【課題】 金属製電気機械的機能素子を大きな設計の自由度をもって、かつ高い効率で容易に形成することのできる金属製電気機械的機能素子の形成方法、当該金属製電気機械的機能素子の形成方法を利用したマイクロスプリングの製造方法およびマイクロスイッチの製造方法並びに機能性基板を提供することにある。
【解決手段】 本発明の金属製電気機械的機能素子の形成方法は、基板に対して各々光造形法により成形された硬化樹脂単位層が積層されて形成された、金属部分形成用凹所を有する硬化樹脂よりなる型体を形成し、この型体における金属部分形成用凹所の内面上に無電解メッキ層を形成する過程を含む金属部分形成手段により、当該金属部分形成用凹所内に金属部分を形成し、型体と金属部分とよりなる中間体における型体を形成する硬化樹脂を除去する型体除去処理が行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さくても、ウエハに対する良好な電気的接続状態が確実に達成され、接点部材が早期に離脱しない異方導電性コネクターおよびその製造方法、プローブカード並びにウエハ検査装置を提供する。【解決手段】 本発明の異方導電性コネクターは、支持体上に配置されたフレーム板に、磁性を示す導電性粒子を含有する導電性エラストマー用材料層を形成し、その表面に複数の磁性を示す金属マスクを配置した後、厚み方向に磁場を作用させると共に硬化処理を行うことによって導電性エラストマー層を形成し、これをレーザー加工して複数の接続用導電部を形成し、これらの間に絶縁部用材料層を形成して得られた第１の中間体と、金属膜上に複数の接点部材を形成し、これらの間に絶縁部用材料層を形成して得られた第２の中間体とを積重し、これらの絶縁部用材料層を硬化処理することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】 冷熱衝撃試験の生産性及び信憑性を同時に向上することができる冷熱衝撃試験装置、冷熱衝撃試験方法及び半導体ウェハの検査方法を提供する。
【解決手段】 冷熱衝撃試験装置１は、試料室１０と、加熱部２０と、冷却部３０と、乾燥部４０とを備える。試料室１０は、メタルキャリアＭｃを有する。メタルキャリアＭｃは、半導体ウェハＷｆを保持する。加熱部２０及び冷却部３０は、試料室１０の温度を変える。乾燥部４０は、乾燥した空気を蓄積して、試料室１０を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】 バーンイン検査における引き離し工程の際に、配線基板を構成する材料に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止する。
【解決手段】 ウエハトレイ３０の上面に設置された半導体ウエハ１上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極を、受け台２３に支持された検査用基板５の配線基板１３上に設けられた各プローブ電極に接触させて、複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査した後に、ウエハトレイ３０の下面にステージ２９を吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す一連の工程を含むバーンイン検査における引き離し方法であって、ステージ２９をウエハトレイ３０の下面に吸着させる直前に、検査用基板５に対する水平方向における位置固定を解除する工程（ａ）と、検査用基板５の位置固定が解除された状態で、ウエハトレイ３０の下面にステージ２９を吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ上に形成されたデバイスの良品の分布や、デバイスの消費電力に依らず、プローブの消耗、焼けを防止し、信頼性の高いウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハ１０１の発熱密度から算出した補正値を用いて、温度制御に用いる設定温度を補正して温度制御を行うことにより、ウェーハ１０１上に形成されたデバイスの良品の分布や、デバイスの消費電力に依らず、電気的負荷印加時の発熱によるウェーハ温度と温度的負荷を印加するための制御温度との差を無くすことにより、プローブの消耗、焼けを防止し、信頼性の高いウェーハレベルバーンインによるスクリーニングをすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイが半導体ウエハから単一化(分離)される前に、弾性接触構造を直接、半導体ダイ上の接続パッドに取り付けること。
【解決手段】半導体ダイの表面上に配置された複数のターミナル(712)を有する回路ボード(710)又はそれと同様のもので、半導体ダイ(702、704)に接続することにより、半導体ダイの訓練(テスト、及び/又はバーンイン)を可能にする。最終的に、半導体ダイは、半導体ウエハから単一化され、同じ弾性接触構造(７０８)が半導体ダイと他の電子素子(ワイヤ基板、半導体パッケージ等のような)の間の相互接続を行うために使用され得る。弾性接触構造として、全金属の複合相互接続要素(７０８)を使用すると、バーンインが少なくとも150℃の温度で実行され、60分より短い時間で完了する。 （もっと読む）

