【課題】 ランプ加熱を用いる短時間熱処理における半導体基板の面内温度の均一性を向上することができる温度調整方法、基板の熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。。
【解決手段】 まず、基板の各温度測定位置において、熱処理により形成される酸化膜厚と熱処理設定温度とを対応づけた校正データを取得する。次いで、特定の熱処理設定温度にて熱処理を行った基板の各温度測定位置において、基板上に形成された酸化膜の膜厚を計測する。そして、上記校正データから、計測した酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Ｔ、及び前記特定の熱処理設定温度にて得られるべき酸化膜厚に対応する熱処理設定温度Ｔｍ’を取得し、これらの温度差に基づいて各温度プローブの温度補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程において、プラズマ窒化処理によって絶縁膜中に導入される窒素量を定量する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１の全面にシリコン酸化膜１２を形成する工程と、薄膜部３０のシリコン酸化膜１２をエッチングで除去する工程と、厚膜部２０及び薄膜部３０の絶縁膜の膜厚を測定する工程と、厚膜部２０及び薄膜部３０の表面を窒化する工程と、厚膜部領域２０及び薄膜部領域３０の表面をウエット酸化する工程と、厚膜部領域２０及び薄膜部領域３０の絶縁膜１６、１７の膜厚を測定する工程と、測定された絶縁膜１６、１７の膜厚に基づいて、窒化する工程により導入された窒素量を定量する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいてもウエハ温度をその場で精度良く温度測定することができる非接触方式のウエハ温度測定装置を提供する。
【解決手段】このウエハ温度測定装置は、温度測定対象であるウエハに照射された光の反射光に基づいてウエハ温度を測定する装置であって、波長が４００ｎｍ以下のＰ偏光成分を含む光を発生してウエハ１００に照射する光源部１１０と、ウエハによって反射された光を受光して、少なくとも、反射光に含まれる波長が４００ｎｍ以下のＰ偏光成分の強度を検出する受光部１３０と、該受光部によって検出された波長が４００ｎｍ以下のＰ偏光成分の強度に基づいて、温度測定対象の温度を算出する信号処理部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ブロードバンドギャップ半導体のキャリア濃度を非破壊・非接触で解析する方法を提供する。
【解決手段】 不純物添加型ワイドギャップ半導体の励起子共鳴吸収の吸収曲線の非対称性に基づいて、該半導体のキャリア濃度を求めるキャリア濃度の解析方法である。 （もっと読む）

