【課題】半導体チップを基板にフリップチップ接続する際に、接着強度を良好にしつつ、アンダーフィル樹脂のフィレット形状が安定的に均等になるようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２上にフリップチップ接続された半導体チップ１３０と、基板１０２と半導体チップ１３０との間に形成され、フィレット１２０ａを含むアンダーフィル樹脂１２０とを含む。アンダーフィル樹脂１２０は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域の少なくとも一部において第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４とが積層された構成を有し、第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４の少なくとも一方は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域とフィレット１２０ａとにわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 その硬化物が電気絶縁性、耐熱性、低反り、折り曲げ性などの特性が優れ、さらにアンダーフィル材との接合強度が改良された、ポリカーボネート成分またはポリブタジエン成分を導入して変性した変性ウレタン樹脂を含んで構成された変性ウレタン樹脂硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】 ジイソシアネート化合物（ａ）と、少なくともポリカーボネートジオール（ｂ１）またはポリブタジエンジオール（ｂ２）を含むジオール化合物（ｂ）とを反応して得られる変性ウレタン樹脂（Ａ）、及びピラゾール誘導体化合物または活性メチレン化合物によってブロックされたブロック多価イソシアネート化合物（Ｂ）、を含有することを特徴とする変性ウレタン樹脂硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】高い割合で充填剤を含有しても弾性率が低く十分な低応力性を有するとともに接着特性に優れるため良好なリフロー剥離耐性を有する樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する
【解決手段】熱硬化性樹脂（Ａ）、充填材（Ｂ）、所定の一般式（１）で示される化合物（Ｃ）を含む樹脂組成物であって、前記化合物（Ｃ）中、一般式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、前記化合物（Ｃ）に含まれる所定の一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが以下の関係式１を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
［関係式１：Ｙ＜−２．７×１０^−３Ｘ＋０．８］ （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線回路基板との接続部の絶縁信頼性を向上できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分、高分子成分とは異なるエポキシ樹脂、硬化剤及びカルボン酸を含有し、圧着温度が２５０℃、圧着圧力が０．５ＭＰａ、圧着時間がＴ秒間である熱圧着条件において、熱圧着を開始してからＴ／２秒までにおける平均フロー量が０．２ｍｍ以上であり、Ｔ／２秒からＴ秒までにおける平均フロー量が０．３ｍｍ以下である、接着剤組成物。 （もっと読む）

本発明は、接続用支持体（１）と、該接続用支持体（１）の上面（１ｃ）に設けられたオプトエレクトロニクス半導体チップ（８）とを有するオプトエレクトロニクス素子に関する。前記接続用支持体（１）の上面（１ｃ）に電気絶縁膜（３）が設けられており、前記電気絶縁膜（３）に、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）をフレーム状に包囲する陥入部（５）が設けられており、前記オプトエレクトロニクス素子は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）を包囲する注型部材（１０）を備えており、前記陥入部（５）の底面（３２）は少なくとも局所的に、前記電気絶縁膜（３）によって形成されており、前記注型部材（１０）の少なくとも一部の領域は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（８）に対向する、前記陥入部（５）の外側エッジ（５１）にまで達し、前記陥入部（５）の少なくとも一部の領域には、前記注型部材（１０）が存在しない。
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【課題】半導体ウエハのダイシング工程及びダイボンディング工程に用いられるフィルム状接着剤であって、チップをピックアップした後、チップのバンプと基板の端子との位置合わせを確実に行うことができるフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】フィルム状接着剤１００は、第一のプラスチック層１０上に、粘着剤層１２、熱硬化性樹脂層３０及び第二のプラスチック層２０が、この順に積層されたものであって、粘着剤層の面積が熱硬化性樹脂層の面積より大きく、熱硬化性樹脂層は未硬化時の可視光並行透過率が１５〜１００％である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを提供すること。
【解決手段】ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムは、基材、及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層上に形成されたウエハ裏面保護フィルムとを有するダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムであって、前記ウエハ裏面保護フィルムが、染料により着色されていることを特徴とする。前記着色されたウエハ裏面保護フィルムは、レーザーマーキング性を有していることが好ましい。ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムは、フリップチップ実装の半導体装置に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シールド構造を工夫した電子回路モジュールを提供する。
【解決手段】基板上に載置された電子部品及び電子部品間が熱硬化性の絶縁性樹脂で充填され、絶縁性樹脂上が金属箔で電子部品の形状および高さに沿うように被覆されており、かつ、金属箔の外縁が基板に配設された接地電極に導電性材料で電気的に接続されていることを特徴とする電子回路モジュール。 （もっと読む）

【課題】低粘度特性を有し、硬化物の強靱性に優れた熱硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）特定の構造〔例えば、式（５），（６）〕を有するポリイミド樹脂および（ｂ）ＳＰ値が１．４０×１０^４〜１．８０×１０^４（Ｊ／ｍ^３）^１／２であるエポキシ化合物を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
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【課題】導電性接着剤を介して基板と電子部品とを接続したものを、接着補助剤を介してモールド樹脂で封止してなる電子装置において、接着補助剤の溶剤が導電性接着剤に浸透するのを防止する。
【解決手段】基板１０の一面に搭載された電子部品２０と、電子部品２０と基板１０の一面との間に介在する導電性接着剤３０と、基板１０の一面、電子部品２０および導電性接着剤３０を封止するモールド樹脂４０と、基板１０の一面とモールド樹脂４０との間に介在し、モールド樹脂４０の接着性を確保する接着補助剤５０とを備える電子装置において、導電性接着剤３０のうちモールド樹脂４０と接する面には、当該面を被覆して保護する保護材６０が設けられ、当該面は保護材６０を介してモールド樹脂４０に接しており、保護材６０と接着補助剤中の溶剤５０とは、溶解度パラメータの差が３以上の材料よりなる。 （もっと読む）

