【課題】樹脂基板のそりが抑えられ、樹脂基板の裏面に取り付けられる機器との密着性を向上できるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、ベアチップが上面に実装された樹脂基板１１と、ベアチップを保護するための封止部１２とを備えている。封止部１２は、封止部１２の外周を規定する外枠１２１ｔを有したフレーム部１２１と、フレーム部１２１内に充填された封止剤１２２とを有している。そして、フレーム部１２１は、複数のネジ１３によって樹脂基板１１に固定されるとともに、フレーム部１２１の外枠１２１ｔと樹脂基板１１との間にはシール材が介挿されている。以上のような構成により、フレーム部１２１の外に封止剤１２２が流れ出すのを防止しつつ、樹脂基板１１のそりを抑えることができる。その結果、樹脂基板１１の裏面に取り付けられる放熱器などの機器との密着性を向上できる。 （もっと読む）

基板に実装可能な半導体装置には、半導体ダイと、第１端部及び第２端部、及び第１取着面及び第２取着面を有する導電性リードフレームと、を含む。ダイは、リードフレームの第１端部と第１取着面上で電気的に接触させる。外部に露出したハウジングによって、半導体ダイ及びリードフレームの第１端部を包囲し、上記ハウジングには、リードフレームの第２取着面に面する金属プレートを含む。 （もっと読む）

このホルダ１２は、金属部品ＰＭ上で電気コンポーネント２２を組み立てるために加熱するように設計された導電性の金属部品ＰＭを含む。ホルダは、合成材料でできており、金属部品ＰＭに接合されてホルダ１２の密着性を保障している部品ＰＳも含む。この合成材料でできている部品ＰＳは、低い融点をもつマス１４および低い融点をもつマス１４と金属部品の間に挿入されている高い融点をもつマス１６を含む。より具体的には、高い融点をもつマス１６は、低い融点をもつマス１４の融点より高い融点をもつ材料内に作製される。
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【課題】フィラによる電子部品の傷、破損、機能低下のない電子部品ユニットを提供すること。
【解決手段】両側に電子部品２０、２１が取付けられた回路基板３０を、ケース１０の底部１２に設けられた支持部１７に装着し、ケース１０の側壁部１６と回路基板３０の側端部３１との間隙Ｈが開口部１１から注入されるフィラ４２入り樹脂４０のフィラ４２粒径より大きく設定され、注入されるフィラ４２入り樹脂４０を、ケース１０における開口部１１側の上部空間部１４及び底部１２側の底部空間部１５に充填する電子部品ユニットであって、ケース１０の支持部１７の一部を切り欠いて段部１８を形成し、回路基板３０の下方端面部３２と段部１８との間隙Ｇをフィラ４２の粒径より小さくし、上部空間部１４から底部空間部１５にフィラ４２が流入して底部空間部１５内に位置する回路基板３０の電子部品２１に隣接させないようにする。 （もっと読む）

