【課題】水素雰囲気下での使用において耐久性に優れるガラス封止型サーミスタを提供する。
【解決手段】水素ガスの温度を測定するためのガラス封止型サーミスタ１であって、サーミスタ素子２とサーミスタ素子２に接続されたリード線３とを有するセンサ部８と、サーミスタ素子２を囲繞する第１ガラス封止体４と、リード線３を囲繞し所定の熱処理により第１ガラス封止体４に溶着されるとともにリード線３に密接および圧接される第２ガラス封止体５と、第２ガラス封止体５を囲繞し、第２ガラス封止体５と組み合わせられた後、所定の熱処理を加えられて収縮することで第２ガラス封止体５に対し圧着して圧縮応力を与える金属製の締め付け部材６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第１の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第２の外部電極と、第１の外部電極と直接に接触して、又は第１の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第１の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造歩留まりを向上する。
【解決手段】トランスファモールドによるレンズ８６を含むワークＷから、ワークＷで接続された成形品ランナ９１などの不要樹脂を分離するディゲート方法であって、（ａ）成形品ランナ９１などの不要樹脂が接続されている箇所を除いてワークＷを上下からクランプして、成形品ランナ９１などの不要樹脂を浮かせた状態とする工程と、（ｂ）上下方向の一方から他方へ浮いた状態の成形品ランナ９１などの不要樹脂を押し続けて、ワークＷから成形品ランナ９１などの不要樹脂を引き千切る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図るとともに半導体素子の多ピン化に対応することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とリード部１６とを有するリードフレーム１０と、半導体素子２１と、導電部２２と、封止樹脂部２３とを備えている。リード部１６は、複数の放射状部分４１、４２と、複数の中継部分４３、４４とを含み、半導体素子２１の各端子部２１ａは、導電部２２により放射状部分４２または中継部分４３、４４に接続されている。放射状部分４１、４２および中継部分４４の裏面にハーフエッチング部１７を形成し、中継部分４３およびダイパッド１５の裏面に、基板側端子５１と接続可能な接続端子部２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５と複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。各リード部１６は封止樹脂部２３の裏面に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６はダイパッド１５の周囲において平面から見て１つの円周Ｃ_１上に配置されている。ダイパッド１５およびリード部１６は、それぞれ封止樹脂部２３から裏面側に向けて突出している。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、配線基板１０と、配線基板１０の半導体素子搭載部１５上に載置された半導体素子２１と、配線基板１０の内部端子１７と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、半導体素子搭載部１５、内部端子１７、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。配線基板１０の非導電性基板１１は、非導電性基板１１を貫通して形成されたビア１２を有し、ビア１２内に、内部端子１７と外部端子１８とを電気的に接続する導体１３が充填されている。半導体素子搭載部１５の裏面に補強層１４が設けられ、かつ各外部端子１８は、半導体素子搭載部１５の周囲において平面から見て少なくとも１つの円周上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】耐圧が数ボルトから数十ボルト程度のショットキダイオード等のガラス封止型のダイオードにおいては、半田の融点よりもずっと高い封止処理温度が適用されるため、通常、バンプ電極材料としては、銀等の比較的融点の高い金属材料が使用される。しかし、バンプ電極の厚さは、パッシベーション膜や表面電極膜の厚さと比較して、著しく厚いので、バンプ電極とチップ上面の連結部外周部、すなわち、バンプ電極内側外壁には、応力が集中しやすく、この応力により、パッシベーション膜にクラックが発生することがある。
【解決手段】本願発明は、ダイオード等のガラス封止型半導体装置の製造方法において、表面メタル電極の外周とバンプ電極の内側外壁の位置を相互に相違した位置に設定するものである。 （もっと読む）

【課題】封止シートを用いて簡便に作製でき、かつ、厚みの薄いもので、低い色度角度依存性を有する光半導体装置、及び該装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体素子を埋設可能な封止樹脂層及び光波長変換粒子を含有する波長変換層が直接又は間接的に積層されてなる光半導体素子封止用シートを用いて、該封止樹脂層が光半導体素子搭載基板に対向するよう配置して凹型金型を用いて成型してなる光半導体装置であって、光半導体素子を埋設した成型体の上面の面積が、該上面の面積と成型体の側面の面積の合計面積のうち40％以上、60％未満であることを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の熱膨張係数を実装基板の熱膨張係数に近づけることにより、熱ストレスが加わった際の実装信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とダイパッド１５周囲に配置された複数のリード部１６とを有するリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リードフレーム１０のリード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２とを備えている。リードフレーム１０、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２３によって封止されている。封止樹脂部２３は、半導体素子２１および半導体素子２１周囲に設けられた中央領域２４と、中央領域２４周縁に位置する周縁領域２５とを有している。中央領域２４の厚みは、周縁領域２５の厚みより厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】銀めっきが施されたリードフレームとの接着性に優れる硬化体を形成可能なウレタン樹脂組成物及びその硬化体を用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ポリオール成分と、ポリイソシアネート成分と、イミダゾールシラン化合物とを含むウレタン樹脂組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部２１の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部２２によって水路３０の一部を構成し、半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１および熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆ったユニット１０を積層することで、冷却機構を構成する水路３０が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部２２のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部２２を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部２２以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ品質の向上を図ることができるパッケージ部品の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１ａの実装面に、機能部品である半導体チップ２を実装し、基板１ａの実装面上の各半導体チップ２を封止樹脂３で封止した後、封止樹脂３の基板１ａの実装面に対向する面とは反対側の面から研磨を行い、封止樹脂３と各半導体チップ２を研磨する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板の上に配置されたＬＥＤチップをガラス体で封止した構成の発光ダイオードユニットを、各部材の劣化や破損を抑制しながら、短時間で製造することができる発光ダイオードユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融ガラス滴を固化させることにより、パッケージ基板に載置されたＬＥＤチップの発光面をガラス体で封止する。パッケージ基板は、溶融ガラス滴とパッケージ基板との間に介在する空気を逃がすための空気抜き部を備える。 （もっと読む）

