【課題】試料評価装置及び試料評価方法において、酸化金属膜の組成変動を簡単に測定すること。
【解決手段】走査型非線形誘電率顕微鏡１０の探針１４ａにより酸化金属膜３５の評価領域Fを走査することにより、評価領域Fの非線形誘電率を示す出力信号S₀を走査型非線形誘電率顕微鏡１０から取得するステップと、酸化金属膜３５の特定の構成元素の組成ずれXと出力信号S₀との関係を表すテーブルTBを参照することにより、取得した出力信号S₀に対応する組成ずれXを求めるステップとを有する試料評価方法による。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハ表面上の珪素を効率よく脱離することができるシリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、この珪素脱離方法を適用することにより採取した液体サンプル中のシリコン含有量を低く抑えることができるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法、及びこの採取方法により採取した液体サンプルを用いて分析することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】
ＨＦ溶液、ＨＮＯ₃溶液及びＨ₂ＯのそれぞれをＮ₂ガスでバブリングする工程と、シリコンウェーハを収納したチャンバー内に前記それぞれの溶液の揮発蒸気を含んだＮ₂ガスを導入し当該シリコンウェーハをエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコンウェーハをＮ₂ガスでブローすることにより前記シリコンウェーハ表面上の珪素を蒸発する工程と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを低下させることなく，化合物半導体ウエハの評価を行うことができる，化合物半導体ウエハの評価方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，半導体基板上方に化合物半導体積層体を有する化合物半導体ウエハの特定部位の周縁部分をエッチングして前記特定部位を柱状に加工し，この柱状の特定部位に一次イオンビームを照射して二次イオンを放出させ，放出された二次イオンの質量分析を行い，前記質量分析の結果に基づいて化合物半導体ウエハの評価を行う工程を含む化合物半導体ウエハの評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】光学ウェハ検査装置に関し、ウェハの回転、及び、ウェハの中心から外周縁までの半径方向の移動を組み合わせたプローブ光の走査機構に簡単な改良を加えることで、プローブ光がウェハを透過することを可能にした構成を実現し、ウェハの厚さ方向全域の検査を行うことを可能にして多くの情報を取得しようとする。
【解決手段】ウェハ１３の材料特性を光学的に検査する装置で、プローブ光１２がウェハ１３を透過可能なように外周縁近傍のみを支持し且つウェハ１３を回転させる機構と、プローブ光１２のウェハ１３への入射角を変える為に傾斜させる機構２２と、ウェハ１３の中心から外周縁までを半径方向にプローブ光１２で走査する為にウェハ１３を移動する機構と、ウェハ１３の一面側からプローブ光１２を入射させる光源１１とウェハ１３を透過して他面側から出射さる透過光１４を検出する検出器１６をもつ光学系とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化酸化シリコン膜の微小領域における組成及び組成分布を、非破壊でかつ容易に評価すること。
【解決手段】本発明は、基板１上に形成された窒化酸化シリコン膜２の組成を評価する方法であって、光源としてレーザを用い、フォトルミネッセンススペクトルを計測し解析することによって、窒化酸化シリコン膜２の組成又は組成分布を評価する。 （もっと読む）

【課題】 サンプルの迅速なＸＲＲ及びＸＲＤに基づいた分析用の装置及び方法を提供する。
【解決手段】 サンプルの分析用の装置は、サンプルの表面に向かってＸ線の収束ビームを案内するべく適合された放射源を含んでいる。同時に、サンプルから散乱したＸ線を、仰角の範囲にわたって、仰角の関数として検知し、この散乱したＸ線に応答して出力信号を生成するべく、少なくとも１つの検出器アレイが構成されている。この検出器アレイは、グレージング角で、サンプルの表面から反射したＸ線を検出器アレイが検知する第１の構造と、サンプルのＢｒａｇｇ角の近傍において、表面から回折したＸ線を検出器アレイが検知する第２の構造と、を具備している。そして、信号プロセッサが、サンプルの表面層の特性を判定するべく、この出力信号を処理する。 （もっと読む）

最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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【課題】
被分析試料の表面から深さ方向の元素分布分析をすることができる電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること
【解決手段】
本発明の電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、被分析試料５表面に電子線２を照射し、この電子線２により被分析試料５表面から誘導放出される特性Ｘ線の強度を測定する電子線プローブマイクロＸ線分析において、測定する特性Ｘ線の被分析試料５表面に対する角度を所定の範囲内で変化させて、複数の角度で特性Ｘ線の強度を測定し、各角度で測定した特性Ｘ線の強度に基づいて被分析試料５の元素分析をする。 （もっと読む）

【課題】 ＡＴＲ−ＦＴＩＲ測定でシリコン基板表面の微妙な変化を検出可能とする基板表面の評価方法を提供する。
【解決手段】 基板表面から得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、この基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによって基板表面の化学結合状態の微妙な変化の検出や、定量評価を可能にする。 （もっと読む）