【課題】樹脂ケースと放熱用部材とをボルトで締め付ける際の緩みを低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂ケース１１の貫通穴１４に樹脂ケース１１と一体成形で埋め込まれた筒状金属部材１５の一端を、貫通穴１４から突出させ、突出した筒状金属部材１５の端部に中心側が外周側よりも高い段差を設けることで、筒状金属部材１５の中心側の上面に樹脂バリが回りこみにくくなる。これによって、筒状金属部材１５の中心側の上面が樹脂バリによって覆われることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】電子部品を搭載したセラミック基板をヒートシンク上に搭載し、これらをモールド樹脂にて封止してなる電子装置において、モールド樹脂の成型時にて、ヒートシンクの反りの影響を受けることなく、セラミック基板の反りを抑制する。
【解決手段】ヒートシンク１０の一面１１のうちセラミック基板２０が搭載される部位に、当該部位の一部を突出させた凸部１３を設け、セラミック基板２０を凸部１３上に支持し、セラミック基板２０とヒートシンク１０との間のうち凸部１３を除く部位に、モールド樹脂４０を充填した。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上面（第２主面）に搭載されたヒートシンク（放熱体）と、半導体基板１１の下面（第１主面）に形成された配線１４等を具備している。ヒートシンク１７は、半導体基板１１の上面に搭載され、その平面的な大きさは半導体基板１１と略同一である。また、ヒートシンク１７の厚みは、５００μｍ〜２ｍｍであり、半導体基板１１よりも厚く形成されても良い。ヒートシンク１７により補強されることで、半導体基板１１を例えば５０μｍ程度に薄くすることができるので、結果的に半導体装置１０全体を薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】筐体へ取り付ける際に、リード端子へのストレスから封止樹脂にクラックが生じ封止樹脂が破壊することを抑え、かつ半田流れにより封止樹脂へ半田やフラックスが進入することによる信頼性低下をも抑えた電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】リードフレーム１１のリード端子２５の厚みを、リードフレーム１１の放熱板２６の厚みよりも薄く形成することにより、放熱性を高めるためにリードフレーム１１の放熱板２６の厚みは厚くてもリード端子２５の部分は薄いため、筺体３５に放熱板２６をネジ３４止めし、リード端子２５をプリント基板３６に半田付けする際、リード端子２５の弾性で封止樹脂界面にストレスが加わることを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】大電流を扱い、フレームのダイパッド裏面に配置された樹脂シートを有する半導体装置において、高い絶縁性を確保しながら、パワーチップで発生した熱を効率よく外部に放熱することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】パワーチップ５と、ＩＣチップ７と、パワーチップ５を表面に搭載するダイパッド１ａ及びＩＣチップ７の搭載部を備えた曲げフレーム１と、ダイパッド１ａの裏面に一方の面が密着するように設けられた樹脂シート３と、パワーチップ５、ＩＣチップ７、ダイパッド１ａ及び樹脂シート３を樹脂シート３の他方の面が露出するようにモールドしたモールド樹脂２とを備え、モールド樹脂２の樹脂シート３の露出面と反対側の面に、モールド樹脂２の樹脂注入口と垂直で、かつ、上記絶縁シートと平行な方向に延在する溝１０を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクにおいて露出面へのモールド樹脂の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面上の樹脂バリを除去できるようにする。
【解決手段】ヒートシンク１０に電子部品２０を搭載したものを、金型内に設置し、モールド樹脂６０により封止するとともに、ヒートシンク１０の一面１１をモールド樹脂６０から露出させてなる電子装置の製造方法において、ヒートシンク１０におけるモールド樹脂６０から露出する一面１１を、樹脂バリ防止材２００により被覆した後、モールド樹脂６０による封止を行い、しかる後、ヒートシンク１０の一面１１から樹脂バリ防止材２００を除去する。 （もっと読む）

【課題】無駄なスペースを最小限にして半導体装置を小型化することを目的する。
【解決手段】リード端子２１を有する金属からなるフレームと、フレームのダイパッドの上面に搭載されたパワーチップと、フレームのＩＣチップ搭載部に搭載されたＩＣチップと、ダイパッドの上面と対向する下面側に設置された絶縁性の絶縁シート７と、リード端子２１を突出させ、絶縁シート７の下面を外表面に露出させ、かつ、ＩＣチップ及びパワーチップを封止し、絶縁シート７よりも熱伝導率の小さなモールド樹脂とを含む半導体装置において、絶縁シート７は、一部または全部の角部４２が面取りされた部位４１を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】回路装置がＢＧＡなどによって実装基板に実装されている構造において、回路装置と実装基板との間の空気の温度上昇を抑制する。
【解決手段】回路装置１０は、回路基板２０と、回路基板２０に実装された回路素子３０と、回路素子３０を封止する封止樹脂４０とを備える。この回路装置１０には、封止樹脂４０および回路基板２０を貫通する貫通孔５０が設けられている。回路装置１０を実装基板６０に実装した場合に、回路装置１０と実装基板６０との間の空気は、温度上昇に伴って、貫通孔５０を通って、封止樹脂４０の上方へ排出される。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子に金属板を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、放熱面と端子の一部との間の沿面距離を稼ぎ、沿面絶縁破壊を抑制する。
【解決手段】 半導体素子１、２と金属板３、４および端子３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅとを接続し、これらを包み込むようにモールド樹脂７にて封止するとともに、金属板の放熱面３ａ、４ａおよび端子の一部をモールド樹脂の表面から露出させる半導体装置において、モールド樹脂７の表面のうちモールド樹脂７から露出する放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の部位に、モールド樹脂７の表面における放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部１０、１１を設けた。 （もっと読む）

【課題】 高温動作に対応可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体スイッチング素子１０と、半導体スイッチング素子１０の端子にそれぞれ対応して設けられ、端子と熱的および電気的に接続された電極板１２，１４と、第１の樹脂材料からなり、半導体スイッチング素子１０と電極板１２，１４とを封止するモールド樹脂３０と、第２の樹脂材料からなり、半導体スイッチング素子１０と電極板１２，１４とに直接的に接触することなく、モールド樹脂３０を封止するモールド樹脂３２とを備える。モールド樹脂３０，３２は、半導体スイッチング素子１０の放熱経路の少なくとも一部が、第１の樹脂材料と第２の樹脂材料との界面を経ることなく形成されるように配置される。 （もっと読む）