【課題】検査効率を高めうるドーナッツ型並列プローブカード及びそれを利用したウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】チップ状態の半導体素子の検査に使用されるプローブカード用の配線基板１１００と、配線基板１１００の一の表面に設置され、ウェーハの単位チップに対応する探針が設置された複数のプロービングブロック１００２を備えるプローブカード１０００であって、プロービングブロック１００２は、配線基板１１００に楕円形に設置された第１領域１２００と、第１領域１２００の内部にプロービングブロック１００２が設置されていない第２領域１３００と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電気的負荷印加時の発熱によるウェーハ温度の面内温度のばらつきを低減することにより、プローブの消耗、焼けを防止し、信頼性の高いウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 温度調整用プレート１０６を少なくとも２つのエリアに分割し、そのエリアに対応して温度的負荷を印加するためのヒータ４０８とその制御系を分割して設定温度にそれぞれ独立に制御を行い、冷却源はヒータ４０８の制御用に各エリアに設置された温度センサ４０９の測定値を比較し、制御出力計算用の測定値を逐次切り替えることにより制御を行うことで、電気的負荷印加時の発熱によるウェーハ温度の面内温度のばらつきを低減することが可能となる。これにより、プローブの消耗、焼けを防止し、信頼性の高いウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 位置精度向上や、均熱性向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができるウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、チャックトップと支持体との間の一部に空隙を有することを特徴とする。前記チャックトップは加熱体を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 パッケージバーンインテストの可能な半導体集積回路及びバーンインテスト方法を提供する。
【解決手段】 半導体集積回路は、入出力回路、伝送制御部及びテスト制御部を備える。伝送制御部は、正常動作モードであるか、またはテストモードであるかによって入出力回路の制御ノードに動作信号を印加するか、または遮断する。テスト制御部は、テストモードでは、制御ノードに第１信号及び第２信号を順次に出力する。テスト制御部は、テストモードが行われる総時間のうち一定の時間には、第１信号を発生させ、残りの時間には、第２信号を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの実装基板への実装時の影響を精度良く検査できる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板１と、前記半導体基板１に形成されたチップ領域１０と、前記チップ領域１０に形成された電極１２と、前記半導体基板１に形成され、前記チップ領域１０と離間して形成されたチップ検査領域２０と、前記チップ検査領域２０に形成され、前記電極１２と電気的に接続された検査用電極２２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高剛性であり、断熱効果を高めることにより、位置精度を向上や、均熱性の向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができるウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、ウェハを載置するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、前記チャックトップと支持体との界面を覆う規制部材を具備することを特徴とする。チャックトップと支持体との間に存在する隙間を、前記規制部材で覆うことによって、外気が隙間から支持体内に流入するのを防ぐことによって、断熱効果を高めることができるので、特に室温以下の温度に冷却する場合の冷却速度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】水銀プローブ法により測定されるシリコンウェーハの電気的特性からシリコンウェーハの品質を評価する際に、ウェーハの電気的特性を高い信頼性をもって効率的に測定する手段を提供すること。
【解決手段】水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも弗酸処理からシリコンウェーハ表面と水銀を接触させるまでの間、前記ウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下におく。水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの面内複数点の測定を行いシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも前記測定を、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下にて行う。水銀プローブ法を用いて複数のシリコンウェーハの品質を評価する方法。弗酸処理を施した複数のシリコンウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下に保管し、前記保管された複数のシリコンウェーハを順次、前記測定に付す。 （もっと読む）

【課題】 プローバの昇温速度及び均熱性を向上することにより、スループットを向上することができるウェハプローバ用チャックトップおよびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用チャックトップは、面に導体層を有し、導体層以外の部分に発熱体を有するウェハプローバ用チャックトップであって、前記発熱体の存在する領域の最大外径ｌは、チャックトップの直径Ｌよりも小さく、且つチャックトップの厚みｔと、ウェハの直径Ｗｌに対し、ｌ＋４ｔ＞Ｗｌの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い精度を要求される微細回路を有する半導体の加熱時に、ウェハ保持体の駆動系の温度上昇を防止できるウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、ウェハを載置するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、前記チャックトップと支持体の間に形成される空隙部に、前記チャックトップよりも熱伝導の低い低熱伝導材料が挿入されていることを特徴とする。前記低熱伝導材料の熱伝導率は、前記支持体の熱伝導率より低いことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェハの急速な冷却ができるウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置や半導体加熱装置を提供する。
【解決手段】ウェハ保持体１は、ウェハ保持体自身にウェハ保持体を急速に冷却する流体を流す流路８が形成されてなる。或いは、流路８は、ウェハ保持体１のウェハ載置面の反対側の面に被覆部材９を設け、ウェハ保持体１と被覆部材９との間に形成されれる。また、流路８は、ウェハ保持体１と被覆部材９のどちらかあるいは両方に形成した凹部とする。 （もっと読む）

【課題】 チャックトップの変形や破損を防止し、繰り返し使用しても正確な測定を実現でき、均熱性に優れたウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、及び該ヒータユニットを備えたウェハプローバを提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、チャックトップと支持体とは、ネジで固定されており、該ネジと前記チャックトップとの熱膨張係数の差が、５．０×１０^−６／Ｋ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高剛性であり、断熱効果を高めることにより、位置精度を向上や、均熱性の向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができるウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、ウェハを載置するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、前記チャックトップと支持体の間に空隙部が形成されており、前記チャックトップのウェハ載置面の反対側の面に取り付けられる部材の最下部に、真空空間部材が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プロービング時に、ウェハ保持体を所定の位置に移動させたときのウェハ保持体の位置精度を非常に高いものにでき、また繰返し移動してもその位置精度にバラツキが生じにくいウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなるウェハ保持体であって、該ウェハ保持体の重量が、２８０００ｇ以下であることを特徴とする。前記チャックトップの重量は、６０００ｇ以下であることが好ましく、前記支持体の重量は、１２０００ｇ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高剛性であり、断熱効果を高めることにより、位置精度を向上や、均熱性の向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができるウェハプローバ用のウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 チャックトップ２と支持体４とを有するウェハ保持体１において、支持体４はチャックトップ２と接触する円管部４２と円管部４２を支える台座部４１とからなる。チャックトップ２の厚みを１としたとき、円管部４２の厚みが０.１〜５.０、且つ台座部４１の厚みが０.５〜１０.０である。円管部４２と台座部４１の間又は円管部４２とチャックトップ２との間に柱状体４３を有するときは、柱状体４３と円管部４２の厚みの合計は、チャックトップ２の厚みを１としたとき、０.１以上５.０以下である。 （もっと読む）