【課題】半導体ウェハのバルク中の不純物金属を効率的に半導体ウェハ表面に析出させることのできる半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法を提供すること。
【解決手段】紫外線照射ランプ２により半導体ウェハＷ３表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハＷ３をホットプレート１により裏面側から加熱し、半導体ウェハＷ３のバルク中の不純物金属Ｃｕを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。 （もっと読む）

【課題】検査面積の大型化が可能で、検査速度の速い簡便な有機薄膜の検査方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る有機薄膜の検査方法は、有機薄膜に電荷を注入し、有機薄膜内部における電荷分布の時間変化を可視化することを特徴とする。
また、本発明に係る有機薄膜の検査装置は、有機薄膜に電荷を注入する電荷注入手段と、有機膜中に光電子を発生させる光電子発生手段と、有機薄膜から放出される光電子を可視化する光電子可視化手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定ポイント数が多い場合であっても、各測定ポイントからの干渉波形を同定して確実に温度検出を行うことができ、より精度良くかつ効率良く基板処理等を行うことのできる温度測定装置及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】コントローラ１７０は、温度測定対象物１０の第１〜第ｎ測定ポイントに第１〜第ｎ測定光を照射した際の干渉ピークの位置を、第１〜第ｎ測定ポイント毎に予め個別に測定した結果をイニシャルピーク位置データとして記憶し、温度測定時に得られた干渉ピークの位置と、イニシャルピーク位置データとを比較して、第１〜第ｎ測定ポイント毎に温度を算出する。 （もっと読む）

【課題】作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率を向上させることのできる膜質評価方法および膜質評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜シリコン系デバイスに用いる結晶質シリコン膜に光を照射し、結晶質シリコン膜で反射された反射光を検出し、検出した反射光の輝度に係るパラメータを計測し、該輝度に係るパラメータが予め設定されている適正範囲内であるか否かに応じて、該結晶質シリコン膜の膜質評価を行う。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造をもつ半導体基板の評価方法で、評価完了までに長時間を要することなく、従来のような金属配線同士を絶縁する分離酸化膜や金属配線のための設備及び技術を用いることなく簡便に半導体基板のＧＯＩ特性を評価できる方法を提供する。
【解決手段】少なくとも支持基板上に該支持基板の導電型とは異なる導電型の半導体層が形成された半導体基板の評価方法であって、少なくとも、前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、該ゲート酸化膜上に電極を形成した後、前記半導体層側が蓄積側になるように前記電極に電圧を印加するとともに、前記半導体基板に光を照射することによって、前記半導体層と前記支持基板との間に形成される空乏層中にキャリアを注入して、寄生抵抗を低減して発生する電流を測定し、該測定した電流から半導体基板を評価する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】下地膜について正確な光学定数を算出することができ、もって基板の表面構造を正確に特定することができる光学定数算出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷにおいて各膜の積層後に有機絶縁膜３２が下方に成膜された酸化膜３３の反射率を測定し、酸化膜３３がプラズマによって除去された後に露出した有機絶縁膜３２の反射率を測定し、これらの反射率に基づいて加熱処理によって変質した有機絶縁膜３２の光学定数及びプラズマによって変質した有機絶縁膜３２の光学定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】照射する光を高速で切り換えることが可能な検査用照明装置を提供すること。
【解決手段】撮像素子５０を照明する光源１２と、前記光源１２を駆動制御する駆動制御装置（ＣＰＵ１８）とを備え、前記駆動制御装置（ＣＰＵ１８）は、前記撮像素子５０の蓄積時間をリセットするリセット信号に同期して前記光源１２を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、負、ゼロ、あるいは非常に小さい正の電子親和力表面からの光電子放出現象を利用した従来にない新しい原理に、半導体内の不純物や欠陥の電子状態の高感度非破壊測定を簡便に行うことが出来る手法を提供する。
【解決手段】不純物若しくは欠陥を含む半導体を用い、照射光によって前記半導体の不純物若しくは欠陥の準位から伝導帯へ励起された光電子のうち、当該半導体の厚み方向に拡散し、あらかじめ電子親和力を負、ゼロ、あるいは当該半導体の結晶運動量相当のエネルギーに対応する小さな正の電子親和力状態にせしめた当該半導体の表面から外部光電子放出させ、光電子検出器によって光電子数を計数し、同時に照射光エネルギーを計測し、当該照射光エネルギーに対する光電子放出率を計測することにより、不純物若しくは欠陥を含む半導体内の電子状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。 （もっと読む）

