【課題】 所望の開口数で光束を通すことができ、かつ、観察対象の試料に光学的に結合させる際の位置制御が容易な固浸レンズを提供する。
【解決手段】 固浸レンズ１Ａは、観察対象の試料６に取り付けられ、試料６の観察に用いられるものである。固浸レンズ１Ａは、所定半径の球面形状を有し、外部に対する光の入出力面となる上面（第１の面）２と、試料に対する取付面となる底面（第２の面）３を備えている。底面３は、試料に対する接触パターンが、中心軸に対して軸対称となるように、中心軸Ａｘを挟む位置に複数の突出部４ａ、４ｂを有している。 （もっと読む）

ウェーハ加工プロセスにおける更なるステップとして、ドーピングされた層の横方向急峻性を監視するために、どのような半導体ウェーハ加工プロセスをも変更することができる。一実施形態においては、１つ以上のドーピングされた領域を含むテスト構造が、製品ウェーハに形成され（例えば、１つ以上のトランジスタと同時に）、テスト構造の１つ以上の寸法が測定され、ウェーハのその他のドーピング領域における、例えば、同時に形成されたトランジスタにおける横方向急峻性の判断として使用される。テスト構造におけるドーピングされる領域は、お互いに一定の間隔を置いて規則正しく配置することができ、あるいは、隣接するドーピングされた領域間の間隔を変化させて配置されてもよい。あるいは、または、それに加えて、複数のテスト構造が、単一ウェーハに形成されてもよく、それぞれのテスト構造においては、ドーピングされた領域は、一定の空間的間隔で配置され、異なるテスト構造は、異なる空間的間隔を有する。
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【課題】 ＡＴＲ−ＦＴＩＲ測定でシリコン基板表面の微妙な変化を検出可能とする基板表面の評価方法を提供する。
【解決手段】 基板表面から得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、この基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによって基板表面の化学結合状態の微妙な変化の検出や、定量評価を可能にする。 （もっと読む）

ウェーハ加工プロセスにおける更なるステップとして、ドーピングされた層の横方向急峻性を監視するために、どのような半導体ウェーハ加工プロセスをも変更することができる。一実施形態においては、１つ以上のドーピングされた領域を含むテスト構造が、製品ウェーハに形成され（例えば、１つ以上のトランジスタと同時に）、テスト構造の１つ以上の寸法が測定され、ウェーハのその他のドーピング領域における、例えば、同時に形成されたトランジスタにおける横方向急峻性の判断として使用される。テスト構造におけるドーピングされる領域は、お互いに一定の間隔を置いて規則正しく配置することができ、あるいは、隣接するドーピングされた領域間の間隔を変化させて配置されてもよい。あるいは、または、それに加えて、複数のテスト構造が、単一ウェーハに形成されてもよく、それぞれのテスト構造においては、ドーピングされた領域は、一定の空間的間隔で配置され、異なるテスト構造は、異なる空間的間隔を有する。
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ゲート電極構造の第1寸法の決定によりゲート電極構造のトリミングをコントロールする方法および処理ツールであって、目標トリム寸法を選択し、プロセスパラメータのセットを生成するためにプロセスモデルに対して第1寸法および目標トリム寸法をフィードフォワードし、ゲート電極構造上にトリミングプロセスを実行する。トリミングプロセスを実行する際には、プロセスパラメータをコントロールし、ゲート電極構造をトリミングし、ゲート電極構造のトリム後の寸法を計測する。目標トリム寸法が得られるまで、トリミングプロセスは少なくとも１回は繰り返し行われる。トリム後寸法は、新たなプロセスパラメータのセットを生成するために、フィードバックされる。
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【課題】 透明な層間絶縁膜上の微細パターンおよび同一層の欠陥を感度良く検出する一方、下層のパターンおよび同一層の欠陥をデフォーカスした状態で検出し、本来検査したい工程の欠陥のみを検出可能とすること。
【解決手段】 本来同一形状となるべきパターンが複数規則的に配置された被検査物の検査装置において、解像度０．１８μｍ以下、より好ましくは０．１３μｍ以下となる照明波長と対物レンズ開口数の関係を備えた撮像光学系と、撮像光学系の結像位置に配置された光電変換器と 撮像光学系とは別に設けられた光路からなり入射角度８５度以上、より好ましくは８８度以上で照明する自動焦点光学系と、自動焦点光学系の検出信号に基づき撮像光学系の焦点位置を調節する手段と、光電変換器の電気信号を処理する手段とを、具備した構成をとる。 （もっと読む）