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Fターム[4M109DA01]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 外形 (595) | 全体的形状(粗面部を含む) (168)

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【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 (もっと読む)


【課題】配線基板上に搭載した複数の半導体チップを樹脂封止した後、配線基板を分割することによって複数の樹脂封止型半導体装置を得る製造方法において、樹脂の収縮などによる配線基板の反りを抑制する。
【解決手段】マトリクス基板1Bの上面に搭載した複数の半導体チップを樹脂14で封止する際、複数のキャビティを備えた金型を使用して樹脂14を複数のブロックに分割することにより、モールド工程後の樹脂14の収縮などによるマトリクス基板1Bの反りを抑制する。 (もっと読む)


【課題】発光部のバラツキに容易に対応することができ、且つ経時的な汚れ等の付着の問題がなく、色むらや輝度むらの抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】光源3と、光源の上に配置された透光性部材5とを備え、前記光源と反対側の透光性部材の面を光出射面とする発光装置であって、透光性部材は、その内部に、複数のマイクロクラックからなる光散乱部が偏在して設けられている。マイクロクラックは、発光装置の組み立て前後の任意の時に、透光性部材内部にレーザを焦光することにより、形成する。 (もっと読む)


【課題】
鉛フリー半田に用いられるような260℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック製に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Aにて接着する工程(1)と前記工程(1)により接着された前記リードフレームと前記半導体素子とが封止用樹脂組成物で封止された樹脂部分の平均厚みが1.0mm以上1.8mm以下となるように封止する工程(2)と前記工程(2)により封止された後、所定の加熱条件Bにて熱処理する工程(3)とを有する半導体装置の製造方であって、前記熱硬化性接着剤組成物の260℃における弾性率が50MPa以上200MPa以下である。 (もっと読む)


【課題】剥離シートと封止樹脂層の凹凸形状が間隙なく嵌合し、かつ、該凹凸形状が封止加工後にも維持されて、光取り出し効率に優れる、光半導体封止用シート、及び該シートで封止してなる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び/又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び/又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有する凹凸部形成層を含んでなる光半導体封止用シートであって、前記封止樹脂層が、さらに、光半導体素子を包埋しうる素子包埋層を含み、前記封止樹脂層の凹凸部形成層の20℃の貯蔵弾性率が6MPa〜1500MPaである、光半導体封止用シート。 (もっと読む)


【課題】基板剛性の確保と、リペアの容易性の両立を図る。
【解決手段】電子部品2・3・4・5が実装された基板1の製造方法であって、基板1の電子部品2・3・4・5が実装された面を覆うフィルム6を接着材により貼付するフィルム貼付ステップと、そのフィルム貼付ステップによって貼付されたフィルム6の上に補強用の樹脂7を形成する補強材形成ステップと、を含む。具体的には、基板1及び電子部品2・3・4・5にフィルム6を接着する接着材は、基板1に対する剥離強度において、樹脂7より低いものである。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂の表面に密着強度の高い金属膜を有する信頼性の高い樹脂封止型電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受動素子15及び表面実装型IC16は封止樹脂18によって封止され、封止樹脂18の上面に銅箔20が固着されている。銅めっき層30は、銅箔20の上面から封止樹脂18の側面、さらに配線基板10の側面にまで延在し、銅箔20の上面と接合され、かつグランドライン11のうち配線基板10の外縁に露出した部分と接合されている。これにより、銅箔20の上面とグランドライン11のうち配線基板10の外縁に露出した部分とが銅めっき層30のアンカーとして機能することとなり、銅めっき層30を電気的・機械的に封止樹脂18に密着させることができる。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率に優れる光半導体封止用シート、及び該シートで封止してなる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状を有する凹部形成層又は凸形状を有する凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる、光半導体封止用シート。 (もっと読む)


【課題】機能および端子数を制限することなく小型化を図ることが可能な電子機器モジュールを提供する。
【解決手段】この電子機器モジュール110は、表面10aおよび裏面10bを有し、表面10a上に実装された電子部品20を含む配線基板10と、表面30aおよび裏面30bを有し、裏面30bが配線基板10の表面10aと対向するように配設された配線基板30と、配線基板10と配線基板30との間に配置され、配線基板10と配線基板30とを電気的に接続する接続部品40とを備えている。配線基板10の裏面10bには、接続端子13が設けられているとともに、配線基板30の表面30aには、接続端子31が設けられている。 (もっと読む)


