の測定が可能な第２のプローブと、予め定められている試験規格電圧では、半導体装置が動作しない場合に、第１及び第２の電圧に基づいて試験規格電圧を補正する制御部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】被測定素子の配置密度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】異なる層に設けられた列配線Ｍ１および行配線Ｍ２からなる単位アレイ配線２１と、異なる層に設けられた列配線Ｍ３および行配線Ｍ４からなる単位アレイ配線２２とを、互いに異なる層に設ける。複数の単位アレイ配線２１，２２には、それぞれ、複数の被測定素子１１，１２のいずれか一つを接続する。複数の単位アレイ配線２１，２２どうしを部分的に重ね合わせて（オーバーラップさせて）配置することにより、被測定素子１１，１２の配置密度を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】兼用パッドのサイズを専用パッドよりも大きくするとともに、半導体装置のサイズ増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸された第１のエッジＥ１と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に延伸された第２のエッジＥ２とを含む半導体チップ１０と、半導体チップ上に形成され、互いに第２の方向に沿った長さが実質的に等しい複数の第１グループパッドＧＰ１と、半導体チップ上に形成され、第２の方向に沿った長さが、複数の第１グループパッドの第２の方向に沿った長さよりも長い、第２グループパッドＧＰ２と、を備える。複数の第１グループパッドと第２グループパッドとは、第２グループパッドと第２のエッジとの間に複数の第１グループパッドのいずれをも含まずに、第１の方向に沿って一列に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、積み重ねられた半導体装置間の電気的接続信頼性を向上可能な半導体装置及び積層型半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】表面５８ａ及び裏面５８ｂを有する半導体チップ３８を貫通する第１の貫通電極４８と、半導体チップ３８の表面側に位置する第１の貫通電極４８の一端に接続される第１の表面電極５３と、半導体チップ３８の裏面側に位置する第１の貫通電極４８の一端に接続される第１の裏面電極５５と、半導体チップ３８を貫通する第２の貫通電極４９と、半導体チップ３８の裏面側に位置する第２の貫通電極４９の一端に接続される第２の裏面電極５６と、を備え、半導体チップ３８の表面側に位置する第２の貫通電極４９の一端には電極を設けない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】例えばクラック発生などに起因する大量生産段階での低歩留りという問題を防止できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】パッドメタルの下に回路を有する半導体集積回路において、パッド開口部分のパッドメタルの少なくとも下全面に、互いに同一の電位を有する配線メタルを形成し、当該配線メタルの電位を上記パッドメタルと異なる電位に設定した。また、上記配線メタル、及び上記配線メタル以外の電位を有する別の配線メタルは、上記パッドメタルよりも下層に形成される。さらに、上記半導体集積回路の複数のパッドにおいて、バッド開口部分のパッドメタルの少なくとも下全面に形成された複数の配線メタルは互いに同一の電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】プローブ跡を除去でき、かつ、製造コストが増加することを抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、回路が形成された基板１００と、この基板１００上に形成され、表面に保護絶縁膜３００が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド２００と、を備える。また、このような半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板１００上に、この回路に接続し、かつ、保護絶縁膜３００から突出した突出部２０１を有する電極パッド２００を形成する工程と、プローブ端子５００を電極パッド２００に接触させることにより、回路の動作テストを行う工程と、突出部２０１の少なくとも表面を研磨する工程と、有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハテストを必要とする半導体装置を縮小化を可能にすること。
【解決手段】半導体装置は、ボンディングパッドと、ボンディングパッドに電気的に接続されたボンディングワイヤと、ボンディングワイヤがボンディングパッドに接続される前のウェハ状態において電気的特性が試験される被試験回路と、被試験回路の試験のための端子となると共に、ボンディングパッドに隣接して配置され、ボンディングワイヤと接触している試験用パッドと、被試験回路の試験時に試験用パッドと被試験回路とを電気的に接続する試験用配線と、被試験回路の試験後に被試験回路と試験用パッドとの電気的接続を遮断する遮断機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プローブの先端が電極パッドから外れてしまうことによる測定不良を十分に抑制する。
【解決手段】半導体装置（例えば、半導体ウェハ２００）は、複数層の配線層と、相互に隣り合う配線層の間に介在する層間絶縁膜と、を含む多層配線層９０を有する。更に、多層配線層９０上に形成された無機絶縁膜（例えば、酸化膜４と酸化窒化膜５との積層膜）と、無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜６とを有する。更に、多層配線層９０の複数層の配線層のうち、最上層でない配線層（例えば、最下層の配線層）に形成された電極パッド４０と、有機絶縁膜６、無機絶縁膜、及び、多層配線層９０において、電極パッド４０上に位置する部位に形成された開口４１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やさずに、安価な装置を用いてプロ―ビング位置の目視観察を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、多層配線層（図示せず）と、多層配線層の最上層に形成され、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２とを含むボンディングパッド２００を有する。