【課題】 表面のダメージの程度を高精度に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法及び化合物半導体部材の製造方法、並びに、ダメージの程度が小さい窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板１０の表面１０ａの分光エリプソメトリ測定を行う。分光エリプソメトリ測定によって得られた光学定数のスペクトルにおいて、化合物半導体基板のバンドギャップに対応する波長を含む波長域におけるスペクトルを用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤ型の固体撮像素子における、水平ＣＣＤ飽和レベル測定方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、その表面近傍に形成されたウエルと、ウエルに行列状に形成され、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積領域と、その列に沿って形成され、電荷蓄積領域から読み出された信号電荷を列方向に転送する垂直ＣＣＤと、その端部に結合され、垂直ＣＣＤから転送された信号電荷を行方向に転送する水平ＣＣＤと、その出力端に接続された電荷検出回路とを有する固体撮像素子の水平ＣＣＤ飽和レベル測定方法であって、（ａ）ウエルの電位を第１電位として電荷蓄積領域に光を入射させ、蓄積された第１画像信号を示す信号電荷を垂直ＣＣＤに読み出す工程と、（ｂ）第１画像信号を示す信号電荷を垂直ＣＣＤから電荷蓄積領域の複数分を加算して水平ＣＣＤに転送する工程と、（ｃ）第１画像信号を示す信号電荷のオーバフローを、第２画像信号を示す信号電荷として検出する工程とを有する水平ＣＣＤ飽和レベル測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定時に素子の測定条件を適切に調整できるプローブ検査装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面に形成された素子の出力端子からの出力を測定するプローブ４０と、基板の第１面と反対側の第２面側から素子の動作環境を調整可能なコンタクト部４４と、基板を支持する基板支持機構４８とを備え、プローブ４０に対して基板の相対的な位置を変更可能とすることによって上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ムラ検査装置において光学フィルタの透過波長帯を精度良く調整する。
【解決手段】ムラ検査装置１は、基板９を保持するステージ２、基板９の膜９２に向けて線状光を出射する光出射部３、基板９からの反射光を受光する受光部４、受光部４にて受光される光の波長帯を切り替える波長帯切替機構５、ステージ２を移動する移動機構２１、および、受光した光の強度分布に基づいて膜厚ムラを検査する検査部７を備える。波長帯切替機構５は、複数の光学フィルタ５１、および、各光学フィルタ５１の傾きを変更するフィルタチルト機構を備える。ムラ検査装置１では、フィルタチルト機構により選択光学フィルタ５１ａの光路に対する傾きを変更することにより、選択光学フィルタ５１ａの透過波長帯を精度良く調整することができる。その結果、選択波長帯を膜９２の特性に合わせて調整することにより、膜厚ムラをの検出精度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコンを固相結晶化した際に結晶化が充分進行したかどうかを簡単かつ確実に判定する。
【解決手段】 基板上の検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、 閾値（Ｔｈ） ＝ 最小値 ＋（最大値 − 最小値）× Ａ （ただし、Ａ＝０〜１） 前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。特に基板上の検査領域に固相結晶化によりアモルファス領域と多結晶領域が存在する場合において、固相結晶化の進行度を判定することができる。また、この判定結果をネットワークを通じて他の製造工程に反映させ、製品の品質を高いものにする。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ上のパターンを検査装置から得られる画像から製作することによって、実際のウエハ上で問題となる欠陥のみを抽出して検査を行なう。
【解決手段】 パターンの設計データと取得した画像パターンとを比較して該被測定試料に形成されたパターンの欠陥を検査する方法と装置において、該被測定試料は、所謂ホトマスクであり、該パターンの設計データはホトマスクを製作する時に製作された設計パターンを用いて、該取得画像と比較する事によって検査が実行される過程で、設計データはホトマスクを実際にウエハ上にパターン形成する際に用いられるステッパを通して形成される像（今後、ウエハ像と呼ぶ）に、適切な方法で変換するとともに、同時に実際に測定された取得画像を適切な変換方法でウエハ像に変換し、その両者を比較することによって欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】変調光に対する撮像素子の応答を検査することのできる撮像素子検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光源から射出された光は可変カラーフィルタ、色温度フィルタ、ＮＤフィルタを通過して所定の色、強度の光に調整される。所定の色、強度に調整された光は、投射レンズにより撮像素子に照射され、撮像素子の性能が検査される。
光源は、撮像素子の１フィールドまたは１フレームのスキャンに同期した信号で制御され、１フィールドまたは１フレーム内で、所定時間光源が点灯する。 （もっと読む）

【課題】任意の色の光を照射することのできる光照射装置及びこれを備えた受光素子検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光源からの光を色分解光学系で、第１色光、第２色光、第３色光に色分解する。色分解された各色光は、第１色光、第２色光、第３色光の光路にそれぞれ配置されたＮＤフィルターによって減光される。ＮＤフィルターを透過した各色光は、光量測定装置によって各色の光強度を測定し、所定の光強度になっているかどうか測定を行う。所定の光強度に調整された各色光は、第１色光、第２色光、第３色光を色合成する色合成光学系によって色合成され任意の色になり、受光素子に照射される。 （もっと読む）

【課題】比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】半導体試料５の表面に励起光源９によるポンプ光を変調器１２を介して照射すると共に、白色光源１によるプローブ光を照射し、上記半導体試料５の表面で反射されたプローブ光の光変調スペクトルをＰＲ信号用検出器８で測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度の関係にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出する。 （もっと読む）

【課題】 処理ガスによる測定装置内の汚染を抑制する。
【解決手段】 測定装置４の筺体３０内に，測定室Ｓを形成するための測定ブロック４０が設けられる。測定室Ｓは，ウェハＷの搬送口３３を一側面とする直方体形状に形成する。測定室Ｓ内には，載置板４２が設けられる。光学系４５は，測定室Ｓの天井面を隔てた反対側に設けられる。これにより，光学系４５と測定室Ｓとの通気が遮断される。測定室Ｓには，搬送口３３に向けて清浄なエアを供給する給気口５０が設けられる。測定室Ｓ内に，ウェハＷを搬入し，ウェハＷに対する測定を行う際には，給気口５０から搬送口３３側に向けて清浄なエアが給気され，搬送口３３から測定室Ｓ内に流入する処理ガスを希釈化したり，押し戻す。 （もっと読む）

