【課題】 適切な絶縁空間距離と絶縁沿面距離を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体モジュール１０は、ａ）半導体素子を封止し、放熱器１６が当接されるための主面２０を有するパッケージ１８と、ｂ）パッケージ１８の側面２４から突出して主面２０から離れる方向に曲げられた端子２６とを有する半導体装置１２と、底部３０に端子２６が挿通する端子穴３２を備えて端子穴３２に端子２６が挿通された状態で半導体装置１２のパッケージ１８を収容する桝型のケーシング１４とを有し、ケーシング１４と半導体装置１２の間に絶縁性樹脂３４を充填して少なくともパッケージ１８の側方に位置する端子部分を封止したこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型チップの使用に際しても小型でかつオン抵抗の低いＭＯＳＦＥＴを形成することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂パッケージ１０と、前記樹脂パッケージ１０内部で、一体化されチップ搭載部２ｄを構成する少なくとも２本の主リード２ａ、２ｂ、２ｃと前記チップ搭載部２ｄに搭載された半導体チップ６と、前記半導体チップの表面でそれぞれ電極に接続された第１および第２の表面リード３ａ，３ｂとを含み、前記主リード２ａ、２ｂ、２ｃおよび前記第１および第２の表面リード３ａ、３Ｂが前記樹脂パッケージ１０の底面と同一面上をまっすぐに伸長するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型チップの使用に際しても小型でかつオン抵抗の低いＭＯＳＦＥＴ半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂パッケージ１と、前記樹脂パッケージ１内部で、一体化され、チップ搭載部２ｄを構成する少なくとも２本の主リード２ａ２ｂ、２ｃと、前記チップ搭載部２ｄに搭載された半導体チップ６と、前記半導体チップの表面でそれぞれ電極に接続された第１および第２の表面リード３，４とを含み、前記主リード２ａ、２ｂ、２ｃの電流路の総和が、前記樹脂パッケージの外側で前記第１および第２の表面リード３，４よりも、幅広または間隔が小さくなるように形成された複数のリードを含む。前記主リードの抵抗をより低減することができ、オン抵抗を効率的に低減できる。また、より低抵抗化が必要なドレイン端子において最大限にリード幅の総和を増大するようにしているためチップの大型化に際しても有効にオン抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】パッドの下面側が露出している半導体装置において、このパッドの下面側でモールド樹脂の薄バリが発生するのを防止する。
【解決手段】上面に半導体素子４が固定されたパッド１１を有し、パッド１１の下面１１ｅが露出された状態で半導体素子４およびパッド１１がモールド樹脂７により封止されて形成された半導体装置１０において、パッド１１は、半導体素子４が固定される土台部１１ｂと、土台部１１ｂの外側となる位置で、かつ、土台部１１ｂの厚さ方向の上側から順に、土台部１１ｂよりも薄肉に形成されているとともに半導体素子４側に向けて屈曲している屈曲部１１ａと、パッド１１の下面１１ｅを含むとともに土台部１１ｂの外側に向けて形成されている突起部１１ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のそりを防止するとともに、この半導体基板の実装強度を向上させることができ、さらには放熱特性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウエハレベル・チップサイズ・パッケージ（ＷＬＣＳＰ）は、シリコン基板２１の表面２１ａに集積回路２２が形成され、この集積回路２２を含む表面２１ａ上に樹脂封止層２３が形成され、樹脂封止層２３の表面２３ａには、外部端子２４の一部が露出され、シリコン基板２１の裏面２１ｂには、溝２７が複数本、格子状に形成され、樹脂封止層２３の表面２３ａには、外部端子２４を個々に区画する様に溝２８が複数本、格子状に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 放熱が良好で、かつ信頼性が向上した、半導体装置および冷却器付半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１は、シリコンチップ２２と、シリコンチップ２２の両主面にそれぞれはんだ層３０、３２によって電気的に接続された電極２４，２６と、ゲート電極にワイヤ４２によって接続されている電極２８とを含む。半導体装置１は、さらに、電極２４，２６の各放熱面と樹脂部３６の外表面とを被覆する電気絶縁性および水分遮断性を有する無機硬質膜４０とを含む。無機硬質膜４０によって金属製のマイクロチャネル冷却器と電極２４，２６の間の絶縁性が確保され、コンパクトでかつ放熱の効率がよい半導体装置を実現できる。半導体装置１を直接冷却水に浸漬して冷やすことも可能となる。 （もっと読む）