超小型電子機器のダイレベル・パッケージング用の組成物および方法が開示される。組成物は、２０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数および１．０Ｗ／ｍＫより大きい熱伝導率を有するように、約２０％から約８０％のサーモプラスチック基材と、約２０％から約７０％の非金属熱伝導性材料とを含む。射出成形技法を用いて、組成物は溶融され、次いで、その中に超小型電子機器を封止するために超小型電子機器を含むダイの中に射出されてよい。
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【課題】両側ヒートシンク構造を有する半導体装置において、両ヒートシンクの放熱面を封止樹脂から露出させるにあたって放熱性の向上に適した状態を実現する。
【解決手段】発熱素子１０と、発熱素子１０の一側に設けられ発熱素子１０と熱的に接続された第１のヒートシンク３０と、発熱素子１０の他側に設けられ発熱素子１０と熱的に接続された第２のヒートシンク４０と、発熱素子１０、第１のヒートシンク３０および第２のヒートシンク４０を包み込むように封止する封止樹脂８０とを備える半導体装置１００において、第１のヒートシンク３０の放熱面３０ａおよび第２のヒートシンク４０の放熱面４０ａが、封止樹脂８０から露出しており、第１のヒートシンク３０の放熱面３０）と第２のヒートシンク４０の放熱面４０ａとの平行度が、０．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

第１の表面（９０３ａ）および第２の面（９０３ｂ）を有するリード・フレーム（９０３）と、あるサイズの平面パッド（９１０）と、パッドに隣接する複数の非共面部材（９１３）を含む半導体デバイス。デバイスは、さらに第１の表面（９２０ａ）および第２の面（９２０ｂ）を有するヒート・スプレッダ（９２０）と、リード・フレーム・パッド・サイズにつり合うサイズの平面パッドと、その中にリード・フレーム部材が挿入されて第１のスプレッダ・ヘッド表面がパッド・サイズにわたって第２のリード・フレーム・パッド表面に接触するようにされる輪郭（９２２）とを有する。半導体チップ（９０４）が第１のリード・フレーム・パッド表面上に搭載される。好ましくは、コンパウンドであるカプセル化材料（９３０）がチップを被覆するが、第２のスプレッダ・ヘッド表面は、被覆されないままとされる。
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【課題】パワー用半導体素子チップとそれを制御する制御用ＩＣチップとをモールド樹脂で封止した半導体装置であって、放熱性に優れたもの、およびその製造方法を実現する。
【解決手段】パワー用半導体素子チップ５ａ，５ｂを封止する第２のモールド樹脂３の熱伝導率を、制御用ＩＣチップ７を封止する第１のモールド樹脂２の熱伝導率よりも高くする。大電流の流れるパワー用半導体素子チップ５ａ，５ｂから発生する熱を、高熱伝導の第２のモールド樹脂３から有効に放熱することができ、半導体装置１００の放熱特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、少なくともクラックの進展を遅らせることのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１８は、ケース１０の内側に銅複合材放熱板３０（放熱板）を配置し、当該銅複合材放熱板３０上にセラミックス絶縁基板２６（絶縁基板）を接合しかつ当該基板２６の周縁の一部に対応した位置でエポキシ樹脂２２（接着剤）を用いて接着し、セラミックス絶縁基板２６上の配線層２７に半導体チップ１６を搭載し、半導体チップ１６やセラミックス絶縁基板２６等の間で所要の結線を行い、ケース１０の内側をシリコンゲル２０（ゲル材）で封止する。このようにセラミックス絶縁基板２６の周縁の一部に対応した位置でも接着を行うので、簡単な構成で少なくともクラックの進展を遅らせることができる。 （もっと読む）

【課題】 薄片化したチップの機械的強度を向上させたメモリモジュールを提供する。
【解決手段】 情報を格納するためのメモリコアチップ１０ａ〜１０ｄと、データの入出力を制御するインターフェースチップ３０と、外部との間でデータを送受信するインターポーザチップ４０と、インターポーザチップの最近傍に設けられた外部接続用端子４６とを有するメモリモジュールにおいて、インターフェースチップ３０の最近傍に放熱板２０が設けられ、インターポーザチップ４０は、メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、一方の面に外部接続用端子を保持するためのランド４１、外部用接続端子に接続された配線４４、および配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されている構成である。 （もっと読む）