【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いてパターン形成がなされていない反射率が既知の無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、反射率が既知の無地ウェハーの反射強度から反射率が１００％の理想鏡に光を照射したときに得られるはずの理想反射強度を算出する。理想反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、理想反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出される。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いて反射率が既知の標準ウェハー、パターン形成がなされていない無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、標準ウェハーの反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、標準ウェハーの反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出され、その値と無地ウェハーに照射する光の適正エネルギー値とから処理対象ウェハーに照射すべき適正エネルギー値が算出される。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】まず、化合物半導体基板１０の表面１０ａのフォトルミネッセンス測定を行う。次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】層厚の厚い窒化物半導体層を有している窒化物半導体装置、及びＨＥＭＴが作り込まれている窒化物半導体装置を検査する場合においても、欠陥を確実に励起させ、かつ欠陥に由来するイエロールミネッセンスを精度良く検出する。
【解決手段】サファイア基板１５の表面に形成されたＧａＮ（窒化物半導体層）１７に対して、表面と対向する裏面側から、第１励起光４７を、サファイア基板を透過させて照射する。そして、第１励起光４７によって窒化物半導体層１７に発生し、かつサファイア基板１５の裏面から出射される、欠陥に基づくイエロールミネッセンス４９の第１強度を検出することによって、第１強度から窒化物半導体層１７の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ検査における評価の安定性・再現性向上を図る。
【解決手段】上部及び下部電極１０，１２を有する銅の析出装置内に、表面絶縁膜３４を形成したウェーハ３０を装着して、析出装置内に銅イオンを含むメタノール溶液Ｍを注入し、上部及び下部電極１０，１２に外部電圧を印加し、ウェーハ３０の欠陥部位３５上に銅を析出させる銅析出法において、
メタノール溶液Ｍの上部電極１２−下部電極１０間における抵抗値Ｒｍを所定の値に設定した状態で銅析出処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】イオンスパッタを用いて半導体ウエハ上の結晶シリコン等の深さ方向元素もしくは深さ方向不純物分析を行う際に、アモルファスシリコンで構成される深さ校正用標準試料から結晶シリコン等の正確なスパッタ率を評価することのできるスパッタ率補正用標準試料およびその試料を用いたスパッタ率比の算出方法を提供すること。
【解決手段】第１の材料２からなる第１の層と、第２の材料３からなる第２の層と、を備え、第１の層は、第２の層の上に積層され、第１の層と第２の層は、それぞれ面方向に隣接する第１の領域４と第２の領域５を有し、第１の層における第１の領域４と第２の領域５とは、上面位置が同一であり、第１の領域４における第１の層の厚さは、第２の領域５における第１の層の厚さより薄く形成されていること。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層膜構造における各膜の光学定数を算出する際に，各光学定数の算出精度を向上させる。
【解決手段】基板上に形成された積層膜構造における各膜の光学定数を算出する光学定数算出方法であって，各膜をそれぞれ下から順に対象膜とし，その対象膜の光学定数を既に算出された下層膜の光学定数を用いて算出することによって，各膜の光学定数を順次算出する基本ステップと，基本ステップで算出した対象膜の光学定数を，再フィッティング処理によって下層膜の光学定数を修正しながら算出し直す再計算ステップとを有する。これにより，下層膜の光学定数を物理的に正しい解に導くことができ，光学定数の算出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は良好にシリサイドを形成し得る半導体基板であるか否かを検査する半導体基板の検査方法を提供することにある。
【解決手段】 電極形成のためのシリサイドが表面に形成される半導体基板に対し、光を照射する照射工程と、照射による反射光の光強度測定を行う測定工程と、測定値および予め保持する閾値を比較し半導体基板の良否判定を行う判定工程と、を備える。これにより、電極形成のためのシリサイドの形成に先立ち、予め半導体基板の良否を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能のイメージングおよび高い時間分解能の検出をもたらす、ホット・エレクトロン光放出の時間分解測定によるＩＣデバイス・デバッグ用の商業的に実現可能な一体型システムを提供する。