【課題】 金属体上に半導体素子をはんだ接合したものを、モールド樹脂により封止してなる半導体装置において、温度サイクルによるはんだ層のクラック発生を極力防止する。
【解決手段】 金属体１０と、金属体１０の一面に搭載された半導体素子２０と、金属体１０と半導体素子２０との間に介在し金属体１０と半導体素子２０とを接合するはんだ層３０と、金属体１０および半導体素子２０を包み込むように封止する第１の樹脂４０とを備える半導体装置１００において、はんだ層３０の外周には、熱膨張係数が第１の樹脂４０よりもはんだ層３０に近いエポキシ樹脂などからなる第２の樹脂７０を、はんだ層３０の端部と接した状態で全周に設けている。 （もっと読む）

【課題】過電流からの保護を図るとともに，高精度に組み付けることが可能な半導体モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】パワーモジュール１００は，半導体素子１１と，半導体素子１２を有している。また，半導体素子１１，１２は，エミッタ電極４１，４２とコレクタ電極５１，５２の間に挟まれている。また，パワーモジュール１００では，半導体素子１１側のエミッタ電極４１と半導体素子１２側のコレクタ電極５２とが接続部材９１を介して電気的に接続されている。また，接続部材９１は，ヒューズ機能を兼ねており，半導体素子１１，１２間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。また，半導体素子１１，半導体素子１２および接続部材９１は，樹脂６でモールドされることにより一体となっている。 （もっと読む）

【課題】 放熱性と耐圧性を両立させた混成集積回路装置を提供する。
【解決手段】 回路基板１１の表面には第１の絶縁層１２Ａが形成され、その裏面には第２の絶縁層１２Ｂが形成されている。第１の絶縁層１２Ａの表面には、導電パターン１３が形成され、この導電パターン１３には回路素子１５が固着されている。封止樹脂１４は、回路基板１１の表面および側面を被覆している。更に、封止樹脂１４は、回路基板１１の裏面の周辺部も被覆している。このことにより、回路基板１１の裏面を外部に露出させた状態で、回路基板１１の耐圧性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 安定な特性を有し、小型で且つ製造コストの低減が可能な電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】 半導体装置は、入力リード端子３、出力リード端子４、および高周波接地リード端子２５からなる複数本の外部接続リード端子２と、高周波接地リード端子２５に接続された放熱板５と、放熱板５上に搭載された半導体デバイス１ａ、１ｂおよび回路基板７と、半導体デバイス１ａ、１ｂ、および回路基板７を封止するとともに、裏面の少なくとも一部を露出させるように放熱板５を封止するモールド樹脂３２とを備え、入力リード端子３に入力された信号を増幅して出力リード端子４から出力する。 （もっと読む）

【課題】
パワートランジスタなどの高出力で高発熱の半導体装置において、放熱性に優れ、かつ電気抵抗を低減し、さらに実装信頼性を向上させることを課題とする。
【解決手段】
ドレイン用導電部材とソース用導電部材で半導体チップの表裏面を概ね覆い隠すようにはさんで電気的に接合し、これらを樹脂封止する一方、半導体チップ投影面内にあるドレイン用導電部材とソース用導電部材の一部分を樹脂封止体から露出させる。
【効果】
本発明によって、半導体チップを挟んだ導電部材が半導体装置の両面から露出する構造となるため、放熱性を向上させることが可能となる。また、半導体チップクラック、半導体チップと導電部材とを接合する接続材の疲労破壊を抑制し、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置において、樹脂封止体の側面に出ているリードフレームの形状を変形することによりバリがなく、バリ取り工程を簡略化して製造可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数のリード２の下面は、樹脂封止体４の下面から露出しており、リード一端は、樹脂封止体の側面から突出しており、リード突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形され、リード突出部分の上面は、リード上面の他の部分と同じ平面にあり、リード突出部分の下面は、リード下面の他の部分と段差７がある。リード突出部部分の金型の周辺部分が肉厚になっている下型６と上型５とに挟み加圧して肉薄部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の発した熱を外部や大気中に良好に放散させることができ、かつ電子部品を放熱部材に強固に接合させることが可能な電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品収納用パッケージ８は、上面に電子部品11の搭載部10を有する平板状の放熱部材１と、放熱部材１の上面に搭載部10を取り囲んで取着され、複数の配線導体６を有する枠体５とを具備しており、放熱部材１は、枠状の基体２の中央部の上面から下面にかけて、銅または銅を主成分とする合金から成る貫通金属体３がその上面中央部に設けられた突出部３ａが基体２の上面から突出するようにして埋設されているとともに、基体２の上下面と貫通金属体３の下面と突出部３ａを除く貫通金属体３の上面とを覆うように銅層４が形成されている。貫通金属体３および銅層４によって電子部品の発した熱を良好に放散させることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性、連続成形性、パッケージ汚れ等に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの成形材料で封止した電子部品装置を提供する。
【解決手段】１５０℃のＩＣＩ粘度が０.２Ｐａ・s以下のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、及び一部又は全部がアルミナである無機充填剤を含み、硬化促進剤が下記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物と下記一般式（II）で示されるキノン化合物との付加反応物を含む封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】