ボンディングパッド２００には、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２との境界を表す凹部２０２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】接続部材が接続されるボンディングパッドを一面に有する半導体基板を備えた半導体装置において、接続部材の接続によるボンディングパッド下のダメージを検出する場合に、適切にパッド数の増加を抑制する。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１１〜１３の直下部位には、当該半導体装置の特性を検査するための検査用配線３１〜３３が設けられており、検査用配線３１〜３３の一端側は、半導体基板１の一面に設けられた検査用パッド２０に導通し、検査用配線３１〜３３の他端側はボンディングパッド１１〜１３に導通している。 （もっと読む）

【課題】テストパッドの数を減らすことができ、かつウェハ状態で各トランジスタを個別にテストすることができる半導体ウェハを得る。
【解決手段】半導体ウェハ１内に複数の半導体装置２が行列状に配置されている。複数の半導体装置２を分離するためのダイシングライン３が設けられている。各半導体装置２は、複数のトランジスタ４を含む。複数のトランジスタ４のコレクタ（第１端子）に、それぞれ個別に複数のテストパッド５（第１テストパッド）が接続されている。複数のトランジスタ４のエミッタ（第２端子）に接地電極１１が共通に接続されている。複数のトランジスタ４のベース（制御端子）に、ダイシングライン３内を通る配線６を介して、共通にテストパッド７（第２テストパッド）が接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを互いに接続する共通配線を備えた半導体ウェハの製造コストが増大するという課題を解決する半導体ウェハおよび半導体ウェハにおける電圧供給方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に規則的に配置された複数の半導体チップ１０２と、半導体チップ１０２を互いに接続する共通配線１０３と、共通配線１０３に接続された共用電極パッド１０４、とを有し、共用電極パッド１０４は、複数の半導体チップ１０２を内包する露光照射領域と同一の規則性をもって配置され、かつ、露光照射領域に含まれる半導体チップ１０２を囲む外縁の内部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 バンプパッドおよびプローブテスト用パッドを介して流入する静電気から保護され得る半導体装置を提供すること。
【解決手段】 チップオンチップ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造を有する半導体集積装置において、データ入力のためのバンプパッドと、バンプパッドを介して外部から流入する静電気を放電させる第１静電気放電部と、バンプパッドより大きいサイズを有し、データ入力のためのプローブテスト用パッドと、プローブテスト用パッドを介して外部から流入する静電気を放電させる第２静電気放電部と、バンプパッドまたはプローブテスト用パッドから伝達されるデータをバッファリングする入力バッファ部とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチに対応させてプローブ針の間隔を狭くすることができるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁膜１１０上に形成されたパッド１２０と、パッド１２０に形成された凹部１２１と、凹部１２１内に形成された金属層１２２とを備える。パッド１２０は接続領域１２６及びプローブ領域１２４を備えている。接続領域１２６にはボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続される。プローブ領域１２４は、半導体検査装置のプローブ針が接する領域である。そして金属層１２２はプローブ領域１２４に設けられている。パッド１２０は矩形であり、プローブ領域１２４は、パッド１２０のうち半導体装置の内側を向いている辺を含むように形成されている。金属層１２２は、パッド１２０よりもイオン化傾向の小さい金属により形成されている。 （もっと読む）

【課題】テスト用のパッドを共用可能とする半導体装置テスト接続体を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ５と、半導体ウェーハ５に形成され、ダイシングライン１３により個片化される予定の複数の半導体チップ１１と、半導体ウェーハ５に形成され、半導体チップ１１を特定する識別符号の少なくとも一部を付与するシフトレジスタ（３３、３４）と、半導体チップ１１から離間し、半導体ウェーハ５の周辺に設けられ、外部から電気的な接続が可能なテスト用パッド１８が複数配設されたパッド部１７と、ダイシングライン１３にあり、一端が識別符号に基づいて選択された半導体チップ１１に接続され、他端がパッド部１７の側に引き出されたテスト用のバス配線１５と、バス配線１５の他端とパッド部１７との間にあり、バス配線１５を決められたテスト用パッド１８に接続する接続線部１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】データ入出力パッドとテストパッド間の経路や当該経路途中の回路の不良を検出することを可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置のテストのためのテストパッド（第２パッド２２）と内部回路２３との接続経路に、データ入出力のためのマイクロバンプパッド（第１パッド２１）が配置されている。このため、前記第２パッド２２を用いたテスト時に、前記内部回路２３までの全経路の段線不良、回路不良が検出できる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド３６が、実質的に重なりのないプローブ３７領域およびワイヤボンド３８領域を有する。ボンドパッド３６は最終金属層パッド１６に接続されている。ボンドパッド３６はアルミニウム製であり、最終金属層パッド１６は銅製である。プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）