【課題】光半導体素子を封止する工程と、基板上に金属層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができる光半導体素子封止用樹脂シート、および該樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも封止樹脂層３、接着樹脂層４、金属層５及び保護樹脂層２からなる光半導体素子封止用樹脂シート１であって、該封止樹脂層と、該接着樹脂層上に接着してなる該金属層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該金属層の上に両層を覆うように積層され、該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状である、光半導体素子封止用樹脂シート、並びに該光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線基板、半導体パッケージ、あるいは機能モジュール等に内蔵、封止されるセラミックチップ抵抗またはセラミックチップコンデンサのセラミックチップ部品において、セラミックス材料の表面に応力が集中して絶縁性樹脂との間で剥離を生じる問題がある。
【解決手段】配線基板、半導体パッケージ又は機能モジュールに絶縁性樹脂で封止されて内蔵されるセラミックチップ抵抗またはセラミックチップコンデンサのセラミックチップ部品において、前記セラミックチップ部品の絶縁部であるセラミックス材料の全表面に応力緩和層を有することを特徴とするセラミックチップ部品。応力緩和層として、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、フッ素化ポリイミド、多孔質ＰＴＦＥから選択されたポリマーからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体封止用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤と、（ｃ）酸化防止剤と、を含有する、半導体封止用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイドの発生を抑制でき、配線間の十分な絶縁信頼性と、半導体チップと基板との間の十分な導通性とが得られる半導体封止用フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（ａ）ポリイミド樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂と、（ｃ）フェノール樹脂と、（ｄ）硬化促進剤と、を含有する半導体封止用フィルム状接着剤４であって、３５０℃での溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であり、且つ、３５０℃で１０秒間加熱した後の硬化反応率が５０％以上である、半導体封止用フィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】良好な耐熱性と光透過性を有するポリイミドを含む光半導体素子封止用樹脂、および該樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物又は無水マレイン酸と、脂肪族テトラカルボン酸二無水物と、脂肪族ジアミン化合物とを縮重合反応させて得られるポリイミド前駆体をイミド化させてなる光半導体素子封止用樹脂。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの破損を抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０と、基板１０上にフェースアップで搭載され、基板１０とボンディングワイヤ２８で電気的に接続された第１半導体チップ２０と、第１半導体チップ２０にフリップチップボンディングされた第２半導体チップ３０と、第２半導体チップ３０の側面を覆い、第１半導体チップ２０上面のボンディングワイヤ２８が電気的に接続された領域が露出するように第１半導体チップ２０の上面を覆う絶縁性樹脂部４０と、第１半導体チップ２０、第２半導体チップ３０およびボンディングワイヤ２８を封止する封止樹脂部５０と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】回路規模またはメモリ容量を確保しつつも、外力、特に押圧に対する信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】有機化合物または無機化合物の繊維体を複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂を含浸した一対の構造体と、該一対の構造体の間に設けられた素子層とを有する。素子層と上記構造体とは、加熱圧着により固着させることができる。または素子層と上記構造体とを固着させるための層を設けても良い。