（式（Ｉ）中のＲ^１は炭素数１〜１２のアルキル基、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を示し、式（II）中のＲ^４〜Ｒ^６は水素原子又は炭素数１〜１８の炭化水素基を示し、Ｒ^４とＲ^５が結合して環状構造であってもよい。また、Ｒ^２及びＲ^３、Ｒ^４〜Ｒ^６はそれぞれ全て同一でも異なってもよい。Ｒ^１〜Ｒ^６は置換されていてもよい。） （もっと読む）

熱放散体２０がパッケージに付加されることで、耐熱性能及び好ましくは電気的性能が高められる。製造時には、熱放散体前駆体２４が、好ましくはダイ群上方に配置され、ボンディング（ワイヤ又はテープボンディング、又はフリップ−チップ・ボンディング）の後に、かつまたマトリックス／ブロック成形前に、固定される。例えば、パッケージストリップ１０は、ダイ取り付け区域群（例えば４個の方形配列）の列（線形配列）から成る。熱放散体前駆体２０は、そうした１群又はパッケージストリップ１０に沿った多くの群を有していてよい。パッケージストリップ１０は、次いで単一化され、個々のパッケージが形成される。単一化された各パッケージは、１個のダイ１４と、関連基板１６（例えばリードフレーム又はインタポーザ型の基板）と、熱放散体２０である熱放散体前駆体２４の一部とを含んでいる。
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【課題】 半導体チップにおいて発生した熱を半導体チップから直接放熱することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、基板１０３と、基板１０３の下面に能動領域が対向するように実装された半導体チップ１０２と、半導体チップ１０２を覆うように形成された封止樹脂１０５と、半導体チップ１０２の基板１０３の反対側に形成された下面へ到達するように封止樹脂に形成された少なくとも１個のビア１０９と、半導体チップ１０２において発生した熱を半導体チップ１０２の下面から放熱するために形成された充填材料１１０および金属膜１０６とを具備する。 （もっと読む）

リードフレームを利用したワイヤボンディングされた電子パッケージの両面冷却を可能にする方法及び装置。この方法は、複数個のヒートスラグ部材（１４０）をリードフレームストリップ（１４２）上に形成されたこれらと対応関係にある複数個の電子パッケージ（１００′）上に位置決めする工程を有し、ヒートスラグ部材の各々は、ヒートスラグ（１３０）及びヒートスラグを電子パッケージ上にそれぞれ支持する複数個の脚部（１４４）を有し、この方法は、成形コンパウンド（１３２）を各ヒートスラグ部材とこれと対応関係にある電子パッケージとの間に導入する工程と、成形コンパウンドを硬化させる工程と、ヒートスラグ部材を切断して電子パッケージ（１００）をリードフレームストリップから分離し、各電子パッケージが電子パッケージの第１の面を冷却するヒートスラグを有するようにする工程とを更に有する。
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【課題】 難燃性、耐水性および熱伝導性が優れた半導体封止用樹脂組成物および成形品を提供する。
【解決手段】 合成樹脂１００重量部に対し、酸化マグネシウム粒子５０〜１５００重量部を配合した樹脂組成物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記（ｉ）〜（ｖ）の要件（ｉ）平均２次粒子径が０.１〜１３０μｍ（ii）ＢＥＴ法比表面積が０.１〜５ｍ²／ｇ（iii）Ｆｅ化合物およびＭｎ化合物の含有量の合計量が金属として０.０１重量％以下（iv）Ｎａ含有量が０.００１重量％以下かつ（ｖ）Ｃｌ含有量が０.００５重量％以下を満足することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物並びにそれから形成された成形品。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、実装密度の高い半導体装置のフリップチップ実装基板を提供することを目的とし、また、放熱性に優れた半導体装置のフリップチップ実装基板を提供することを他の目的とする。
【解決手段】 半導体装置のベアチップ１がフリップチップ実装されるサブ基板２と、このサブ基板が装着されて、前記ベアチップが収容されるマザーボード６とを備え、前記マザーボードには、前記ベアチップが収納されるキャビティ５が形成されているとともに、このキャビティを取り囲む位置に、前記サブ基板の周縁部が嵌合させられる段差部１２が形成されている。 （もっと読む）