【解決手段】照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系１４５、及びフォトン・センサ１５０を含む。ナビゲーション・モードでは、光源を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】膜厚をより高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】モデル化部７２１Ａは、フィッティング部７２２Ａからのパラメータ更新指令に従って第１層の膜厚ｄ_１を順次更新し、この更新後の第１層の膜厚ｄ_１に従って理論反射率を示す関数を更新する。さらに、モデル化部７２１Ａは、更新後の関数に従って、各波長における理論反射率（スペクトル）を繰返し算出する。このような手順によって、第１層の膜厚ｄ_１がフィッティングによって決定される。フィッティングが規定回数以内に収束しなかった場合には、フーリエ変換を用いて、第１層の膜厚ｄ_１が決定される。 （もっと読む）

【課題】保護部材を形成した後でも半導体基板に形成された貫通配線の導通を確認することができる半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】受光部１０５が形成された受光部形成面に、受光部１０５と電気的に接続されてなく、少なくとも２つの互いに電気的に接続された電極１０８を有する半導体基板１２０と、電極１０８と電気的に接続されており、前記受光部形成面と前記受光部形成面とは反対側の面を貫通する貫通配線１１３と、前記受光部形成面に接続部を介して設けられた光透過性の保護部材１０１と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】検査用照明装置を取り付けるための取付孔を考慮して、最適な照明領域を得られるようにした撮像素子検査用照明光学系を提供する。
【解決手段】撮像素子検査装置２０において、検査用照明装置２６に用いられる撮像素子検査用照明光学系が、光源４１から射出された照明光を撮像素子の被検査面４９に対して略垂直になるように照射するコンデンサレンズ１を有し、被検査面４９において照明が必要な領域４９ａに照明光が照射されるようなコンデンサレンズ１を、このコンデンサレンズ１の一部がサーキットテスタ２４に形成された取付孔２５の大きさに合わせて除去されることを考慮して決定する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、前記３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層についての波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンを測定する。 （もっと読む）

【課題】
耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
光源１の照射光を分光器３で掃引し、サンプル１００のピーク静電容量値を与える照射光の波長λ１を求める。次に、このλ１の照射光を照射した状態で、光源２の照射光を分光器４で掃引しながらサンプル１００に照射し、電流値がピークとなる波長λ２を求める。サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの熱処理のための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】１つの方法は、ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第１の表面の少なくとも１つの先の熱特性に応答して、第１の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第１および第２の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】集積回路は正常動作のときに正常電流によって発熱して変形することに着目して、この正常電流を集積回路表面の形状の変化として検出することができる集積回路試験装置及び方法を提供すること。
【解決手段】レーザビームを、偏光ビームスプリッタ１１、１／４波長板１２、及び対物レンズ１３を介して集積回路サンプルの表面に照射して、その反射光を対物レンズ１３、１／４波長板１２、及び偏光ビームスプリッタ１１を介して４分割フォトダイオード１４で受光して、その出力の差分を差動増幅器１５によって検出することで、集積回路の表面が部分的に膨張したときにその周辺との境界の表面の傾きを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴ法では、ＢＯＸ膜を通じてゲート電圧を印加する際、ＳＯＩ層が薄いと、ＳＯＩウェーハの電気特性の評価が不可能になってしまう。非常に高いゲート電圧を印加し測定することも考えられるが、薄膜ＳＯＩ層ではＢＯＸ膜厚も一般的に薄いことが多く、測定中にＢＯＸ膜が絶縁破壊してしまい測定が困難である。
【解決手段】Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによるＳＯＩウェーハの評価方法において、前記ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層にソース電極およびドレイン電極を接触させ、前記ＳＯＩウェーハの支持基板にゲート電極を接触させて前記ＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際に、前記ＳＯＩ層へキャリアを注入しながら評価を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の内部電場を非破壊・非接触に求めることができる窒化物半導体の評価方法及び評価装置を得る。
【解決手段】参照信号に同期した音波を窒化物半導体の試料１５に照射する。試料１５にプローブ光を照射し、試料１５で反射又は透過したプローブ光を受光して電気信号に変換する。プローブ光の電気信号を直流成分と交流成分に分離する。交流成分を、参照信号に同期したロックイン増幅器２５によりロックイン検出する直流成分を直流電圧計２４により計測する。交流成分を直流成分で除算することでプローブ光の変調スペクトルを求める。変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて試料１５の内部電場を求める。 （もっと読む）