【課題】光センサ系の半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】光センサ系の半導体装置の製造工程における封止工程を以下のように行う。上型17a、下型17bを有する成形金型17を準備し、上型17aと下型17bとの間にフィルムを配置する。次に、タブ1の上面に第1接着材9、半導体チップ3、第2接着材11、ガラス板材4の順で各部材が搭載されたリードフレームをフィルム18と下型17bとの間に配置する。半導体チップ3の第1主面には受光部3dが形成されている。次に、上型17aおよび下型17bをクランプし、ガラス板材4の一部をフィルム18に食い込ませる。その後、フィルム18および下型17bとの間に封止用の樹脂16aを供給し、一括封止体16を形成する。その後、個片化および型開きを行い、ガラス板材4の第2主面4a上に樹脂バリのない光センサ系半導体装置を得る。 (もっと読む)


半導体モジュールパッケージのための一体化された電磁干渉(EMI)シールドである。一体化されたEMIシールドは、パッケージの基板内の接地面とパッケージのモールド化合物の上端上にプリントされた導電層との間に電気的に接続された複数のワイヤボンドばねを含む。ワイヤボンドばねは、ワイヤボンドばねの上端と導電層との間の電気的接続によるコンタクトを与えるばね効果を生じさせる、定められた形状を有する。ワイヤボンドばねを、モジュールパッケージ内において、パッケージに含まれる装置すべてまたはその一部の周りのいずれかの場所に配置することにより、これらの装置の周りに完全なEMIシールドを形成する。
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【課題】 樹脂の硬化や硬化時の温度変化などの影響で起きるワイヤーの動きを防止した半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】 半導体素子2を空洞部内に収納したパッケージ1と、このパッケージ1の側面から導出されているリード線3と、前記パッケージ1の空洞部を覆うセラミックキャップ4とを備え、このセラミックキャップ4を含む前記パッケージ全体を、樹脂5を用いて、封止している。 (もっと読む)


【課題】熱衝撃による封止樹脂の剥離を防止することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュール10は、配線基板11と、配線基板11の主面(上面)に実装されたICチップを含む各種電子部品12と、電子部品12を覆うように配線基板11上に設けられた封止樹脂13とを備えている。配線基板11の上面のうち、配線基板11の外周に沿った一定幅の領域には粗面部14が設けられている。粗面部14は、配線基板11の主面11aにおける他の領域よりも面の粗い領域であって、封止樹脂13との密着度を高める役割を果たす。配線基板11の主面のうち粗面部14を形成すべき領域には、凹部が形成されている。これにより、粗面部14を形成すべき領域の凹凸面に合わせて粗面部14の表面も多少凹凸することから、封止樹脂13との密着性をさらに高めることができる。 (もっと読む)


【課題】部品点数を削減し、小型化が容易な光結合装置を提供する。
【解決手段】第1のインナーリード部を有する第1のリードと、前記第1のインナーリード部に接着された発光素子と、前記発光素子と電気的に接続された第2のインナーリード部と、第3のインナーリード部と、前記第2及び第3のインナーリード部を連結する連結アウターリード部と、を有する第2のリードと、一側面が前記発光素子の一側面と対向するように、前記第3のインナーリード部に接着された受光素子と、前記受光素子と電気的に接続された第4のインナーリード部を有する第3のリードと、前記発光素子と、前記第1のインナーリード部と、前記第2のインナーリード部と、が埋め込まれ、第1の透光性樹脂からなる第1の成型体と、前記第3のインナーリード部と、前記受光素子と、前記第4のインナーリード部と、が埋め込まれ、第2の透光性樹脂からなる第2の成型体と、を備えたことを特徴とする光結合装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】素子搭載用基板において樹脂の流れる範囲を規制する規制部の強度を高める技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール10において、絶縁層12は、絶縁性の樹脂で形成されている。複数の電極は、絶縁層12の表面の一部に設けられている。半導体素子16は、複数の電極の一部と電気的に接続されている。封止樹脂18は、半導体素子16を封止する。規制部20は、絶縁層12の表面において、複数の電極のうち半導体素子16と接続されていない電極14aと半導体素子16との間に設けられ、封止樹脂が外周側の電極14aへ流れることを規制する。規制部20は、第1の樹脂層22と、第2の樹脂層24を変質させる波長の光を透過する無機化合物層26と、第2の樹脂層24とを有する。 (もっと読む)