【課題】 より簡単な構成で複数の測定ポイントを一度に測定できるようにし，温度測定にかかる手間，時間，コストを極力抑える。
【解決手段】 光源１１０と，光源からの光を温度測定用の光と参照光とにスプリットする第１スプリッタ１２０と，上記測定用の光をさらにｎ個の第１〜第ｎ測定光にスプリットする第２スプリッタ１３０と，上記参照光を反射する参照光反射手段１４０と，参照光反射手段を駆動させて反射する参照光の光路長を変化させるための駆動手段１４２と，温度測定対象物Ｔから反射する第１〜第ｎ測定光と参照光反射手段から反射する参照光との干渉を測定するための受光手段１５０とを備え，第１〜第ｎ測定光における第２スプリッタから対象物Ｔまでの各光路長がそれぞれ互いに異なるようにした。 （もっと読む）

【課題】
特にＣＭＰ後の膜厚管理として、チップ内の様々な部分での膜厚計測実現のニーズが高まっているが、４５ｎｍノード以降ではデバイスパターンが非常に微細となったとしても、パターン上での膜厚計測を容易に可能にした。
【解決手段】
可視光を用いて光学的に膜厚を求める場合、４５ｎｍノード以降では対象パターンが検出波長の１０分の１程度の大きさとなり解像度以下となるため、被計測対象を均一な層構造と仮定することができ、仮定したモデルを用いることにより短時間での膜厚計測を実現することができる。また、被計測対象のパターンの大きさによって、膜厚計測アルゴリズムを選択する。 （もっと読む）

半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するために、半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流す。半導体ウエハに対して光パルスを照射すると、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流が第２の値へと増大する。光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値へ向かう変化速度を測定する。この変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度が測定される。
（もっと読む）

【課題】 付随誘電体膜の発生をコントロールして良好な高誘電体膜又は強誘電体膜を形成できる製膜条件特定の容易化及び効率化を図る。
【解決手段】 製膜条件に係る複数のパラメータ中、一つのパラメータに対しては相異するパラメータ値を設定し、他のパラメータに対しては同一の所定値を設定し、基板上に高誘電体膜又は強誘電体膜を形成した２枚の膜体を製作する。各膜体の膜特性を分光エリプソメータで解析し、解析結果を比較して付随誘電体膜の存在する割合が小さい方法の膜体を良好と判断し、良好な膜体の製作で設定したパラメータ値を特定する。以下、同様な処理を行い一つのパラメータに対する最適なパラメータ値を特定すると共に、他のパラメータに対しても同様の処理を行い、他のパラメータに対しても最適なパラメータ値を特定する。 （もっと読む）

【課題】 光照射面における照明の均一性と入射光束の開口数と色温度とを一定に保ちつつ照明光量を調整可能な照明光学装置を提供する。
【解決手段】 光源１１と、光源と光照射面１０ａとの間に配置され、光源側から順にコレクタレンズ１２とアフォーカル系１３とフライアイレンズ１４とコンデンサレンズ１５とを含み、光照射面をテレセントリック照明する光学系と、アフォーカル系の中に配置された径可変な絞り部材１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のパターンの検査を精度よく行うことができるテンプレートヒストグラムを生成する。
【解決手段】パターン検査装置のテンプレートヒストグラム取得部５２では、準備された複数の参照画像のそれぞれから検査領域の画素値の参照ヒストグラムが生成される。続いて、各画素値における複数の参照ヒストグラムの複数の頻度に対して所定の演算が行われ、各画素値に対応するとともに複数の頻度の最小値以上最大値以下の１つの頻度が求められることにより、検査領域に対する１つのテンプレートヒストグラムが取得される。半導体基板のパターンの検査において、テンプレートヒストグラムは被検査画像中の検査領域における画素値のヒストグラムと比較され、これにより、半導体基板上のパターンの検査が精度よく行われる。 （もっと読む）