【課題】リードと封止体樹脂（モールド樹脂）の密着性を向上させ、剥離を起こさず、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた半導体装置であって、前記複数のリードが、前記樹脂から露出するアウターリード部分と前記樹脂に埋め込まれたインナーリード部分とを有し、前記樹脂がベンゼン環を有する芳香族化合物及び／又はシクロヘキサン環を有する化合物を含み、前記インナーリード部分の表面材料と前記樹脂とが接する界面における前記樹脂に含まれるベンゼン環及び／又はシクロヘキサン環と、前記インナーリード部分の表面材料の主構成材料である金属原子とが重なるように配列されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板の上面側の集積回路から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板の上面側の集積回路への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】封止膜１０は、熱硬化性樹脂１０ａ中に強磁性体粉末１０ｂが混入された材料によって形成されている。そして、封止膜１０中の強磁性体粉末１０ｂにより、シリコン基板１の上面側から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板１の上面側への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

本発明は、マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミド含有化合物および金属／カルボキシレート錯体およびペルオキシドを含む熱硬化性樹脂組成物に関し、それは、比較的短い時間、低い温度で、例えば３０から９０分間に渡って、約１００℃未満、例えば５５−７０℃で硬化可能である。本発明は、さらに、そのような組成物を製造する方法、そのような組成物を基体表面に塗布する方法、およびマイクロエレクトロニック回路を接続するためにそれらを使って製造されたパッケージおよび組立品を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレスに耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレスに起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。さらに低コストで生産性高く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板を用いた半導体集積回路を、対向する一対の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の間に設ける。一対の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体は中央部に半導体集積回路を配置し、端部において互いに接着して半導体集積回路を封止する。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び耐マイグレーション性に優れ、アウトガスの発生を十分に低減した封止充填剤及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の封止充填剤は、１５０℃における溶融粘度が３０〜１００００Ｐａ・ｓであり、１％重量減少温度が３５０℃以上であるポリイミド樹脂を含有する。 （もっと読む）

【課題】印刷法によって形成される配線層の下地として用いられたときに、良好なパターン形成性で配線層を形成することを可能にする絶縁層を提供すること。
【解決手段】配線層形成用インクを印刷する方法によって形成される配線層の下地用の絶縁層であって、絶縁性樹脂組成物及び溶媒を含有する絶縁体インクを加熱硬化することにより形成され、配線層形成用インク中の溶媒の表面自由エネルギーγ_ａ及び当該絶縁層の表面自由エネルギーγ_ｂがγ_ｂ−γ_ａ＝−１０〜１５ｍＪ／ｍ^２を満たす、絶縁層。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との高い接続信頼性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一方面Ｓ１に形成された突起電極２を埋め込むように絶縁性樹脂層３を形成する被覆工程と、ダイシングテープ５上に半導体ウェハ１を固定するダイシング準備工程と、半導体ウェハ１を絶縁性樹脂層３とともに切断して半導体チップ８を得るダイシング工程と、絶縁性樹脂層３を有する半導体チップ８をピックアップするピックアップ工程と、基板１２の表面に設けられた電極１２ａ及び半導体チップ８の突起電極２の位置を合わせる位置調整工程と、位置調整工程後、半導体チップ８を基板１２に押し当てるとともに熱を加えることによって、半導体チップ８を基板１２に実装する接続工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低温短時間で硬化させた場合であっても、十分な接着性及び接続信頼性を得ることを可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続用接着剤及び接続体を提供すること。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、及び（ｄ）加熱によりイソシアネートを生成する官能基を有するシランカップリング剤を含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温で接続を行った場合であってもボイドの発生を抑制でき、かつ製造される半導体が優れた接続信頼性を有する半導体封止用接着剤、並びにそれを用いた半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供すること。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、および（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物を含有する半導体封止用接着剤。（ｃ）重量平均分子量が１００００以上の高分子成分をさらに含む。高分子成分が（ｄ）ポリイミドをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔不良を解消して、信頼性の高い異種デバイスが搭載可能な集積半導体装置及び集積３次元半導体装置を提供する。
【解決手段】内側領域に並置された複数の集積回路チップと、前記複数の集積回路チップのそれぞれの周囲に充填され前記複数の集積回路チップを保持し、石英フィラを含有する第１絶縁部と、前記内側領域の表面に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかに接続された配線層と、前記内側領域に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかと外部回路とを接続するための入出力部と、前記内側領域の周囲の外側領域の少なくとも一部に配置され、前記第１絶縁部よりも低い石英フィラ含有比率を有する第２絶縁部と、前記第２絶縁部を貫通し表面と裏面とを接続する貫通電極と、を備えたことを特徴とする集積半導体装置が提供される。 （もっと読む）