【課題】 金属体上に半導体素子をはんだ接合したものを、モールド樹脂により封止してなる半導体装置において、温度サイクルによるはんだ層のクラック発生を極力防止する。
【解決手段】 金属体１０と、金属体１０の一面に搭載された半導体素子２０と、金属体１０と半導体素子２０との間に介在し金属体１０と半導体素子２０とを接合するはんだ層３０と、金属体１０および半導体素子２０を包み込むように封止する第１の樹脂４０とを備える半導体装置１００において、はんだ層３０の外周には、熱膨張係数が第１の樹脂４０よりもはんだ層３０に近いエポキシ樹脂などからなる第２の樹脂７０を、はんだ層３０の端部と接した状態で全周に設けている。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも透光性および耐光性に優れ、かつ発光などによって生じる熱に対する耐性（耐熱性）に優れたＬＥＤ封止剤およびその封止剤で封止された発光ダイオードを提供し、さらには、上記特性に優れた新規な硬化性組成物を提供する。
【解決手段】 下記式


（Ｒ¹とＲ²は、それぞれ独立して、水素原子または置換基であり、ｎは正の整数を示す。）で示される（共）重合体と、重合性反応基を有する硬化成分を含むＬＥＤ封止剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来のものに比べ、封止対象である光半導体素子が発光素子である場合には、その輝度を、受光素子である場合には、その受光感度を、それぞれ高く維持し得、しかも、光半導体素子を簡便に封止することができ、経済性にも優れた光半導体素子封止用樹脂、並びに該樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる、優れた性能を有する光半導体装置及び該装置の高効率な製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の一般式（１）：
【化１】


（式中、Rはジイソシアネート残基（ただし、n個のRのうち少なくとも１つは以下の構造式（２）：
【化２】


で表される骨格を有するジイソシアネート残基である）を、R¹はモノイソシアネート残基を表し、nは1〜100の整数である）
で表されるポリカルボジイミドからなる光半導体素子封止用樹脂。 （もっと読む）

【課題】 耐パワーサイクル、耐温度サイクル及び耐湿性に優れ、経済的で長寿命の樹脂封止形半導体パワーモジュールの提供。
【解決手段】 セラミック絶縁基板１０２に高純度溶融アルミの放熱基板４、高純度溶融アルミの導電部６，１５を直接接合した絶縁基板を使用し、予め耐熱性、耐湿性に優れるポリイミド系被覆樹脂９を薄く塗布し硬化させ、その上に、低ヤング率で、はんだ３の線膨張係数に合わせたエポキシ系の封止樹脂１０を充填することで、単一層のはんだ工程などにより大幅にコストを低減しつつ、高信頼性、小型・軽量化パワーモジュールを実現する。 （もっと読む）

【課題】外装樹脂にクラックや剥離が生じることもなく、表面実装部品の導通不良を抑止することができる信頼性の優れた電子装置、及び該電子装置を容易に製造することができ、量産性に優れ、かつパッケージングの低背化が容易な電子装置の製造方法を実現する。
【解決手段】チップ型電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３に表面実装した後（ａ）、電子部品１ａ〜１ｃの上面に、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状樹脂材料９を載置し（ｂ）、次いで、枠型熱板プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加圧・加熱して樹脂材料９を変形させる。そして中空部６ａ〜６ｄが形成されるように該樹脂材料９を回路基板３に熱圧着し、その後硬化処理を施して被覆樹脂５を形成する（ｃ）。
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図４（ａ）〜図４（ｅ）に示す如く、基材１４０に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定し、導電性膜１２０および絶縁樹脂膜１２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込み、真空下または減圧下で加熱して圧着する。その後、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離し、ビア１２１の形成、導電性膜１２０のパターニングを行う。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４をそれぞれ一方の面で絶縁樹脂膜１２２により封止し、他方の面で露出させた構造体１２５を得る。 （もっと読む）