或いは、素子層に繊維体を複数重ねた後、該繊維体に有機樹脂を含浸させることで、素子層に固着した上記構造体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて単結晶基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する素子基板を形成し、素子基板上に有機化合物または無機化合物の繊維体を設け、素子基板及び繊維体上から有機樹脂を含む組成物を塗布し、加熱することにより、素子基板上に有機化合物または無機化合物の繊維体に有機樹脂が含浸された封止層を形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】温度が上昇したときに半導体素子に加わる歪を小さくすることができるような封止がなされた半導体装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュールは、絶縁基板１１と、絶縁基板１１に貼り付けられた電極板１２と、電極板１２の取り付け面に取り付けられた半導体素子Ｑと、取り付け面に、半導体素子Ｑの周りを囲むように設けられた樹脂枠１４〜１６及びバスバー１７と、取り付け面の、樹脂枠１４〜１６及びバスバー１７で囲まれた包囲領域ＩＮに注入された封止樹脂１９とを備えている。 （もっと読む）

本発明によると、ＶＯＣを発生する可能性の低い加水分解性シランが提供され、それは：（ｉ）少なくとも一つの有機官能性基であって、前記基が、大きくない電子求引性基および／もしくはそれらとの接触に続いて互いに相互作用的な有機樹脂と相互作用可能な基であり、前記有機官能性基が安定な架橋基を介して加水分解性シリル基のケイ素原子と結合している有機官能性基と、（ｉｉ）ケイ素と結合し、そして酸素、窒素そしてそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも二つのヘテロ原子を含有する、少なくとも一つの加水分解性基であって、前記加水分解性基の加水分解が２０℃で１３．３Ｐａ（０．１ｍｍＨｇ）より低い蒸気圧を有する化合物を産生する、加水分解性基と、を有する。さらに、本発明によると揮発性有機化合物（ＶＯＣ）を発生する可能性の低い樹脂組成物が提供され、それは：ａ）樹脂組成物の性能を向上する量の少なくとも一つの加水分解性シランであって、それは：（ｉ）少なくとも一つの有機官能性基であって、前記基が大きくない電子求引性基および／もしくはそれらとの接触に続いて互いに相互作用的な有機樹脂と相互作用可能な基であり、前記有機官能性基が安定な架橋基を介して加水分解性シリル基のケイ素原子と結合している有機官能性基と、（ｉｉ）ケイ素と結合し、そして酸素、窒素そしてそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも二つのヘテロ原子を含有する、少なくとも一つの加水分解性基であって、前記加水分解性基の加水分解が２０℃で１３．３Ｐａ（０．１ｍｍＨｇ）より低い蒸気圧を有する化合物を産生する、加水分解性基と、を有し、ｂ）加水分解性シラン（ａ）の有機官能性基（ｉ）および／もしくは水と相互作用する少なくとも一つの有機樹脂と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】突起状電極部の立ち上がり部に加わる応力を軽減し、導体にクラックが発生することを防止できる半導体パッケージ基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ基板は、半導体素子１０が接着される第１の絶縁性樹脂層２と、前記第1の絶縁性樹脂層２に設けられ、半導体素子１０と電気的に接続される回路導体層３とを備え、回路導体層は、表面導電層４ａと内部に充填された絶縁性樹脂４ｂとからなる、外部実装部材と電気的に接続される突起状電極部４を有し、突起状電極部４の断面形状が、外部実装部材との接続面４ｃを下底とした略台形であり、突起状電極部４の立ち上がり部が緩やかな丸みを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板の上面側の集積回路から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板の上面側の集積回路への不要電磁輻射ノイズを抑制する。
【解決手段】 封止膜１０は、熱硬化性樹脂１０ａ中に軟磁性体粉末１０ｂが混入された材料によって形成されている。そして、封止膜１０中の軟磁性体粉末１０ｂにより、シリコン基板１の上面側から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板１の上面側への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】記憶機能の信頼性の高い有機化合物を含む層を有する素子が設けられたフレキシブルな記憶装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の電極層及１０３び第２の電極層１０６からなる一対の電極間に有機化合物を含む層１０５を有する記憶素子と、当該記憶素子を有する素子層と、素子層上に形成される封止層１１１を有し、封止層１１１には吸湿材１０８が含まれている記憶装置及び半導体装置である。吸湿材１０８としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ゼオライト、アルカリ土類金属の酸化物、硫酸塩、または高吸水性ポリマーの粒子で形成される。 （もっと読む）