【課題】高温下においても封止樹脂の酸化劣化を抑制し、封止方法および封止樹脂は従来通りのものを使用することができ、ヒートサイクル試験や高温動作などの信頼性試験でも、絶縁破壊電圧が低下しない、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】半導体装置は、１５０℃以上でも動作する半導体素子、基板、端子、封止樹脂、配線、接合材、ケースを有する半導体装置において、上記封止樹脂よりも熱分解温度の高い被覆樹脂を用いて上記封止樹脂または上記ケースが外気に触れる箇所を被覆する。 （もっと読む）

【課題】部品点数及び製造の工程数を削減して製造コストを低減させるとともに生産性の向上を図ることが可能な光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の表面５ａに第１の電極５ａ１が配設され、第１の表面５ａと対向する第２の表面５ｂに第２の電極５ｂ１が配設された発光素子５と、第１の表面５ａに接続された第１の導電性部材６ａと、第２の表面５ｂに接続された第２の導電性部材６ｂと、第１の導電性部材６ａと接続される第１の外部電極２ａと、第２の導電性部材６ｂと接続される第２の外部電極２ｂと、第１の外部電極２ａ及び第２の外部電極２ｂの間において、発光素子５、第１の導電性部材６ａ及び第２の導電性部材６ｂを封止するとともに、発光素子５の光を透過させる外囲器３とを備える。 （もっと読む）

【課題】製品の小型化を阻害することなく且つ光学特性を損なうことなく製造工程を簡略することが可能な、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に複数の光半導体素子が実装されてなる光半導体素子実装基板３０を下金型１にセットし、下金型１と一次上金型１０による一次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板３０上に、光半導体素子３１を囲うように枠体３２を形成し、その後光半導体素子実装基板３０を下金型１にセットしたままで下金型１と二次上金型２０による二次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板３０上の光半導体素子３１及び枠体３２を覆うように透光部５２を形成するようにした。そして、二次トランスファーモールド後に、下金型１から多数個取り成型品（半導体装置）を取り出してダイサーカットにより個々の半導体装置に個片化するようにした。 （もっと読む）

【課題】圧電振動デバイスを備えており、かつ、電子機器に自動実装することができるリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃと、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部にそれぞれ設けられた第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと、第２パッド部２ｂに搭載され、第１、第３パッド部２ａ，２ｃに電気的に接続されており、圧電振動片を備えた水晶発振器３と、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部とともに第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃ及び水晶発振器３を封止する樹脂パッケージ部とから構成されており、第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃの一主面の外周縁には当該一主面に対して垂直な方向に突出する突起部を備えており、第２パッド部２ｂの一主面側には水晶発振器３が搭載される。 （もっと読む）

【課題】圧電振動デバイスを備えており、かつ、電子機器に自動実装することができるリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃと、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部にそれぞれ延設された第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと、第２パッド部２ｂに搭載され、第１、第３パッド部２ａ，２ｃに電気的に接続された水晶発振器３と、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部ごと第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと水晶発振器３を封止する樹脂パッケージ部とから構成されており、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃのうちの樹脂パッケージ部内に配置される部位表面に銀めっき、アルミニウムめっきまたは金めっきが施されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐ヒートサイクル特性を向上する。
【解決手段】
支持電極(1)の載置部(2)を包囲して周辺部(3)上に配置される筒体(10)は、封止樹脂(11)よりガラス転移点の低い物質により構成され、載置部(2)の上方に空洞部(9)を形成して、高温時に膨張する筒体(10)の増大する内径により、封止樹脂(11)の熱膨張を吸収する。また、筒体(10)の空洞部(9)内に配置される封止樹脂(11)と半導体チップ(5)の側面(5c)、半導体チップ(5)に隣接するリード電極(6)の一部及び半導体チップ(5)に隣接する載置部(2)の一部に保護樹脂膜(8)を連続的に且つ大きな接着面積で強固に付着するので、保護樹脂膜(8)の接着面での剥離が発生しない。 （もっと読む）

【課題】 複雑な製造工程を必要とせず、簡易に外部応力や曲げ応力に対する耐性を高めることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板３上に、上面及び側面が封止樹脂層４によって覆われることで樹脂封止されたＩＣチップ１０を実装する。封止樹脂層４は、基板３面に接触する第１構成部４ａ、第１構成部４ａ上に連結して構成される形状の異なる第２構成部４ｂ、の２つの部分で構成される。第１構成部４ａは、底面及び上面を四角形状とする四角柱形状又は四角錐台形状である。第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状で構成される底面と、最上部に構成される底面の長辺と平行な稜線及び稜線の両端と底面の各頂点を結んで形成される２つの長方形または台形及び２つの三角形、または、前記底面と、最上部の位置に構成される一の頂点及び頂点と底面の各頂点を結んで形成される４つの三角形、によって構成される立体形状である。 （もっと読む）