【課題】終端検出を誤り難い光学式終端検出装置およびこれを用いた研磨機を得ること。
【解決手段】被研磨部材Ｓでの研磨の進行に伴う光学定数の変移量を基に終端検出を行う光学式終端検出装置５０を備え、この光学式終端検出装置により終端検出を行いながら研磨材１と被研磨部材とを相対的に移動させて被研磨部材を研磨する研磨機６０を構成するにあたり、被研磨部材での研磨の進行に伴う光学定数の変移パターンに応じた複数種の終端検出用アルゴリズムを予め光学式終端検出装置の記憶部３１に記憶させると共に、被研磨部材での上記の変移パターンを特定する情報を基に複数種の終端検出用アルゴリズムの中から所定の終端検出用アルゴリズムを選定して終端検出を行う終端検出部４５を光学式終端検出装置に設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出にあたり、あらゆる種類の半導体材料に適用可能であり、空隙を有する半導体ウェハを早期に分別可能にする。
【解決手段】厚さ１ｃｍ〜１００ｃｍのインゴットブロック１における平坦面６が、流体状結合媒体３を介して結合された超音波ヘッド２により走査される。超音波ヘッド２は各測定点ｘ，ｙごとに、インゴットブロック１の平坦面６に向けて超音波パルス８を発生し、インゴットブロック１から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_p，ｙ_p，ｚ_pが求められる。 （もっと読む）

【課題】光学ウェハ検査装置に関し、ウェハの回転、及び、ウェハの中心から外周縁までの半径方向の移動を組み合わせたプローブ光の走査機構に簡単な改良を加えることで、プローブ光がウェハを透過することを可能にした構成を実現し、ウェハの厚さ方向全域の検査を行うことを可能にして多くの情報を取得しようとする。
【解決手段】ウェハ１３の材料特性を光学的に検査する装置で、プローブ光１２がウェハ１３を透過可能なように外周縁近傍のみを支持し且つウェハ１３を回転させる機構と、プローブ光１２のウェハ１３への入射角を変える為に傾斜させる機構２２と、ウェハ１３の中心から外周縁までを半径方向にプローブ光１２で走査する為にウェハ１３を移動する機構と、ウェハ１３の一面側からプローブ光１２を入射させる光源１１とウェハ１３を透過して他面側から出射さる透過光１４を検出する検出器１６をもつ光学系とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査効率を向上させることができる半導体素子の検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ上に配列された半導体素子を検査する検査方法であって、半導体素子が配列された面における、少なくとも２つの直線方向に存在する半導体素子についてのみ検査を行う欠陥位置検査工程と、欠陥位置特定工程において、欠陥であると特定された半導体素子の位置に基づいて半導体ウエハ上における欠陥がある半導体素子が存在する欠陥領域を特定する欠陥領域特定工程と、特定された欠陥領域についてのみ検査を実行する本検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上のバンプパッドに形成されたプローブマークを検査するための装置を提供する。
【解決手段】基板２０の検査領域内のバンプパッドに形成されたプローブマークを検査するための基板検査装置において、基板はステージ上に支持され、イメージ獲得ユニット２２０によって検査領域のイメージが獲得される。ステージとイメージ獲得ユニットとの間にはリング照明ユニット２３０が配置され、リング照明ユニットは検査領域に向かって配置されたリング形態の内側面を有する印刷回路基板２３２と印刷回路基板の内側面上に円周方向に実装された複数の発光素子２３４を含む。 （もっと読む）