光感受性プリンテッドエレクトロニクス基板のための保護用フォトクロミックバリア層が提供される。絶縁基板１０上の光感受性半導体デバイス１２は、導電体によって電気的に接続されている。フォトクロミック染料２２を含むバリア層２０は、光感受性半導体デバイス１２の一部又は全てを覆う。可視光、赤外線光、又は紫外線光に晒されたとき、フォトクロミック染料２２はその化学的構造を変化させると共に、光感受性半導体デバイスに衝突する可視又は不可視光線の選択された波長の量を減少させる。可視光、赤外線光、又は紫外線光が除去されたとき、フォトクロミック染料２２は初期の化学構造に戻るか、或いは変化した状態のまま維持される。
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【課題】金属体に電子素子を固定した実装体を、エポキシ樹脂よりなるモールド樹脂にて封止してなる電子パッケージにおいて、２００℃まで信頼性を保証できるようにする。
【解決手段】金属よりなる金属体１０、１１およびこの金属体１０、１１に接合された半導体素子２０を有する実装体５０と、実装体５０を封止するエポキシ樹脂よりなるモールド樹脂６０と、実装体５０とモールド樹脂６０との間に介在しこれら両者５０、６０の接着性を確保する樹脂よりなるプライマー７０とを備え、モールド樹脂６０およびプライマー７０のガラス転移温度を２００℃以上としている。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性を実現し、さらに、フィラ充填量が少量でも熱伝導路を形成できるポリマーナノコンポジット材料及びそれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決手段】金属ナノ粒子を担持した熱伝導性フィラが樹脂組成物中に分散しているポリマーナノコンポジット材料、ならびに、熱伝導性フィラ表面に金属ナノ粒子を担持させる担持工程と、前記金属ナノ粒子を担持した熱伝導性フィラを樹脂組成物中に分散させてポリマーナノコンポジット材料を得る分散工程と、ポリマーナノコンポジット材料を被塗物に塗布する工程と、加熱により、ポリマーナノコンポジット材料を成型すると共に、金属ナノ粒子を溶融させて金属ナノ粒子を担持した熱伝導性フィラを他の熱伝導性フィラと結合させる加熱工程とを有する電子部品装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 熱可塑性の樹脂組成物により電子部品を封止する場合においても、電子部品と封止樹脂層の密着耐久性が高い電子部品封止成形品を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子部品に密着し、エラストマーを含有して、−４０℃〜＋１５０℃における引張弾性率が５ＧＰａ以下であり、引張伸びが３％以上である封止樹脂層を用いることにより、電子部品との線膨張係数差に基づき、加熱あるいは冷却により発生する応力を低減でき、電子部品との間に生じる剥離を抑制することができる。また、熱的な伸縮による疲労に対する密着耐久性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】硬化時にボイドが発生しにくく、接着後の金属腐食の問題も起こらない半導体パッケージ接着用材料として使用できる熱硬化性コーティング組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有する二重結合を持った基を、エステル結合を介して側鎖に結合させたポリアミド１００質量部、（Ｂ）（Ａ）で規定されたポリアミドを溶解する、二重結合を有する常温で液状の化合物または混合物１５０〜４００質量部、及び（Ｃ）ラジカル重合開始剤２〜１０質量部を有することを特徴とする熱硬化性コーティング組成物。
【化１】
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【課題】 耐熱性に優れ、リフロー炉を通過させて高温条件下に加熱処理を行っても曲げ強度等の機械的強度が低下することなく、更に優れた難燃性をも兼備した耐熱性樹脂組成物、その製造方法、耐熱性樹脂成形物、及び、表面実装用電子部品を提供すること。
【解決手段】 ポリアリーレンスルフィド樹脂（Ａ）、テレフタル酸アミドを必須の構造単位とする芳香族ポリアミド（Ｂ）を前者／後者の質量比が７０／３０〜９５／５なる割合で含有し、かつ、前記耐熱性樹脂組成物からなる成形物の破断面を有機溶剤でエッチング処理した後、該破断面を走査型電子顕微鏡（２５００倍）にて観察した際、該エッチング処理によって形成された空孔の体積平均径が０．１〜１．０μｍとなるようにする。 （もっと読む）

スマートポリマー複合体の集積回路パッケージングへの適用。 （もっと読む）