【課題】発光素子を封止する第1樹脂と第1樹脂を被覆する第2樹脂との剥離を的確に抑制することのできる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂主剤及び硬化剤を調合して第1調合物を作製する第1調合工程(S30)と、蛍光体及びシランカップリング剤を調合して第2調合物を作製する第2調合工程(S40)と、第1調合物及び第2調合物を調合して第1樹脂を作製する樹脂作製工程(S50)と、第1樹脂によりLED素子を封止する封止工程(S60,S70)と、LED素子を封止した第1樹脂を第2樹脂により被覆する被覆工程(S80)と、含み、シランカップリング剤が蛍光体と予め調合されることで、シランカップリング剤の反応性が向上する。 (もっと読む)


【課題】回路装置裏面のグリスの這い上がりを防止した混成集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】封止樹脂12の表面は一般的に梨地面と成っており、その平均粗度は13から15ミクロン程度である。封止樹脂の側面部S1を他の箇所よりも平滑な面になっており、その平均粗度は4から6ミクロン程度である。従って、側面部S1では、毛細管現象によりグリス21が上昇する現象が発生しない。また、この現象が発生するとしてもグリス21の上昇量は僅かであり、グリス21はリード11に到達しない。 (もっと読む)


【課題】簡便に不良品を選別できる半導体装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、互いに対向する第1リードフレーム板11aと第2リードフレーム板15aとの間に、複数のペレット13を面状に配置して接続し、第1リードフレーム板11aと第2リードフレーム板15aとの間に樹脂16を充填させて、複数のペレット13を封止し、第1リードフレーム板11a、樹脂16、及び第2リードフレーム板15aからなる積層体に対し、隣接するペレット13間で第1のダイシングを行って、少なくとも第1リードフレーム板11aを切断分離し、少なくとも第1リードフレーム板11aが切断分離された積層体にめっきを施し、隣接するペレット13間の残りの積層体に第2のダイシングを行って、各半導体装置1に個片化するものである。 (もっと読む)


【課題】応力に起因して生じる半導体チップ及び半導体チップを搭載する基板の歪みを抑制することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、基板1と、基板1上に搭載された半導体チップ3と、基板1と半導体チップ3との間に充填された第1の樹脂4aと、基板1上に形成され、半導体チップ3の側面から基板1の外縁部方向に延在する第2の樹脂4bとを有する。第1の樹脂4aと半導体チップ3との接触面に生じる第1の応力と、第1の樹脂4a及び第2の樹脂4bと基板1との接触面に生じる第2の応力とがつりあうように、第2の樹脂4bが、半導体チップ3側面の延長線と基板1との交点から基板1の外縁部方向に延在している。 (もっと読む)


【課題】 複雑な製造工程を必要とせず、簡易に外部応力や曲げ応力に対する耐性を高めることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板3上に、上面及び側面が封止樹脂層4によって覆われることで樹脂封止されたICチップ10を実装する。封止樹脂層4は、基板3面に接触する第1構成部4a、第1構成部4a上に連結して構成される形状の異なる第2構成部4b、の2つの部分で構成される。第1構成部4aは、底面及び上面を四角形状とする四角柱形状又は四角錐台形状である。第2構成部4bは、第1構成部4aの上面と共通する四角形状で構成される底面と、最上部に構成される底面の長辺と平行な稜線及び稜線の両端と底面の各頂点を結んで形成される2つの長方形または台形及び2つの三角形、または、前記底面と、最上部の位置に構成される一の頂点及び頂点と底面の各頂点を結んで形成される4つの三角形、によって構成される立体形状である。 (もっと読む)


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