本発明は半導体基板の温度を測定する方法と装置を提供する。半導体基板上に共振回路（１１０）が設けられ、その共振回路は接合キャパシタ（１１）とインダクタ（１２）を具える。前記基板はホルダーに設置され、共振回路（１１０）に照射装置（２００）によって発された電磁場（５）の電磁エネルギーが照射される。共振回路（１１０）の照射された電磁場（５）への影響を検出することによって共振回路（１１０）が共振周波数は測定され、半導体基板の温度は共振周波数の関数として測定される。本発明による方法と装置は接合キャパシタ（１１）の温度に対する感度の増加によって、半導体基板の温度をより正確に測定することを可能にする。
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【課題】Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づきＢＭＤ密度を算出することにより、簡便な方法で正確にＢＭＤ密度を評価できるシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）密度評価方法であって、Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係を決定するステップと、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ）法によりシリコンウェーハのＦｅ以外の再結合中心密度を測定するステップと、測定されたＦｅ以外の再結合中心密度と、あらかじめ決定されたＦｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づき、シリコンウェーハのＢＭＤ密度を算出するステップを有することを特徴とするシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法。 （もっと読む）

【課題】微細なボイドとパーティクルを識別可能なシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに赤外線を照射し、透過赤外線を撮像して得られる画像から結晶欠陥を検査する。低倍率検査ステップＳ１は、低倍率の対物レンズ１４ａを用いて、シリコンウェーハの一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する。位置確認ステップＳ３は、低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する。高倍率検査ステップＳ４では、高倍率の対物レンズ１４ｂを用いて、記憶された結晶欠陥の位置を視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、視野領域の高倍率検査画像を取得する。判定ステップＳ５は、高倍率検査画像に基づいて結晶欠陥の形状を求め、円形か円形以外の不定形状かで結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する。 （もっと読む）

【課題】電極―絶縁膜―半導体基板構造において絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥と正孔
捕獲欠陥の密度及び準位を評価する。
【解決手段】表面に絶縁膜を有し、更にその上に金属電極を有するシリコン基板において
、絶縁膜中欠陥に電子もしくは正孔を捕獲させて、光エネルギーによってその電子もしく
は正孔を脱離させ、それに伴う際の容量−電圧曲線の電圧軸方向の変化量を計測し、膜中
に存在する電子捕獲欠陥もしくは正孔捕獲欠陥の密度及び準位を独立に評価する。 （もっと読む）

【課題】製品膜厚測定の負担を軽減した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、薄膜４面上の第１の測定位置２６に光を当てるよ
うに、偏光した光２２を所定角度３０で照射する。第１の測定位置２６における反射光２
４の偏光状態の変化から、第１の膜厚値を取得する。第１の測定位置２６よりｘ軸方向に
所定の値ずれた薄膜４面の第２の測定位置２８に光を当てるように、偏光した光２２を所
定角度３０で照射する。第２の測定位置２８における反射光２４の偏光状態の変化から、
第２の膜厚値を取得する。第１の膜厚値と第２の膜厚値の差が所定のしきい値未満のとき
には、第１及び第２の測定位置２６，２８を適切な測定位置と認識するとともに、薄膜４
の厚さを決定する。差が所定のしきい値以上のときには、他の測定位置に光２２を順次移
動させつつ、差がしきい値未満になるまで繰り返し実行する。 （もっと読む）

【課題】簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの表面欠陥評価方法は、シリコン単結晶インゴットから切出されたシリコンウェーハに対して窒化雰囲気下、１０〜１５０℃／秒の昇温速度で室温から１１７０℃以上シリコン融点未満の温度まで加熱処理し、処理温度で１〜１２０秒間保持した後に、１０〜１００℃／秒の降温速度で室温まで冷却する急速熱処理工程と、ウェーハ表面を表面光起電力法を用いて少数キャリア拡散長を算出することにより、ウェーハ表面の少なくともパーティクルカウンタでは検出することができない小さなＣＯＰが存在する領域を検出する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）